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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅半导体元件-CN202211135375.X在审
发明人：颜诚廷;洪湘婷;许甫任 -专利权人：即思创意股份有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种碳化硅半导体元件，具有一主动区以及一在一平面视角上围绕该主动区的终端区。该碳化硅半导体元件包括一碳化硅基板、一漂移层、一绝缘层、一多晶硅层、一设置于该多晶硅层上的层间介电层以及一金属层。该多晶硅层包括一设置在该主动区上方的第一部分以及一设置于该终端区上方的第二部分。该金属层包括一设置在该主动区上方的第一部分以及一设置于该终端区上方的第二部分。该多晶硅层的该第二部分以及该金属层的该第二部分中的至少一个被配置为电连接至一栅极以及一源极中的至少一个。
碳化硅半导体元件

[发明专利]碳化硅半导体元件-CN202211482430.2在审
发明人： 许甫任;颜诚廷;洪湘婷 -专利权人：即思创意股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种碳化硅半导体元件，包括一碳化硅基板、一设置于该基板上的漂移层、复数形成于该漂移层的一表面附近的第一掺杂区、复数形成于该漂移层的该表面附近且位于多个该第一掺杂区之间的第二掺杂区及一设置于该漂移层的该表面上的第一金属层。该第一金属层与该第二掺杂区形成一欧姆接触。该漂移层有一第一掺杂浓度，该第一掺杂浓度有一第一导电类型，且每个该第二掺杂区有一第二掺杂浓度，该第二掺杂浓度有该第一导电类型，该第二掺杂浓度高于该第一掺杂浓度。每个该第一掺杂区有一第一深度，每个该第二掺杂区有一小于该第一深度的第二深度。
碳化硅半导体元件

[发明专利]半导体结构-CN202310149525.0在审
发明人：黄智方;胡家玮;许甫任 -专利权人：黄智方
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明揭露一种半导体结构，包含：肖特基二极管结构，该肖特基二极管结构的第一沟槽延伸通过第一N型半导体层且设置于第一N型半导体层中；第一绝缘层设置于第一沟槽内；至少两个多晶硅层或金属硅化物层设置于第一沟槽内；第一P型保护层接地且设置于第一沟槽底部，且第一P型保护层并接触第一绝缘层与下层的多晶硅层或金属硅化物层的底面；金属层分别作为半导体结构的上表面与下底面，分别形成源极与漏极；金属层覆盖于第一沟槽，并在金属层与第一N型半导体层顶部的交界处具有肖特基结，且电子累积区形成在第一绝缘层外侧；其中，第一P型保护层的底面与第一N型半导体层的交界面具有PN结。
半导体结构

[发明专利]一种整合箝制电压箝位电路的碳化硅半导体组件-CN201911096072.X有效
发明人：颜诚廷;洪建中;许甫任;朱国廷 -专利权人：上海瀚薪科技有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开涉及一种整合箝制电压箝位电路的碳化硅半导体组件。本发明提供一种整合金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)以及双向电压箝的碳化硅半导体组件，通过上述的简单结构以达到保护组件目的，有效避免栅极与源极间的正向过电压及负向过电压可能造成的组件损坏情况发生。
一种整合箝制电压箝位电路碳化硅半导体组件

[发明专利]一种碳化硅功率组件、驱动电路及控制方法-CN202010075092.5在审
发明人： 许甫任;洪建中;朱国廷;李传英 -专利权人：上海瀚薪科技有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请涉及一种碳化硅功率组件、驱动电路及控制方法。一种碳化硅功率组件，受一驱动器控制且具有一栅极至源极电压以及一源极电压，其中，该源极电压根据该栅极至源极电压上升而下降，或该源极电压根据该栅极至源极电压下降而上升，藉此抑制因该栅极至源极电压变化而产生的一突波，从而抑制该碳化硅功率组件的串扰现象。
一种碳化硅功率组件驱动电路控制方法

[发明专利]功率晶体管模块及其控制方法-CN202110075785.9在审
发明人：颜诚廷;许甫任;洪湘婷 -专利权人：即思创意股份有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种功率晶体管模块，包括:一个功率晶体管元件以及一个与功率晶体管元件电性连接的控制电路。控制电路输出至少一个栅极电压以驱动功率晶体管元件，并响应由外部输入或由功率晶体管元件反馈的至少一个信号来调节栅极电压；其中栅极电压大于功率晶体管元件的临界电压，且栅极电压的摆幅与信号呈单调递增或单调递减的函数关系。
功率晶体管模块及其控制方法

[发明专利]一种可调式电压准位的宽能隙半导体元件-CN201610324236.X有效
发明人： 许甫任;洪建中;黄尧峯;颜诚廷;李傳英 -专利权人：上海瀚薪科技有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本发明公开一种可调式电压准位的宽能隙半导体元件，包含有一宽能隙半导体功率单元以及一准位调整单元，该宽能隙半导体功率单元具有一源极端，该准位调整单元与该源极端电性连接，其中，该准位调整单元透过该源极端提供一位移电压而调整该宽能隙半导体功率单元的一驱动电压准位。藉由该准位调整单元对该宽能隙半导体功率单元的该驱动电压准位进行调整，而可做为高压增强型晶体管使用，具有成本降低及切换速度提升的功效。
一种调式电压宽能隙半导体元件

[发明专利]可负压栅极驱动的智能功率模块-CN201710915494.X有效
发明人：洪建中;许甫任;颜诚廷;李传英 -专利权人：瀚薪科技股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明揭示一种可负压栅极驱动的智能功率模块，是将一宽能隙半导体功率单元、一调整单元、以及一驱动单元整合使该驱动单元的一电压准位可通过该调整单元而调整，据此，该宽能隙半导体功率单元在驱动状态下分别具有一正压与负压交替的驱动电压准位。
可负压栅极驱动智能功率模块

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