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[实用新型]一种用于ESD保护的纵向SCR器件-CN202320014896.3有效
发明人： 贺健民;张彪;王康;焦彬 -专利权人：西安迈驰半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于ESD保护的纵向SCR器件，包括设置在背面金属层上的N型硅衬底；所述N型硅衬底上形成有P型外延层，所述P型外延层上设置有N型埋层，所述N型埋层上形成有两端底面与P型外延层相接的N型外延层，所述N型外延层上形成有N型重掺杂区和P型重掺杂区；所述N型重掺杂区位于P型重掺杂区周围，且均与正面金属层的底面相接；所述N型外延层上位于正面金属层周围，形成有介质层；所述N型外延层的两端开设有深入N型硅衬底中的隔离深沟槽。本实用新型在不增加芯片面积的情况下，可极大地提升泄流通路的有效面积，大大提高了SCR器件的ESD能力，且应用范围广。
一种用于 esd 保护纵向 scr 器件

[实用新型]一种DFN1610芯片框架结构-CN202320013726.3有效
发明人：王康;张彪;焦彬;贺健民 -专利权人：西安迈驰半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种DFN1610芯片框架结构，包括DFN1610芯片框架，所述DFN1610芯片框架上设有左侧基岛和右侧基岛；所述左侧基岛上设有第一装片区域，所述第一装片区域朝向右侧基岛的一侧设有左侧基岛打线区域，所述左侧基岛打线区域的形状为等腰梯形；所述右侧基岛上设有第二装片区域，所述第二装片区域朝向左侧基岛的一侧设有右侧基岛打线区域，所述右侧基岛打线区域的形状为凹槽状，其与所述等腰梯形形状契合。本实用新型增加了装片区域面积，使其能够装配较大尺寸芯片，且可同时兼容双芯片对打串联结构及双芯片对打并联结构。
一种 dfn1610 芯片框架结构

[实用新型]一种便于调节触发电压的SCR器件-CN202320013718.9有效
发明人： 贺健民;焦彬;张彪;王康 -专利权人：西安迈驰半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种便于调节触发电压的SCR器件，包括硅衬底，硅衬底上有第一深阱区和第二深阱区，第一深阱区和第二深阱区上有场氧FOX厚SiO2层；第一深阱区上设有第一N型扩散区和第一P型扩散区；第二深阱区上有第二P型扩散区、第二N型扩散区和第三P型扩散区；第一深阱区和第二深阱区相邻接处的场氧FOX厚SiO2层上有N型多晶硅层，和P型多晶硅层；第一N型扩散区、第一P型扩散区和N型多晶硅层与阳极连接；第二N型扩散区和第三P型扩散区与阴极连接。本实用新型通过将触发结构和泄流结构分离，触发电压由二极管的击穿电压决定，浪涌能力由泄流结构决定，两者结构之间互不干扰，触发由二极管进行调节，调节方便。
一种便于调节触发电压 scr 器件