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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]防篡改集成电路-CN201310175059.X有效
发明人：森克·奥斯特敦;迈克尔·齐恩曼 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面，构想了一种包括物理不可克隆功能的集成电路，在所述集成电路的钝化层中至少部分地实现所述物理不可克隆功能。根据本发明的另一方面，构想了一种用于制造集成电路的相应方法。根据本发明的另一方面，构想了一种包括所述类型集成电路的电子设备。
篡改集成电路

[发明专利]背面接触形成-CN201210190856.0有效
发明人：弗洛里安·施密特;迈克尔·齐恩曼 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了一种半导体及其形成方法，该半导体包括衬底以及形成在衬底上的多个布线层和多个电介质层，布线层实现电路。电介质层将所述多个布线层中相邻的布线层隔开。第一钝化层形成在所述多个布线层上。第一接触焊盘形成在钝化层中，并且电耦合至电路。布线形成在钝化层上，并且连接至接触焊盘。贯穿硅通道(TSV)贯穿衬底、所述多个布线层、所述多个电介质层、以及钝化层而形成。TSV电连接至形成于钝化层上的布线。除了形成在钝化层上的金属布线所提供的连接以外，TSV与布线层电隔离。
背面接触形成

[发明专利]半导体晶片及制造半导体晶片的方法-CN201210177073.9有效
发明人：弗洛里安·施密特;海默·舒切尔;迈克尔·齐恩曼 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体晶片(100)，具有预定分离划线(102)的规则图案，其中，所述预定分离划线(102)被配置为使得能够沿着所述规则图案将半导体晶片单个化。
半导体晶片制造方法

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