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- [发明专利]薄膜的形成方法及其装置-CN94106963.X无效
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见方裕一
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株式会社东芝
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1994-05-10
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1997-08-20
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H01L21/205
- 将多个晶片31装进舟皿32,用加热器21加热反应炉22,使晶片31升温。接着,用送风装置20将空气由送风喷管20a输送到加热器21和反应炉22之间,快速冷却加热器21使晶片31以17℃/分的速度降温,只在晶片31的周边部温度比中央部温度变成低30℃期间由第一、第二气体喷管27、28向反应炉22内供应PH3、SiH4。随后在晶片31周边部和中央部的温差不再是30℃时,停止向反应炉22内供应SiH4、PH3,而在晶片31的表面上形成图中未示出的多晶硅膜。
- 薄膜形成方法及其装置
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