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[发明专利]电镀设备-CN202210337391.0在审
发明人：李佳奇;李彪;盛俊威;杨宏超;贾照伟;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C25D21/14 文献下载
摘要：本发明揭示了一种电镀设备，包括：膜架，中心设有通孔；输送支管，从膜架通孔的侧壁延伸到膜架的边缘；电镀液缓冲结构，包括中心帽和稳流套筒；中心帽，固定在膜架的通孔上方且覆盖膜架的通孔，顶部设有多个第一孔；稳流套筒，固定于中心帽下方并插设于膜架的通孔内，其侧壁上开设至少一个第二孔；扩散板，固定于膜架顶部，开设多个第三孔；其中，阴极电镀液通过输送支管进入稳流套筒与膜架通孔的侧壁之间，再通过稳流套筒侧壁上开设的第二孔进入稳流套筒内部，继而通过中心帽的第一孔供应到扩散板并通过第三孔到达基板。本发明能够对流体的流速进行缓冲，有效解决受镀基板的中心与边缘的差异化问题，提高电镀产品的质量。
电镀设备

[发明专利]半导体设备-CN202210340521.6在审
发明人：陆陈华;刁建华;杨宏超;贾照伟;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B05B9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备，包括喷淋装置和多个工作腔体，喷淋装置包括供液管路、增压装置和压力控制装置，供液管路包括主管路和多个支管路，多个支管路包括第一管路和第二管路，主管路连接第一管路的第一端和第二管路的第一端；增压装置设置于主管路，增压装置根据第一预设压力值对通入主管路中的喷淋液加压，加压后的喷淋液分别进入第一管路和第二管路，第一管路的第二端的喷淋液具有第一预设压力值；压力控制装置根据第二预设压力值调节第二管路内的喷淋液压力，使得第二管路的第二端的喷淋液具有第二预设压力值；其中，多个工作腔体连接第一管路的第二端和第二管路的第二端。本发明具有能够同时对不同液压需求的产品进行处理的优点。
半导体设备

[发明专利]半导体设备-CN202210344489.9在审
发明人：王先星;李彪;杨宏超;贾照伟;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B66F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备，包括控制器和升降组件，控制器控制升降组件的运动，半导体设备还包括安全组件，安全组件包括安全检测件和可转动的转动件；安全检测件与控制器通信连接，安全检测件通过检测转动件以向控制器发送安全信号，控制器接收到安全信号后，控制升降组件停止运动。在一个实施例中，升降组件连接半导体设备的工作腔体的上盖，本发明根据安全检测件检测转动件的结果以向控制器发送安全信号，控制器接收到安全信号后，控制升降组件停止运动，从而能够有效阻止工作腔体的上盖异常下降，防止人员受伤。
半导体设备

[发明专利]储液装置及电镀设备-CN202111572890.X在审
发明人：王晖;王坚;于洁;杨宏超;贾照伟 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种储液装置及电镀设备，储液装置包括储液槽本体，储液槽本体包括用于向多个工作腔室供液的多个工作循环排液口以及用于使加热后的溶液通入储液槽本体内的热循环注液口，储液槽本体相对的两侧壁上均设有工作循环排液口，连接两侧壁的一侧壁设有热循环注液口，且热循环注液口靠近该一侧壁的长度的中间位置处，储液装置还包括导流件，导流件设置于储液槽本体内，导流件与热循环注液口连通，从热循环注液口进入的溶液通过导流件通入储液槽本体内，并流向各个工作循环排液口处。本发明具有单个储液装置通入不同工作腔室的溶液的温度和流速趋于相等的优点。
装置电镀设备

[发明专利]清洗电镀装置的方法-CN202111550193.4在审
发明人：李佳奇;王坚;贾照伟;刁建华;杨宏超;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种清洗电镀装置的方法，在清洗电镀装置时，采用分隔板替代离子膜骨架使阴极腔和阳极腔隔离，实现阴极腔和阳极腔的独立清洗，且在电镀腔清洗完成后，采用抽排管将阳极腔及设置在阳极腔侧壁内部的进液通道中的残留清洗液排空，使得清洗电镀腔后无清洗液残留，进而消除了在电镀液配制工序中，清洗液残留对电镀液离子浓度配比的影响。
清洗电镀装置方法

[发明专利]半导体处理设备-CN202111544767.7在审
发明人：王辰;杨宏超;贾照伟;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理设备，涉及半导体设备技术领域。半导体处理设备包括：可视单元，设置于半导体处理设备壳体上，用于观察半导体处理设备内部情况；清除单元，设置于半导体处理设备内部，用于清除所述可视单元位于设备内部一侧上的目标物；驱动单元，与清除单元连接，用于驱动所述清除单元，以清除所述可视单元位于设备内部一侧上的目标物。本发明的半导体处理设备通过设置给可视单元匹配设置清除单元，协同可视单元监控半导体处理过程，便于精准控制处理工艺过程，保证半导体的处理结果达到良率。
半导体处理设备

[发明专利]电镀装置-CN202111529125.X在审
发明人：王晖;王坚;汪若飞;贾照伟;杨宏超 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电镀装置，包括工艺腔室、基板固持装置、第一盖体、第二盖体、供气部和排气部，工艺腔室的内腔盛放有电镀液，并具有开口；基板固持装置用于固持基板，基板固持装置通过开口移进或移出内腔；第一盖体连接基板固持装置，以在基板固持装置移进内腔后封闭开口，使内腔处于封闭状态；第二盖体用于在基板固持装置移出内腔后封闭开口，使内腔再次处于封闭状态；供气部使惰性气体通入内腔，排气部使内腔的空气排出。因此，该电镀装置能够防止电镀液被氧化，维持电镀液的稳定性，延长电镀液的使用寿命，以及能够节约电镀液的成本。
电镀装置

[发明专利]一种电镀腔漏镀预警方法及系统-CN202111529263.8在审
发明人：吴勐;贾照伟;陆陈华;秦岭;操全;杨宏超;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种电镀腔漏镀预警方法及系统，方法包括如下步骤：将电镀完成的晶圆定位在检测位置的工装上；设定晶圆的目标检测区域；操作图像传感器以检测所述晶圆的目标检测区域，判断晶圆的目标检测区域内是否存在不需要的金属沉积物；若判断结果为晶圆的目标检测区域内存在不需要的金属沉积物，表示加工该晶圆的电镀腔内发生漏镀现象，则发出警报指令；若判断结果为晶圆的目标检测区域内不存在不需要的金属沉积物，表示加工该晶圆的电镀腔内未发生漏镀现象，则不发出警报指令。本发明通过利用检测装置自动对晶圆进行漏镀检测，能够代替人工对晶圆的电镀情况进行检查，及时发现晶圆漏镀的问题，并发出警报，便于工作人员对电镀腔进行处理。
一种电镀腔漏镀预警方法系统

[发明专利]衬底清洗方法及清洗装置-CN201680089380.8有效
发明人：王晖;王希;陈福平;陈福发;王坚;张晓燕;金一诺;贾照伟;王俊;李学军 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭示了一种使用超/兆声波装置(1003)清洗衬底且不损伤衬底上的图案化结构的方法，包括：将液体喷射到衬底和超/兆声波装置之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波装置(1003)；在气泡内爆产生微喷射之后且在气泡内爆产生的微喷射损伤衬底上的图案化结构之前，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波装置(1003)；待气泡内的温度冷却到设定温度后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复上述步骤直到衬底被洗净。
衬底清洗方法装置

[发明专利]电镀装置-CN202111073167.7在审
发明人：王坚;王辰;杨宏超;陆陈华;李佳奇;贾照伟;秦岭;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电镀装置，包括工艺腔室、桨叶板和驱动机构，驱动机构用于驱动桨叶板往返运动，使得基板电镀时桨叶板对工艺腔室内的电镀液进行搅拌，电镀装置还包括清洗组件和连接支架，清洗组件用于向电镀后的基板喷洒清洗液；连接支架的一端连接桨叶板，连接支架的另一端连接驱动机构，驱动机构通过连接支架驱动桨叶板往返运动；其中，连接支架开设有镂空区，喷洒至基板上的清洗液穿过镂空区后被收集。因此，本发明具有避免电镀液被稀释的优点。
电镀装置

[发明专利]基板处理方法-CN202111050183.4在审
发明人：吴勐;陆陈华;贾照伟;操全;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板处理方法，包括以下步骤：S1：将已镀有第一金属层的基板从第一电镀腔室向第二电镀腔室进行传输；S2：将基板传输至第二电镀腔室后，在基板的正面形成水膜层；S3：在第一金属层之上电镀第二金属层。本发明通过在电镀腔室内进行电镀前形成水膜层的步骤，具有避免两金属层之间发生分层，解决产品凹陷异常的优点。
处理方法

[发明专利]喷头装置-CN201510621750.5有效
发明人： 贾照伟;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C25F3/30 文献下载
摘要：本发明揭示了一种喷头装置，包括喷头本体，喷头本体由内至外包括内壁和外壁，喷头本体具有出射口，喷头本体还具有电极；分流板，分流板设置于出射口处，分流板上开设有多个通孔。本发明所揭示的喷头装置能够实现半导体工艺中的均匀抛光目的。
喷头装置

[发明专利]非圆形基板的电镀装置及电镀方法-CN202110686111.2在审
发明人：王晖;王坚;贾照伟;王俊;胡瑜璐 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明揭示了非圆形基板的电镀装置，包括中心电极区、周边电极区、电源装置和控制装置。中心电极区的尺寸是非圆形基板的内切圆，中心电极区中设置中心电极。周边电极区围绕中心电极区，周边电极区的外周尺寸是非圆形基板的外切圆，周边电极区中设置紧密排列的点状电极，点状电极填充周边电极区。电源装置为中心电极以及点状电极供电。控制装置连接在电源装置和中心电极以及点状电极之间，控制中心电极以及点状电极的开闭，控制装置跟踪基板的转动位置，使得中心电极区和周边电极区中由基板所覆盖的区域中的电极开启，未被基板所覆盖的区域中的电极关闭，电极跟随基板的转动而开启或关闭。本发明还揭示了非圆形基板的电镀方法。
圆形电镀装置方法

[发明专利]清洗衬底的方法和装置-CN201680089376.1有效
发明人：王晖;王希;陈福平;陈福发;王坚;张晓燕;金一诺;贾照伟;王俊;李学军 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用超/兆声波装置(1003,3003,16062,17072)有效清洗衬底(20010)上的通孔(20034)、槽(20036)或凹进区域的方法，包括：将液体(1032)喷射到衬底(20010)和超/兆声波装置(1003,3003,16062,17072)之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波装置(1003,3003,16062,17072)；在气泡总体积和衬底(20010)上的通孔(20034)、槽(20036)或凹进区域的体积的比值增大到第一设定值后，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波装置(1003,3003,16062,17072)；在气泡总体积和衬底(20010)上的通孔(20034)、槽(20036)或凹进区域的体积的比值减小到第二设定值后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复以上步骤直到衬底(20010)洗净。
清洗衬底方法装置

[发明专利]用于清洗半导体晶圆的方法-CN201780096846.1有效
发明人：王晖;陈福发;陈福平;王坚;王希;张晓燕;金一诺;贾照伟;谢良智;王俊;李学军 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明揭示了一种在清洗具有图案结构特征的半导体晶圆中控制损伤的方法，该方法包括：在清洗过程中输送清洗液到半导体晶圆表面；在该清洗过程中通过声波换能器向清洗液传递声能，其中，以在第一预定时段以第一频率和第一功率水平及在第二预定时段以第二频率和第二功率水平交替向声波换能器供电，第一预定时段和第二预定时段连续的一个接着一个；其中，第一及第二预定时段、第一及第二功率水平以及第一及第二频率中的至少一个被确定使由于传递声波能量而导致的损伤特征的百分比低于预定阈值。
用于清洗半导体方法

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