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[发明专利]一种铪基AlN厚膜及其制备方法-CN202011466320.8在审
发明人：周小伟;岳文凯;李培咸;吴金星;王燕丽;许晟睿;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种铪基AlN厚膜及其制备方法，包括：在铪衬底层的侧面和下表面沉积SiC保护层；对沉积完所述SiC保护层的所述铪衬底层进行超声清洗；对完成超声清洗的所述铪衬底层进行退火得到α晶型铪衬底层；在所述α晶型铪衬底层的上表面低温溅射生长AlN保护层；在所述AlN保护层的上表面生长AlN溅射退火层；在所述AlN溅射退火层上表面生长HVPE‑AlN层。本铪基AlN厚膜的制备方法可极大地减少了前期生长过程中AlN与铪衬底层之间的界面化合反应，使铪衬底层在高温下不与空气中的氧气和氮气反应，具有高长速和低成本的优势。
一种 aln 及其制备方法

[发明专利]大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法-CN202010976152.0在审
发明人：周小伟;岳文凯;吴金星;李培咸;王燕丽;许晟睿;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法，大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法包括：选取大角度斜切蓝宝石衬底、常规蓝宝石衬底；分别在大角度斜切蓝宝石衬底、常规蓝宝石衬底上生长AlN层得到大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层、常规蓝宝石衬底AlN外延层；将大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面与常规蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面贴合，并进行高温退火；在高温退火后的大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层上重复生长AlN层、高温退火处理直到高温退火后的大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层上的AlN层达到预设厚度。本发明通过对生长AlN薄膜后的大角度斜切蓝宝石衬底进行退火处理，以在大角度斜切蓝宝石衬底上制备了高质量的AlN薄膜。
角度斜切蓝宝石衬底 aln 制备发光二极管及其方法