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[发明专利]一种旋转式太阳翼光照试验设备及试验方法-CN202211501273.5在审
发明人：刘磊;顾军;申绪男;黄洪昌;王涛;解晓龙;贾石磊;方圆斌;楚月;赖运子;李红帅;刘振东 -专利权人：中电科蓝天科技股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02S50/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种旋转式太阳翼光照试验设备及试验方法，属于航天卫星用太阳翼技术领域，包括发光部和测试部；其特征在于，所述发光部包括位于同一平面上的M个点光源，M为大于1的自然数；所述测试部包括底座和位于底座上方的旋转架；其中：在所述底座的上表面通过旋转构件与旋转架连接，M个点光源安装在所述旋转架上；控制器分别与M个点光源连接；旋转架包括与旋转构件连接的N根支撑杆，相邻支撑杆之间通过横梁连接，所述横梁上设置有滑道，所述点光源通过T型螺栓安装在滑道内。本发明在保障设备轻便易于操作的基础上，实现光照倾角β随太阳翼倾斜角α在0°～90°范围内进行调整。
一种旋转太阳光照试验设备方法

[发明专利]一种柔性太阳电池阵用基板结构及制备方法-CN202210741749.6在审
发明人：申绪男;黄洪昌;张伟;赖运子;顾军;楚月;贾石磊;刘磊;王寅;孙强;刘兴江 -专利权人：中电科能源有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B32B27/28 文献下载
摘要：本发明属于卫星用太阳电池阵技术领域，尤其涉及一种柔性太阳电池阵用基板结构及制备方法，所述柔性太阳电池阵用基板结构包括聚酰亚胺薄膜和聚酰亚胺编织纤维，所述聚酰亚胺薄膜和聚酰亚胺编织纤维粘接在一起。本发明提供一种针对卷轴式柔性太阳翼，可以实现弯曲半径小于80mm的柔性太阳电池阵用基板结构及制备方法。
一种柔性太阳电池阵用基板结制备方法

[发明专利]一种后处理制备梯度带隙钙钛矿薄膜的装置及方法-CN202010689263.3在审
发明人：殷建;张超;魏俊峰;申绪男;冯洋;赖运子;熊元;杨明;杨立 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明属于薄膜制备领域，具体属于后处理制备梯度带隙钙钛矿薄膜的装置及方法。包括加热基板；加热基板上端设有气氛保护罩，气氛保护罩内的加热基板上端连接有两个高度相等且平行的垫块，垫块上方放置有涂覆有薄膜的基底；基底下方的加热基板上设有机卤化胺盐，有机卤化胺盐正对基底带有薄膜的一侧。所述方法包括如下步骤：首先将生长有有机卤化胺盐薄膜的基底放置在垫块上；在加热基板上放置一定量的有机卤化胺盐粉末；盖上气氛保护罩，调节加热台温度并保温，随后自然冷却至室温；得到梯度带隙CH3NH3Pb(Br,I)3钙钛矿薄膜。该发明可实现新型钙钛矿材料单晶及多晶薄膜的梯度带隙制备，实现薄膜中卤素的梯度分布进而形成梯度带隙。
一种处理制备梯度带隙钙钛矿薄膜装置方法

[发明专利]一种热气流刮涂制备钙钛矿薄膜的装置和方法-CN202010686427.7在审
发明人：殷建;张超;魏俊峰;申绪男;冯洋;杨明;赖运子;杨立;闫礼 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B05C9/14 文献下载
摘要：本发明属于薄膜制备领域，具体属于一种热气流刮涂制备钙钛矿薄膜的装置及方法。包括长条形的工作台，工作台顶部设有用于制备薄膜的基底，所述基底上端面设有制备薄膜用的母液；工作台顶端沿长度方向一端设有支撑架，支撑架上连接有能够吹送热风的喷枪，喷枪的出风口以一定角度向下正对所述基底上的母液；所述喷枪与所述基底可沿工作台长度方向相对匀速移动；所述出风口为一字口形状，且一字口的宽度要使热风在基底上的吹扫宽度大于或等于薄膜宽度。该发明主要解决目前钙钛矿材料薄膜制备技术中难以解决的异相析晶问题和对母液的污染和基底要求高的问题，同时简化制备工艺，扩大制膜面积，为纯相的大面积钙钛矿薄膜的产业化制备提供方法和技术支持。
一种气流制备钙钛矿薄膜装置方法

[发明专利]一种用于卷对卷连续制备CIGS的成分在线测试装置-CN201710524641.0在审
发明人： 赖运子;赵岳;申绪男;刘帅奇;乔在祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于卷对卷连续制备CIGS的成分在线测试装置，包括：蒸发腔室和真空腔室；真空腔室内设置有水冷板和卷绕机构，蒸发腔室内的卷绕薄膜出来后进入真空腔室内的卷绕机构；其特征在于：真空腔室内安装有对卷绕薄膜进行在线检测的X射线荧光光谱分析装置装置；X射线荧光光谱分析装置装置包括X光源和X光检测器；X光检测器位于X光的反射光路中，反射光路为X光源发出的光束通过卷绕薄膜后的反射光路；X光源通过放大器与接收终端进行数据交互。本发明能够对卷绕薄膜成分进行实时监控，可及时通过对各蒸发源蒸发功率的改变实现对偏离预想值的各组分进行调整，适用于工业化长时间连续制备CIGS吸收层。
卷绕薄膜反射光路真空腔检测器光谱分析装置在线测试装置卷绕机构连续制备卷对卷室内放大器光束通过接收终端时间连续实时监控室内安装数据交互在线检测真空腔室蒸发功率蒸发腔室水冷板吸收层蒸发腔蒸发源制备偏离

[发明专利]双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池及制备方法-CN201610832713.3有效
发明人：申绪男;赵岳;赖运子;刘帅奇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池及制备方法，包括步骤1、在衬底上制作背电极；具体为通过直流磁控溅射沉积系统在衬底材料上沉积Mo作为背电极，Mo为双层结构；步骤2、在背电极上利用共蒸发铜、铟、镓、硒四种元素的方法制备厚度2微米以上的铜铟镓硒薄膜；步骤3、在铜铟镓硒薄膜上，采用化学水浴沉积的方法制备缓冲层，缓冲层为50nm的硫化镉薄膜；步骤4、在缓冲层上采用射频磁控溅射的方法制备50nm厚的本征氧化锌薄膜；步骤5、在本征氧化锌薄膜上，采用直流磁控溅射方法依次制备掺铝氧化锌薄膜和氧化铟锡薄膜；步骤6、在透明导电膜上，采用低温丝网印刷工艺，制备银上电极，制备温度不高于100℃。
双层导电膜结构铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]一种工业化沉积CIGS太阳电池吸收层的方法及设备-CN201510909678.6有效
发明人：王胜利;赵岳;申绪男;刘帅奇;赖运子;赵彦民;乔在祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种工业化沉积CIGS太阳电池吸收层的方法及设备，蒸发腔室包括作为放卷室的第一腔室，作为工艺室的第二、三、四腔室，和作为收卷室的第五腔室。蒸发室内上部设置有带动衬底行进的放卷器、倒卷滚轴、收卷器、纠偏系统。第二、三、四腔室中安置有衬底加热背板和蒸发源，Se蒸发源为线性源沿衬底幅宽方向，其余蒸发源沿衬底走带方向呈左右两列均匀分布在衬底下方。通过控制Cu、In、Ga、Se及NaF蒸发先后顺序、蒸发速率，最终薄膜经历富Cu生长过程，在较低温度条件下获得了高结晶质量吸收层；因采用具有内置加热装置的线性Se蒸发源，高活性Se分子均匀分布于衬底周围，利于高质量CIGS薄膜的生成。通过该方法制备的CIGS吸收层成分均匀、结晶质量高、电学性能优，适合于CIGS薄膜太阳电池工业化生产。
一种工业化沉积 cigs 太阳电池吸收方法设备

[发明专利]一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法-CN201510430524.9有效
发明人：申绪男;赵岳;王胜利;赖运子;刘帅奇;赵彦民;乔在祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，包括如下步骤步骤一、通过直流磁控溅射沉积系统在柔性衬底上沉积厚度范围为500nm至700nm的Mo作为背电极，其中Mo为双层结构，高阻Mo层的厚度范围为100nm至150nm；在高阻Mo层上再沉积厚度范围为400nm至550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；步骤二、利用电子束蒸发设备，采用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在Mo背电极上蒸发一层12nm厚的锑薄膜；步骤三、在上述锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层；步骤四、在上述铜铟镓硒吸收层上制备铜铟镓硒薄膜太阳电池。
一种低温制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池方法

[发明专利]一种用于制备CIGS太阳电池吸收层的束流蒸发源-CN201511024282.X在审
发明人： 赖运子;赵岳;申绪男;王胜利;刘帅奇;乔在祥;赵彦民 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备CIGS太阳电池吸收层的束流蒸发源，包括：束流源、束流源底盘、上束流源悬挂件、下束流源悬挂件、横向导杆、转动连接片、横向滑动块、纵向导杆、纵向滑动块、以及真空腔室底盘。上述真空腔室底盘位于束流蒸发源的底部，真空腔室底盘上设置有纵向导杆，纵向导杆上设置纵向滑动块，在所述纵向滑动块上安装有横向导杆，横向导杆上设置有横向滑动块，横向滑动块上安装有转动连接片，在转动连接片上安装有下束流源悬挂件，在下束流源悬挂件上安装有上束流源悬挂件，上束流源悬挂件上安装有束流源底盘，束流源底盘上安装有束流源。该用于制备CIGS太阳电池吸收层的束流蒸发源能够实现束流蒸发源角度多方向调整。
一种用于制备 cigs 太阳电池吸收蒸发

[发明专利]一种制备CIGS电池用的硒源裂解整流装置-CN201510897638.4在审
发明人：刘帅奇;赵岳;申绪男;王胜利;赖运子 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备CIGS电池用的硒源裂解整流装置，其特征在于：至少包括：用于置放原料的硒源加热炉，在所述硒源加热炉的下方设置有硒源加热器，硒源加热炉的上方设置有裂解腔室，在所述硒源加热炉和裂解腔室之间设置有密封腔，密封腔的下表面与硒源加热炉的出口导通，密封腔的上表面通过硒蒸汽出口与裂解腔室导通；在所述裂解腔室内设置有裂解加热丝；所述密封腔的上表面设有加料口；在所述裂解腔室的上表面开设有出气口。通过采用上述技术方案，本发明提升了物料分子的活性，提高了物料的反应活性；在卷对卷工艺中，能够使膜成分物料的分布更加均匀；同时该硒源裂解整流装置简单易操作，且更换维修时也简单容易。
一种制备 cigs 电池裂解整流装置

[发明专利]异质结热光伏电池的制备方法-CN201310571638.6在审
发明人：纪伟伟;赵彦民;方亮;潘振;赖运子;乔在祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结热光伏电池的制备方法，制备过程包括：在较窄禁带宽度p-Ge层基区上面依次生长小于500nm厚较宽禁带宽度n-Ga_xIn_yP层发射区、电极接触层、上电极；光刻上电极；腐蚀上电极和电极接触层；制作光学减反射层；基区下面蒸镀下电极。本发明由于采用较宽禁带宽度Ga和In比例能精确调节的n-Ga_xIn_yP层为发射区，采用较窄禁带宽度p-Ge衬底为基区，形成发射区与基区晶格精确匹配的异质结结构，降低Ga_xIn_yP/Ge界面复合，宽带隙发射区减少了发射区对光吸收而增加了基区对光的吸收，从而减小了光生载流子在n型发射区及其表面处复合，提高了光生载流子收集效率，有效提高了电池的光电转换效率。
异质结热光伏电池制备方法

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