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[发明专利]电流传感器、电流测量装置及测量方法-CN202310450116.4在审
发明人：刘睿哲;赵馗;王奕善;马俊 -专利权人：上海励兆科技有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种电流传感器、电流测量装置及测量方法，电流传感器包括：射频传输单元，用于传输射频信号；测量单元，所述测量单元被设置在所述射频传输单元的一侧，用于生成因所述射频信号而产生的感应电动势；移动单元，所述移动单元与所述测量单元连接，且能在靠近或远离所述射频传输单元的方向上移动；以及处理单元，所述处理单元用于测量所述感应电动势，并且根据所测量的所述感应电动势计算所述射频信号的电流值。
电流传感器电流测量装置测量方法

[发明专利]一种等离子体处理设备-CN201910350330.6有效
发明人：杨宏旭;赵馗;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理设备，导电基座周围的边缘环由多个独立的圆弧部组成，每个圆弧部包括上方暴露于等离子体的圆弧形陶瓷部和位于所述圆弧形陶瓷部下方的圆弧形导电部，多个圆弧形导电部共同构成耦合环，多个圆弧形陶瓷部共同构成聚焦环，每个圆弧部连接一个驱动部，分别驱动各圆弧部沿垂直于导电基座的方向运动。这样，可以分段进行各段边缘环的高度调节，从而，分段补偿随着刻蚀工艺进行边缘环中聚焦环的损耗，进而，精确补偿各段聚焦环的高度，提高晶片加工的均匀性。
一种等离子体处理设备

[发明专利]一种支持脉冲监测功能的射频等离子体源-CN202310134744.1在审
发明人：王奕善;马俊;刘睿哲;赵馗 -专利权人：上海励兆科技有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种支持脉冲监测功能的射频等离子体源，包括：射频电路、功率探测器、RF输出单元、反馈控制单元、数据处理单元、存储器和上位机PC。射频电路的输出端连接功率探测器的输入端，RF输出单元的输入端连接功率探测器的第一输出端，功率探测器的第二输出端连接数据处理单元的输入端，反馈控制单元的输入端连接数据处理单元的第一输出端，射频电路的控制端连接反馈控制单元的输出端，存储器的输入端连接数据处理单元的第二输出端，存储器通过通讯接口将监测的数据结果传输到上位机。
一种支持脉冲监测功能射频等离子体

[发明专利]一种应用在E类射频功放的主动负载感性钳位电路-CN202310150651.8在审
发明人：赵馗;王奕善;刘睿哲;马俊 -专利权人：上海励兆科技有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用在E类射频功放的主动负载感性钳位电路，包括：射频扼流圈、MOSFET S1、驱动模块、并联电容、谐振电感L0、谐振电容C0、钳位电路和负载。其中MOSFET S1的栅极连接驱动模块的输出端，接收驱动信号，MOSFET S1的漏极连接射频扼流圈的第一端、并联电容的第一端、谐振电感L0的第一端；射频扼流圈的第二端连接电源VDD；谐振电感L0的第二端连接钳位电路的第一端、谐振电容C0的第一端，谐振电容C0的第二端连接负载的第一端。
一种应用射频功放主动负载感性电路

[发明专利]用于半导体处理设备的温度控制装置及其温度控制方法-CN201811631133.3有效
发明人：赵馗;饭塚浩;吴狄;左涛涛;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于半导体处理设备的温度控制装置及其温度控制方法，加热元件矩阵中的每一行或每一列中的每一个加热元件都分别与同一个功率源组成电源回路，加热元件矩阵中的每一列或每一行中的所有加热元件的电源回路中都设置同一个开关模块，调节每个功率源的输出功率大小来调节每个功率源控制的一整行或一整列加热元件的输入功率，控制每个开关模块的通断来控制每个开关模块控制的一整列或一整行加热元件的电源回路的通断。本发明减少了电路复杂度，节省了成本，在保证温度控制精确度的前提下减少了温度控制的复杂度，获得很均匀且很灵活的温度控制效果。
用于半导体处理设备温度控制装置及其方法

[发明专利]一种等离子体处理装置及其处理基片的方法-CN201911081973.1有效
发明人：连增迪;赵馗;黄允文 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体处理装置，该等离子处理装置包括：反应腔，在反应腔内的下方具有一基座，基座上设置有待处理基片，反应腔顶部包括绝缘材料窗，绝缘材料窗上方设置有电感线圈；空腔，用于容纳金属液体；源射频电源装置；偏置射频电源；致动装置，用于从空腔中抽取金属液体或向空腔中注入金属液体；控制器，连接至所述源射频电源装置、所述偏置射频电源和所述致动装置，所述控制器用于控制所述源射频电源装置和所述偏置射频电源向反应腔输入射频功率，以及控制所述致动装置从空腔中抽取或向空腔中注入金属液体。本发明还提供了一种处理基片的方法。
一种等离子体处理装置及其方法

[发明专利]等离子体刻蚀设备-CN202011596795.9在审
发明人：赵馗;王奕善;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体刻蚀设备，通过在接地环上设置阻抗调节装置，调节射频回路的阻抗，从而使得当上下电极间距调整时能够相应地调节整个射频回路的阻抗，以维持射频回路的稳定性，获得期望的刻蚀效果。此外，阻抗调节装置可沿着接地环周向均匀分布，实现局部调节效果，解决刻蚀中出现的偏边问题。
等离子体刻蚀设备

[发明专利]一种直流偏压控制方法及等离子体处理装置-CN202011298561.6在审
发明人：赵馗;关晓龙;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种直流偏压控制方法，包含：探测晶圆表面的直流偏置电压信号；同步偏置射频功率源的输出时钟信号，根据所述输出时钟信号判断偏置射频功率源的输出方式，并根据所述输出时钟信号、输出方式对探测的直流偏置电压信号进行采样、去噪后计算反馈值；根据所述反馈值调整偏置射频功率源的输出功率。本发明还提供一种等离子体处理装置。本发明能够适用于连续波和脉冲波输出方式的偏置射频功率源。
一种直流偏压控制方法等离子体处理装置

[发明专利]一种射频功率控制方法及等离子体处理装置-CN202011298578.1在审
发明人：赵馗;饭塚浩;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H04B7/005 文献下载
摘要：本发明提供一种射频功率控制方法，等离子体反应装置包含若干个电感耦合线圈，射频功率源的射频功率通过匹配网络分配到电感耦合线圈的第一至第M线圈上，使得等离子体反应装置的真空反应腔内产生等离子体，所述控制方法包含：同步射频功率源的输出时钟信号；探测第i线圈的第i电流信号，转换所述第i电流信号为对应的第i脉冲直流信号；根据所述输出时钟信号对第i脉冲直流信号进行处理后计算对应的第i电流反馈值；根据所述第i电流反馈值调整分配到第i线圈上的射频功率；其中i∈[1,M]。本发明还提供一种等离子体处理装置。本发明能够精确控制施加在所有线圈的射频功率，并不受射频功率源的输出方式限制。
一种射频功率控制方法等离子体处理装置

[发明专利]等离子反应器及其加热装置-CN201811607800.4有效
发明人：赵馗;吴狄;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子反应器及其加热装置，加热装置包括可编程电源、加热器组件以及带通滤波器组件，设置所述加热器组件通过带通滤波器组件与可编程电源连接，带通滤波器组件包括多个带通滤波器，所述可编程电源可以基于输出的交流加热功率与所述带通滤波器的导通频率的匹配关系，选择设定的所述加热器单元输入交流加热功率，以实现分区温控功能，电路结构简单，无需开关元件，控制方式简单。
等离子反应器及其加热装置

[发明专利]一种等离子体处理装置及其方法-CN202010987374.2在审
发明人：赵馗;杜若昕;吴狄;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置及其方法，该装置包含：真空反应腔，其内具有下电极组件和可移动上电极组件；若干个升降装置与可移动上电极组件连接以使其升降，升降装置包含支撑柱和驱动装置，驱动装置用于驱动支撑柱以使可移动上电极组件升降；若干个气体通道，分别由真空反应腔外部延伸经过真空反应腔底部、支撑柱内部、可移动上电极组件以将工艺气体注入真空反应腔内；若干个导电可伸缩密封结构，分别设置于支撑柱内且环绕气体通道的周围。其优点是：将升降装置、气体通道和密封结构相结合，真空反应腔顶部多次开关也不会影响可移动上电极组件，更容易保持所述可移动上电极组件和晶圆、下电极组件之间的同心度，保证了斜边刻蚀的工艺效果。
一种等离子体处理装置及其方法

[发明专利]等离子体处理装置及其直流偏置电压控制方法-CN201711404679.0有效
发明人：赵馗;刘小波 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置及其直流偏置电压控制方法，在等离子刻蚀装置附加高精度检测器来监测和控制离子刻蚀腔体内射频偏置回路中产生的直流偏置电压，且把测量到的电压值转换直流电压后转给控制器，经过控制器的计算之后反馈到射频偏压电源，然后射频偏压电源根据反馈信号的大小调节射频偏置功率的输出，使直流偏置电压保持在设定值。本发明应用到通过边缘环阻抗改变解决被刻蚀晶片边缘倾斜问题的等离子体处理装置时，既可以控制或消除边缘刻蚀的倾斜角问题，还保持刻蚀速率不变。
等离子体处理装置及其直流偏置电压控制方法

[发明专利]一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器-CN201711474120.5有效
发明人：赵馗;饭塚浩 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器，包括：一反应腔，反应腔内具有一导电基座，导电基座通过一个第一匹配器连接到一个低频射频电源，导电基座上包括一个静电夹盘，静电夹盘上表面用于固定待处理基片，导电基座外侧壁涂覆有至少一层耐等离子腐蚀的绝缘材料层，一个由绝缘材料制成的耦合环围绕在基座外周围，一个聚焦环设置在所述耦合环上方，所述聚焦环围绕所述静电夹盘并且在等离子处理过程中暴露于等离子体，还包括一个环形电极位于所述耦合环上方和聚焦环的下方，一导线第一端电连接到所述基座，第二端连接到所述环形电极，一可变电容串联在所述导线上。
一种具有低频射频功率分布调节功能等离子反应器

[发明专利]一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器-CN201710533117.X有效
发明人：赵馗;刘身健;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器，包括：一反应腔，反应腔内具有一导电基座，导电基座通过一个第一匹配器连接到一个低频射频电源，导电基座上包括一个静电夹盘，静电夹盘上表面用于固定待处理基片，导电基座外侧壁涂覆有至少一层耐等离子腐蚀的绝缘材料层，一个由绝缘材料制成的耦合环围绕在基座外周围，一个聚焦环设置在所述耦合环上方，所述聚焦环围绕所述静电夹盘并且在等离子处理过程中暴露于等离子体，还包括一个环形电极位于所述耦合环上方和聚焦环的下方，一导线第一端电连接到所述基座，第二端连接到所述环形电极，一可变电容串联在所述导线上。
一种具有低频射频功率分布调节功能等离子反应器

[发明专利]等离子体电感线圈结构、等离子体处理设备以及处理方法-CN201911424310.5在审
发明人：赵馗;陈煌琳;庞晓贝;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种等离子体电感线圈结构，电感线圈的第一部分产生的磁场强度大于第二部分产生的磁场强度，从而使得电感线圈形成不对称的磁场，而且至少2个电感线圈包括的第一电感线圈的第一部分在预设平面内的投影与第二电感线圈的第二部分在预设平面内的投影在第一方向上至少部分重叠，以补偿第二电感线圈的第二部分产生的磁场强度的大小，同时第一电感线圈的第二部分在预设平面内的投影与第二电感线圈的第一部分在预设平面内的投影在第一方向上至少部分重叠，以补偿第一电感线圈的第二部分产生的磁场强度的大小，又由于在与第一电感线圈电连接的第一电容和与第二电感线圈电连接的第二电容中，至少有一个电容为可调电容，解决刻蚀不均匀现象。
等离子体电感线圈结构处理设备以及方法

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