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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法-CN201110065448.8有效
发明人： 车载汉 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明为了提供易于适用于片上系统的非易失性存储装置而提供一种基于逻辑工艺可容易地实现的非易失性存储装置及其制造方法，尤其提供一种包括由具有浮置栅极的晶体管和连接于所述浮置栅极的电容器构成的单位单元的非易失性存储装置，该浮置栅极形成于具有隧道区和沟道区的衬底上，且同时横跨所述隧道区和所述沟道区。根据本发明，以一个晶体管和一个电容器结合的简单结构执行全部的编程操作、擦除操作、读操作和选择操作，因此具有可易于适用于片上系统，且由于基于逻辑工艺，因此可实现低成本工艺和高效率工艺的效果。
非易失性存储装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010565374.X有效
发明人： 车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括有源区，该有源区设置在衬底上，包括相互间形成结的第一导电类型的第一深阱和第二导电类型的第二深阱。栅电极在所述结上且在所述第一导电类型的第一深阱的一部分和所述第二导电类型的第二深阱的一部分上延伸。第二导电类型的源区在所述栅电极的一侧，且位于所述第一导电类型的第一深阱中，而第二导电类型的漏区在所述栅电极的另一侧，且位于所述第二导电类型的第二深阱中。第一导电类型的杂质区位于所述第一导电类型的第一深阱中，包围所述第二导电类型的源区并且朝向所述结延伸，以与所述栅电极部分交叠和/或与所述第二导电类型的源区部分交叠。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201010541059.3有效
发明人： 车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括具有一或多个有源区的衬底及隔离层，该隔离层经形成而包围有源区并比所述一或多个有源区更深地延伸至所述衬底中。所述半导体装置进一步包括栅电极，该栅电极覆盖所述有源区的一部分，且具有在所述隔离层上方延伸的一个末端部分。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201010529217.3有效
发明人： 车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：配置在衬底上的第二导电类型阱、配置在所述第二导电性阱上的第一导电类型主体区、与所述第一导电类型主体区的一部分重叠的栅极电极、以及形成在所述衬底上并与所述栅极电极的一部分重叠的第一导电类型沟道扩展区。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201010265546.1有效
发明人： 车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：在衬底上方配置以便相互接触的第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱；在所述衬底上方的配置于所述第一导电类型的第一阱接触所述第二导电类型的第二阱的界面中的第二导电类型的抗扩散区；和在所述衬底上方的配置成同时跨过所述第一导电类型的第一阱、所述第二导电类型的抗扩散区和所述第二导电类型的第二阱的栅极电极。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201010539006.8有效
发明人： 车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括第二导电类型的深阱，该第二导电类型的深阱配置在衬底上方。该深阱包括离子注入区及扩散区。第一导电类型的第一阱形成在扩散区中。栅电极延伸在离子注入区及扩散区的部分之上，且与第一阱部分地重叠。离子注入区具有均匀杂质浓度，而扩散区的杂质浓度自在离子注入区与扩散区之间的边界界面处的最高浓度变化至在扩散区的最远离该边界界面的部分处的最低。
半导体装置

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