“谢宗桦”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法-CN202110240272.9在审
发明人：林俊成;谢宗桦 -专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明为一种基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，主要提供至少一半导体装置，其中半导体装置包括一基板及至少一半导体磊晶结构的层迭。以一雷射照射半导体装置的一边缘区域，并分离位于边缘区域的基板与半导体磊晶结构。通过一压合装置压迫半导体装置的边缘区域，而后以雷射照射半导体装置的一内部区域，并分离位于内部区域的基板与半导体磊晶结构，其中分离内部区域的基板及半导体磊晶结构时所产生的气体会由边缘区域排出，以防止在分离过程中对半导体磊晶结构造成损伤。
半导体结构雷射分离方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN200710180882.4有效
发明人：郑志兴;罗时朋;陈振松;谢宗桦;赖宏裕 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，包括一真空腔、一上电极、一下电极及一基座。上电极与下电极设置于真空腔内。真空腔具有一底部，而基座设置于真空腔的底部，下电极则设置于基座上。基座与真空腔的底部形成一基座空间，而基座空间内的气流与真空腔的气流实质上隔绝。采用本发明的等离子体处理装置，不但能够减少真空腔中尘埃与副产物飘移至基板的机会，并且还能够减少真空腔中的扰流效应，提升基板蚀刻或沉积的均一性。
等离子体处理装置