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[发明专利]内嵌交叉结构的亚阈值P-P-N型10管存储单元-CN202210498979.4在审
发明人：温亮;孟增辉;左开伟;路士兵;卫国华 -专利权人：中国人民武装警察部队海警学院
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C11/415 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌交叉结构的亚阈值P‑P‑N型10管存储单元，包括一对内嵌交叉结构的交叉耦合P‑P‑N型反相器、两组NMOS传输管、四个存储结点、字线WL、写字线WWL和一对位线，第一P‑P‑N型反相器包括第一PMOS管、第二PMOS管和第一NMOS管，第二P‑P‑N型反相器包括第三PMOS管、第四PMOS管和第二NMOS管，第一组NMOS传输管包括第三NMOS管和第四NMOS管，第二组NMOS传输管包括第五NMOS管和第六NMOS管；优点是能够在亚阈值电压下工作，具有非常高的读、写噪声容限，不容易受到噪声的干扰，不需要额外配备读、写辅助电路，具有较高读、写稳定性。
交叉结构阈值 10 存储单元

[发明专利]提升SRAM芯片写能力的差分电源电路-CN202010433785.7有效
发明人：温亮;李伟春;冯明奎;朱连利;卫国华;路士兵 -专利权人：中国人民武装警察部队海警学院
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升SRAM芯片写能力的差分电源电路，包括一个反相器和两个差分虚拟电源产生电路，两个差分虚拟电源产生电路镜像对称，将两个差分虚拟电源产生电路分别称为第一个差分虚拟电源产生电路和第二个差分虚拟电源产生电路，第一个差分虚拟电源产生电路包括第一个或非门、第一个PMOS管、第一个NMOS管、第二个NMOS管和第一个虚拟电源线，第二个差分虚拟电源产生电路包括第二个或非门、第二个PMOS管、第三个NMOS管、第四个NMOS管和第二个虚拟电源线；优点是具有较强的写驱动能力，应用于SRAM芯片时，不会导致SRAM芯片的面积和功耗大幅增加，且不会影响SRAM芯片的保持能力，提高SRAM芯片性能。
提升 sram 芯片能力电源电路

[发明专利]采用P-P-N与P-N-N混合结构的10管存储单元-CN201910030247.0有效
发明人：温亮;卢艳;孟春宁;吕建平;路士兵;赵强;漆世钱 -专利权人：中国人民武装警察部队海警学院
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用P‑P‑N与P‑N‑N混合结构的10管存储单元，包括位线、反相位线、字线、写字线、P‑N‑N型反相器、P‑P‑N型反相器和读写选择电路，P‑N‑N型反相器包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，第一MOS管为P型MOS管，P‑P‑N型反相器包括第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管，读写选择电路包括第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管；优点是具有较高的读写噪声容限，在读写过程中不容易受到噪声干扰，稳定性较高。
采用混合结构 10 存储单元

[发明专利]一种流水结构的软错误自检电路-CN202010016896.8在审
发明人：温亮;韩建民;陈萱华;陶建平;路士兵 -专利权人：中国人民武装警察部队海警学院
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种流水结构的软错误自检电路，包括两个延时链、两个双输入延时电路、两个反相器、锁存器和二输入异或门，每个延时链分别包括2k+1个反相器，k为大于等于0的整数，当k＝0时，第1个反相器的输入端为延时链的输入端，第1个反相器的输出端为延时链的输出端，当k＞0时，第1个反相器的输入端为延时链的输入端，第j个反相器的输出端和第j+1个反相器的输入端连接，j＝1,2，…，2k，第2k+1个反相器的输出端为延时链的输出端，每个双输入延时电路分别包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；优点是结构简单，面积开销小，可以减少芯片面积和延时开销，降低芯片功耗。
一种流水结构错误自检电路