专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光刻工艺方法-CN201810847468.2有效
  • 游信胜;余青芳;王文娟;许庭豪;秦圣基;严涛南 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2018-07-27 - 2022-08-09 - G03F7/20
  • 一种光刻工艺方法,包括:形成一抗蚀剂层于一基板上;执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层;执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层;以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中,第二图案以及第三图案与第一图案相同;以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像(latent image)。
  • 光刻工艺方法
  • [发明专利]掩膜表面化学处理方法及系统-CN200810211878.4无效
  • 苏益辰;许庭豪;秦圣基;李宏仁;谢弘璋;辜耀进 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2008-09-18 - 2009-10-14 - G03F1/00
  • 本发明是有关于一种掩膜表面化学处理方法及系统。该掩膜表面化学处理方法包括以下步骤:在一掩膜上形成一吸收材质层;于形成该吸收材质层后,对该掩膜进行一等离子体处理以减少化学污染物;对该掩膜进行一化学清洗过程;以及对该掩膜进行一气体喷射过程。该掩膜表面化学处理系统包括:一掩膜台用来固定一掩膜,使该掩膜面朝下;一化学分注器,用来提供至少一化学品,以清洗该掩膜;一等离子体模组,用来对该掩膜进行一等离子体处理,以移除污染物;以及一温度控制模组,用来控制该掩膜的温度。本发明具有清洁掩膜以减少掩膜上残留的具有不同化学键结强度的化学残余物的效果。
  • 表面化学处理方法系统

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