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- [发明专利]抗激光损伤铌酸锂三波段减反射膜的制作方法-CN201310088760.8有效
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马孜;郑环其;姚德武;肖琦
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西南技术物理研究所
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2013-03-20
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2018-01-30
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G02B1/11
- 本发明提出的一种抗激光损伤铌酸锂三波段减反射膜的制作方法,利用本方法,可显著地提高光参量振荡中红外激光器中铌酸锂减反射膜的激光损伤阈值,承受100毫焦量级的1065nm激光,保证激光器稳定工作。本发明通过下述技术方案予以实现以中红外薄膜材料为基础选择薄膜材料,选取ZnS作为高折射率材料,在CaF2、YF3、YbF3中筛选低折射率材料,以1065nm为膜系设计参考波长,在计算机上,设计出三波段减反射膜;使用全自动镀膜机,制作出该镀膜机自动控制用的模板控制文件;根据材料实验结果对石英晶振定标,镀膜机内装入选定的镀膜材料,按选定的模板控制文件自动完成在铌酸锂上制作近、中红外波段具有高的激光损伤阈值的三波段减反射膜减反射膜的制作。
- 激光损伤铌酸锂三波段减反射膜制作方法
- [发明专利]大尺寸稀土掺杂氟化钇钡单晶生长方法-CN201410845260.9有效
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官周国;姚超;罗辉;官周牛;郭春艳
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西南技术物理研究所
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2014-12-31
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2018-01-19
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C30B15/00
- 本发明提供的一种大尺寸稀土掺杂氟化钇钡晶体生长方法,在加热炉内,按质量百分比将{xReF3+(1‑x)YF3}BaF2=21,x=0~100%多晶料置于坩埚中,抽真空,向加热炉内先后通入氩气;用控温仪控制加热功率使之熔化,坩埚内液面与炉内气体流动进行热交换形成轴向温度差,坩埚壁与坩埚中心形成径向温度差,引起熔体的自然对流;再用铂金夹头将BaY2F8籽晶固定于籽晶杆,下降籽晶与熔体接触进行氟化物晶体生长;当氟化物晶体生长到设定尺寸时,开始退火,以20°C/小时的降温速率降温至室温,通过调节转速和加热功率,直至晶体生长结束与熔体脱离,在坩埚内退火,获得大尺寸氟化物晶体。本发明解决了氟化物熔体流动性能差造成晶体生长困难、晶体中气泡多等生长不利因素。
- 尺寸稀土掺杂氟化钇钡单晶生长方法
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