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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磁存储器器件及其制造方法-CN201510459661.5有效
  • 姜信在;朴钟撤;裴丙才;权载奭;申铉受 - 三星电子株式会社
  • 2015-07-30 - 2019-05-07 - H01L43/00
  • 本发明提供了一种制造磁存储器器件的方法和磁存储器器件。所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。
  • 磁存储器器件及其制造方法
  • [发明专利]高密度探针阵列-CN200710085499.0无效
  • 刘东哲;裴丙才;许长垠;林志;任桐贤 - 三星电子株式会社
  • 2007-03-07 - 2007-09-12 - G11B9/14
  • 可以通过以下步骤制造探针阵列：形成布置在牺牲衬底上的探针、在这些探针上形成探针衬底以及去除牺牲衬底。在一个实施例中，可以在牺牲衬底上在行和列的方向上二维地形成第一探针。可以在以行方向布置的第一探针之间形成第二探针，使得该第一和第二探针间的距离小于光刻工艺中的分辨率极限。可以在具有第一探针和第二探针的牺牲衬底上形成探针衬底，并且可以去除该牺牲衬底。
  • 高密度探针阵列
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  • 共 3 条
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