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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有3D堆叠结构的半导体器件及其制造方法-CN202210219026.X在审
发明人： 车映官;朴宰彻;田尚勋 -专利权人：三星电子株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：提供了具有三维堆叠结构的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个沟道结构，在基板上并布置成三维阵列；多个栅电极，在平行于基板的方向上延伸；以及多个源电极和漏电极，在垂直于基板的方向上延伸。栅电极连接到在平行于基板的方向上排列的沟道结构，源电极和漏电极连接到在垂直于基板的方向上排列的沟道结构。沟道结构包括沟道层和在沟道层上的铁电层。
具有堆叠结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]底栅薄膜晶体管及其制造方法-CN200610166770.9无效
发明人：林赫;朴永洙;鲜于文旭;车映官 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-14 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造底栅薄膜晶体管的方法，其中相对简单容易地形成具有大的晶粒尺寸的多晶硅沟道区。该方法包括：在衬底上形成底栅电极；在所述衬底上形成栅极绝缘层以覆盖所述底栅电极；在所述栅极绝缘层上依次形成非晶半导体层、N型半导体层和电极层；依次蚀刻形成在所述底栅电极上的电极区和N型半导体层区以暴露非晶半导体层区；使用激光退火法熔化所述非晶半导体层区；和结晶所述熔化的非晶半导体层区以形成侧向生长的多晶硅沟道区。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN200610149433.9有效
发明人：朴宰徹;朴永洙;车映官 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：衬底；沟道，形成于该衬底上；源欧姆层和漏欧姆层，形成于该沟道的两端上；栅绝缘体，覆盖该源欧姆层和漏欧姆层以及该沟道；栅，形成于该栅绝缘体上；ILD(层间电介质)层，覆盖该栅；源电极和漏电极，通过形成于该ILD层以及该栅绝缘体内的接触孔而接触该源欧姆层和漏欧姆层；以及钝化层，覆盖该源电极和漏电极。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]非晶硅薄膜晶体管及具有该晶体管的有机发光显示器件-CN200610143366.X无效
发明人：朴宰彻;朴永洙;车映官 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-06 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅薄膜晶体管和具有该非晶硅薄膜晶体管的有机发光显示器件。该晶体管包括非晶硅薄膜晶体管部分，其包括栅电极、栅绝缘层、非晶硅层和源/漏电极，这些全部形成在衬底上；以及热生成部分，用于产生热并将所述热施加到该非晶硅层以恢复阈值电压。
非晶硅薄膜晶体管具有晶体管有机发光显示器件

[发明专利]存储器件及其操作方法-CN200710087705.1无效
发明人：朴祥珍;朴永洙;申尚旻;车映官 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器件及其操作方法。示范性方法涉及对存储器件进行存储操作的方法，且可以包括在存储器件的编程操作期间对存储器件施加负偏压且在存储器件的擦除操作期间对存储器件施加正偏压。示范性存储器件包括基板和形成于基板上的栅极结构，该栅极结构表现出在负偏压下比在正偏压下更快的平带电压偏移，该栅极结构在存储器件的编程期间接收负偏压，且在存储器件的擦除操作期间接收正偏压。
存储器件及其操作方法

[发明专利]具有电荷俘获层的非易失性存储器件-CN200610126357.X无效
发明人：朴祥珍;车映官;朴永洙;李正贤;崔石镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电荷俘获层的非易失性存储器件，所述电荷俘获层包括其中压倒性发生空穴俘获的第一俘获层和其中压倒性发生电子俘获的第二俘获层。该非易失性存储器件可根据应用的偏压产生大的平带电压间隔，因为平带电压范围一致地分布在正和负电压上。因此，可以实现非常稳定的多电平单元。
具有电荷俘获非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN200610075345.9有效
发明人：金东彻;柳寅儆;李明宰;徐顺爱;白寅圭;安承彦;朴炳昊;车映官;朴祥珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-04-10 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法-CN200610142422.8有效
发明人：朴祥珍;李明宰;车映官;徐顺爱;赵庆相;薛光洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法。该包括由电阻－变化材料形成的氧化物层的所述非易失性存储器件包括：下电极；形成在所述下电极上并包括过渡金属氧化物的氧化物层；形成在所述氧化物层中并使所述氧化物层内部的电流通路一致的纳米点；以及，形成在所述氧化物层上的上电极。在本发明中，氧化物层内部的电流通路一致，由此稳定了重置电流。
包括纳米非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]纳米弹性存储装置及其制造方法-CN200610092400.5无效
发明人：张柱韩;姜东勋;车映官;朴玩濬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米弹性存储装置及其制造方法。所述纳米弹性存储装置包括：基底；布置在所述基底上的多个下电极；支承单元，在具有暴露所述下电极的空腔的基底上以预定厚度由绝缘材料形成；纳米弹性体，在所述空腔中从所述下电极的表面竖直延伸；和多个上电极，形成于所述支承单元上，并且在所述纳米弹性体上面与所述下电极垂直交叉。使用纳米弹性存储装置可以在比使用多个带型纳米管的传统存储装置低的驱动电压下运行，存储单元不相互影响，可靠性更高，集成度更高。
纳米弹性存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失存储器件及其制造方法-CN200610125682.4无效
发明人：金东彻;白寅圭;车映官;李文淑;朴祥珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失存储器件及其制造方法。包括由电阻转换材料形成的氧化物层的非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上由过渡金属形成的纳米线层；所述氧化物层，包括过渡金属氧化物且形成于所述纳米线层上；以及形成于所述氧化物层上的上电极。根据本发明，通过在氧化物层上使电流路径一致可以稳定复位电流。
非易失存储器件及其制造方法

[发明专利]具有富硅氧化硅层的存储器件及其制造方法-CN200610004241.9无效
发明人： 车映官;柳寅儆;郑守桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-13 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有富硅氧化物层的存储器件及其制造方法。所述具有富硅氧化物层的存储器件包括半导体结构、形成在所述半导体衬底上的源极/漏极区、和形成在所述半导体衬底上的栅结构。所述栅结构与所述源极/漏极区接触并包括具有比二氧化硅层(SiO₂)大的硅组分的氧化物层。
具有氧化存储器件及其制造方法

[发明专利]包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器-CN200510120431.2有效
发明人：安承彦;柳寅儆;郑镛洙;车映官;李明宰;徐大卫;徐顺爱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器。其包括：底部电极；电阻器结构，布置在底部电极上；二极管结构，布置在电阻器结构上；和上部电极，布置在二极管结构上。本发明的非挥发性存储器可以用简单工艺制造，可以用低电力驱动，具有快的运作速度。
包括一个电阻器二极管挥发性存储器

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