专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种切割装置及包括该切割装置的多线切割机-CN202311041318.X在审
  • 杨佳葳;龚涛;彭红;郝伟杰;陈珊;贺靖 - 湖南益缘新材料科技有限公司
  • 2023-08-18 - 2023-10-24 - B23D57/00
  • 本发明公开的切割装置包括切割头和主轴系统、四个偏心轴套以及二个轴套,切割头具有框架主体和六个轴孔,主轴系统包括三个罗拉和三组轴承箱组件、锁紧螺杆组件,四个偏心轴套可轴向滑动的安装在四个轴孔中以用于安装三个罗拉中的二个,偏心轴套内安装轴承箱;偏心轴套上设置有支撑臂,框架主体上设有限位机构,限位机构包括至少二个限位卡座和紧固件,在偏心轴套被插入到对应的轴孔后支撑臂与限位卡座能形成限位配合,将偏心轴套沿轴向抽出后转动一个角度再插入,支撑臂与另一个限位卡座配合,就对罗拉转动中心位置完成一次调整,也即调整了线网的宽度。该调整方法简便。此外,本发明还提供了包括该切割机构的多线切割机。
  • 一种切割装置包括切割机
  • [实用新型]一种复合保温外墙位置调节机构-CN202320332982.9有效
  • 黄柱刚;张秀山;汪志;周申竣;贺靖;王俨洁;郭怀诚 - 武汉强华房地产开发有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-09-22 - E04B2/00
  • 本实用新型涉及保温外墙技术领域,公开了一种复合保温外墙位置调节机构,包括基层墙体,所述基层墙体的外侧设置有找平层,所述找平层的外侧设置有保温板,所述保温板的外侧设置有抹面层,所述抹面层的外部设置有饰面层,所述保温板与所述砂浆找平层之间设置有粘连剂,所述保温板的四端均固定连接有连接套,所述连接套上开设有贯穿的内螺纹孔,所述内螺纹孔内螺纹连接有调节套,所述调节套上开设有贯穿的通孔,所述通孔内贯穿插入有锚杆,所述锚杆一侧与所述基层墙体固定连接有,所述锚杆的另一侧螺纹连接有锁紧螺母,此结构旋动连接套中调节套,利用调节套的来调整保温板拼接平整度,进而消除找平不平整影响保温板拼接。
  • 一种复合保温外墙位置调节机构
  • [发明专利]一种莴苣收割机及收割方法-CN202310787350.6在审
  • 谢星;朱国韬;贺靖;廖文豪 - 南通大学
  • 2023-06-29 - 2023-09-01 - A01D45/26
  • 本发明公开了一种莴苣收割机及收割方法,属于农业技术领域。本发明采用的技术方案是机架上沿收割路径依次设有粗去叶结构、切割结构、水平夹持传输结构、精去叶结构、传送收纳系统,从粗去叶结构处理后的莴苣由水平夹持传输结构进行夹持,传送至精去叶结构的下方,精去叶结构上下来回运作,将莴苣的叶子去除的同时,不损伤莴苣表皮,传送过程采用弹性夹取,可以适应莴苣的大小,完成对莴苣粗去叶、切割、夹持传输、精去叶等收割工作,简单机械结构实现对莴苣采收过程的优化,大大提高收割效率,减少劳动者劳动量。
  • 一种莴苣收割机收割方法
  • [发明专利]一种净零碳建筑计算系统及方法-CN202310140686.3在审
  • 徐斌;贺靖;薛晓宁;张磊;李东哲 - 中国建筑设计研究院有限公司
  • 2023-02-14 - 2023-07-28 - G06F17/10
  • 本发明涉及一种净零碳建筑计算系统及方法,包括建筑本体减碳后碳排放计算模块,用于计算在建材生产运输、建筑建造拆改阶段产生的碳排放量;设备系统减碳后碳排放计算模块,用于计算暖电系统运行阶段产生的碳排放量;可替代能源等效碳量计算模块,用于计算将太阳能热水、光伏发电、风力发电系统产生的能源等效转换为获取这些能源需要释放的二氧化碳量;碳汇系统固碳量计算模块,用于计算屋顶、垂直和场地绿化固定二氧化碳量;碳排放量计算分析模块,用于根据前述各个模块的数据和目标建筑使用年限,计算建筑碳排放量;判断结果是否小于或等于0,若是,则为净零碳建筑。考虑了全生命周期碳排放量,降低了对外部能源依赖,满足了建筑设计的要求。
  • 一种净零碳建筑计算系统方法
  • [发明专利]一种用于车库出口人行道的安全一体化零碳排装置-CN202210522116.6有效
  • 薛晓宁;徐斌;贺靖;张玥 - 中国建筑设计研究院有限公司
  • 2022-05-13 - 2023-06-16 - E04H6/42
  • 本发明涉及一种用于车库出口人行道的安全一体化零碳排装置,包括:警示组件,以备至少对所述车库出口处人行道上的行人示警,所述警示组件至少包括第一指示灯和第二指示灯,所述第一指示灯、第二指示灯位于车库出口处人行道附近;以及压力供电组件,所述压力供电组件与所述警示组件连接,以备为所述警示组件提供电能;车库包括第一区域和第二区域,所述第一区域、第二区域位于车辆驶出车库的必经之路上,所述第一区域与车库出口的距离不小于第二区域与车库出口的距离;所述第一区域、第二区域地面铺设有所述压力供电组件,当车辆经过所述第一区域时,所述第一指示灯打开;当车辆经过所述第二区域时,所述第二指示灯打开。
  • 一种用于车库出口人行道安全一体化零碳排装置
  • [发明专利]一种制备大面积β相硒化铟单晶薄膜的方法-CN202010025371.0有效
  • 李含冬;贺靖;尹锡波;徐超凡;李俊烨;姬海宁;牛晓滨;王志明 - 电子科技大学
  • 2020-01-10 - 2023-05-26 - H01L21/02
  • 本发明涉及一种制备大面积β相In2Se3单晶薄膜的方法,包含如下步骤:1)对晶面取向为(111)的硅衬底进行化学清洗及化学腐蚀处理,得到表面洁净的氢钝化硅衬底;2)将制得的硅衬底传入分子束外延系统内并加热至180℃除气至系统真空度优于8×10‑10mbar;3)衬底除气完成后自然冷却至生长温度范围,同时打开In束流源与Se束流源生长合成In2Se3多晶薄膜;4)多晶薄膜生长完成后立即将衬底温度升至300~350℃进行5分钟的后续退火;5)退火完成后立即停止加热,自然冷却至室温,即可制得高质量β相In2Se3单晶薄膜。本发明所述生长β相In2Se3薄膜的方法,利用分子束外延技术结合后续原位退火工艺,能在氢钝化硅衬底上以较低温度制备大面积高质量的β相In2Se3单晶薄膜。
  • 一种制备大面积相硒化铟单晶薄膜方法

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