专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种电子病历的内涵质控方法及装置-CN202010518548.0有效
  • 袁理;陈联忠;胡可云 - 北京嘉和海森健康科技有限公司
  • 2020-06-09 - 2023-10-24 - G16H10/60
  • 本申请公开了一种电子病历的内涵质控方法及装置,对电子病历进行信息抽取,得到待处理信息,并获取与电子病历对应的规则。从预设的医学知识图谱中,获取与待处理信息中的医学实体存在语义关联的医学实体。将待处理信息中的医学实体和从医学知识图谱中获得的医学实体作为规则的输入对象,运行规则,得到电子病历的质控结果。可见,与现有技术相比,将从电子病历中抽取得到的待处理信息、以及医学知识图谱中的医学信息作为规则的输入对象,能为规则提供较为全面的检测依据,防止出现上下文内容因症状或者疾病等信息名称不统一而导致不符合规则的情况,提高电子病历中上下文内容检测的准确性和灵活性,从而提高电子病历内涵质控的可靠性。
  • 一种电子病历内涵方法装置
  • [实用新型]一种快速定位装置-CN202320125942.7有效
  • 唐文尧;袁理 - 德阳市建安机械制造有限公司
  • 2023-01-13 - 2023-09-26 - B23Q3/06
  • 本实用新型公开了一种快速定位装置,包括加工壳,所述加工壳底部的四角均固定连接有支撑腿,所述加工壳的前侧活动连接有存灰盒,所述存灰盒的前侧固定连接有把手,所述加工壳顶部的后侧固定连接有打孔机,所述加工壳的顶部开设有通板,所加工壳的左侧固定连接有定位机构,所述定位机构包括电机,所述加工壳内腔的前侧和后侧均固定连接有第一滑杆,所述加工壳内腔底部的两侧均开设有滑槽。本实用新型通过设置加工壳、支撑腿、存灰盒、把手、打孔机、通板、定位机构、第一滑杆、滑槽、定位槽、限位机构、连接槽和通孔的配合使用,解决了现有的工装加工不具备对加工件快速定位以及将零件加工时产生的碎屑收集的问题。
  • 一种快速定位装置
  • [发明专利]一种提高高压变频器散热性能的方法-CN202310534608.1在审
  • 杨代勇;袁理;曾平;王林海;王仕通;康剑波 - 四川省星船城水泥股份有限公司
  • 2023-05-12 - 2023-07-28 - H05K7/20
  • 本发明属于高压变频器生产处理技术领域,具体是指一种提高高压变频器散热性能的方法,包括检测模块、信息处理模块、通信模块、显示模块和散热模块;本发明散热热效率高,基本不需要维护,即便在高压大功率使用条件下,也能够保证散热器的散热性能稳定,极大的保证了高压变频器的工作效率,并且散热方式可靠、灵活;本发明有效解决了高压变频器工作中遇到的散热处理方面的瓶颈问题,具有低成本、低能耗、经济性好的特点,大大延长了高压变频器的使用寿命,能够实现增强高压变频器使用性能以及提高市场竞争力的现实意义,对于高压变频器发展研究具有较高价值,显著促进现代化散热材料业快速发展以及资源可持续发展。
  • 一种提高高压变频器散热性能方法
  • [发明专利]增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法-CN202110995683.9有效
  • 马旺;陈龙;程静云;陈祖尧;王洪朝;袁理 - 聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司
  • 2021-08-27 - 2023-07-28 - H01L29/778
  • 本发明提供一种增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法,该外延自下向上依次包括形成于衬底上的C掺杂c‑GaN高阻层、本征u‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、阻镁扩散层及Mg掺杂p‑GaN帽层;阻镁扩散层包括Mg掺杂p‑AlGaN层,且该Mg掺杂p‑AlGaN层中的Mg以Mg‑H键的形式被充分钝化,以降低Mg的活性,同时Mg掺杂p‑AlGaN层中Mg的掺杂浓度大于所述Mg掺杂p‑GaN帽层中Mg的掺杂浓度。由于将阻镁扩散层结构中Mg掺杂p‑AlGaN层的Mg设置为Mg‑H键的形式使Mg被钝化,可有效降低Mg的活性同时Mg掺杂p‑AlGaN层中Mg的掺杂浓度大于Mg掺杂p‑GaN帽层中Mg的掺杂浓度,两者形成一定的Mg浓度差,可以有效阻断Mg掺杂p‑GaN帽层中的Mg向下扩散,从而有效阻挡和降低Mg掺杂p‑GaN帽层中的Mg扩散至AlGaN势垒层及本征u‑GaN沟道层,提高器件的导通性能。
  • 增强ganhemt器件外延及其制备方法
  • [发明专利]篮球运动辅助机器人-CN202310490713.X在审
  • 王昕;袁理 - 吉林大学
  • 2023-05-04 - 2023-07-18 - A63B47/02
  • 本发明涉及一种篮球运动辅助机器人,属于体育器材设备技术领域。包括支撑系统、移动系统、拾球系统、运输储存系统和传球系统,优点是结构新颖,采用曲柄摇杆机构实现篮球的拾取和运输,使用杠杆原理在底盘和储球仓之间传递篮球,并利用篮球的重力实现机构的自动分隔篮球,大大提高了机器人的工作精度和工作效率;相比于运动员单独进行篮球投篮训练和人工辅助训练,拥有更高的篮球拾取效率和更低的应用成本,并且拥有良好的重复性,携带便利,无需安装便可在不同球场进行训练,操作简单,功能齐全,智能化程度高,发展和改良空间巨大,可以有效地代替人工辅助训练。
  • 篮球运动辅助机器人
  • [发明专利]一种体格检查信息抽取方法、装置、设备及存储介质-CN202310270501.0在审
  • 袁理;陈联忠;胡可云 - 北京嘉和海森健康科技有限公司
  • 2023-03-16 - 2023-07-04 - G16H10/60
  • 本申请公开了一种体格检查信息抽取方法、装置、设备及存储介质。该方法包括:接收目标用户的体格检查信息文本,将体格检查信息文本按照预设分句规则进行分句得到目标短句,根据第一预设归类规则确定目标短句对应的第一类别,根据第二预设归类规则确定目标短句对应的第二类别,根据第二类别确定目标短句的目标类别,根据目标类别对目标短句进行信息抽取得到关键信息,根据第一类别和关键信息生成目标用户的结构化信息数据。其中,通过将体格检查信息文本进行分句,避免由于体格检查信息文本过长导致的信息提取不准确,通过三次归类确定目标类别避免体格检查信息文本过于冗杂导致的提取关键信息不准确的问题,提高了关键信息提取的准确性和简洁度。
  • 一种体格检查信息抽取方法装置设备存储介质
  • [发明专利]一种防盗方法及相关装置-CN202210452272.X有效
  • 袁理 - 松灵机器人(深圳)有限公司
  • 2022-04-27 - 2023-07-04 - G08B13/196
  • 本申请实施例提供了一种防盗方法及相关装置,应用于服务器,包括:获取割草机器人发送的人脸图像,其中,所述人脸图像由所述割草机器人在检测到自身与地面的距离大于第一预设阈值且发生预设位移时,通过第一摄像头基于第一目标人员所在的方位拍摄得到,所述第一目标人员为所述割草机器人中传感器的检测范围内最靠近所述割草机器人的人员;对所述人脸图像进行人脸识别,得到人脸识别结果;根据所述识别结果生成第一指示消息,所述第一指示消息用于指示所述割草机器人进行防盗处理;向所述割草机器人发送所述第一指示消息。这样,实现了对割草机器人的防盗处理,降低了割草机器人被盗风险。
  • 一种防盗方法相关装置
  • [发明专利]透镜系统-CN202111514959.3有效
  • 罗先刚;袁理;孔维杰;刘玲;刘凯鹏;高平 - 中国科学院光电技术研究所
  • 2021-12-10 - 2023-06-13 - G02B27/28
  • 本发明提供一种透镜系统,涉及光学测量仪器技术领域。该透镜系统设置于椭偏仪上,包括:会聚镜组和恢复镜组,其中,椭偏仪具有发射测量臂和接收测量臂,会聚镜组设置于发射测量臂的输出光路上,恢复镜组设置于接收测量臂的输入光路上;发射测量臂用于产生入射平行光束,会聚镜组用于将入射平行光束会聚,会聚后的光束经过被测样品反射后形成发散光束,恢复镜组用于将发散光束恢复为出射平行光束,接收测量臂用于接收出射平行光束。本发明可在300nm~700nm光谱范围内、在±1.8度视场范围内,将椭偏仪测量光束的直径减小到0.015mm~0.05mm,从而提高测量分辨率。
  • 透镜系统
  • [发明专利]GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法-CN202110995703.2有效
  • 马旺;陈龙;程静云;陈祖尧;王洪朝;袁理 - 聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司
  • 2021-08-27 - 2023-05-12 - H01L29/778
  • 本发明提供一种GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法。外延结构自下向上依次包括形成于衬底上的:C掺杂c‑GaN高阻层、扩散阻挡层、本征u‑GaN沟道层及AlGaN势垒层;扩散阻挡层为由至少一层Si3N4层、至少一层AlN层及至少一层GaN层构成的群组中的至少两层形成的叠层结构,且该叠层结构包括至少一层Si3N4层,同时包括至少一层AlN层或GaN层;或为由叠层结构周期性交替组成的超晶格结构。Si3N4层具有极佳的遮蔽能力,能够有效地遮蔽杂质原子的扩散,因此可以有效阻挡C掺杂c‑GaN高阻层中的C原子扩散至本征u‑GaN沟道层中;再设置AlN层及GaN层,为扩散阻挡层的生长提供生长过渡的作用,从而使扩散阻挡层在起到遮蔽作用的同时,还可实现更好的晶体生长质量。
  • ganhemt器件外延结构及其制备方法
  • [发明专利]一种料斗-CN201711271604.X有效
  • 杨恒;胡建华;朱立山;石柱;杨晓;周杜;徐旺;杨新湘;袁理;杨李 - 湖南路桥建设集团有限责任公司
  • 2017-12-05 - 2023-05-02 - B65D88/28
  • 本发明涉及料斗领域并公开了一种料斗,该料斗包括底部设置有卸料口的斗本体、铰接在卸料口通过旋转打开及关闭卸料口的卸料门以及将卸料门栓锁和解锁的门栓锁机构,所述门栓锁机构包括设置在所述卸料门上的栓锁柱以及铰接在所述料斗本体上与所述栓锁柱配合的栓锁件,栓锁件的一端设置有栓锁钩,栓锁件的另一端为操作端,通过操作操作端,栓锁件能够在栓锁位置和解锁位置之间旋转,在栓锁位置,栓锁钩钩住栓锁柱,防止卸料门旋转;在解锁位置,栓锁钩与栓锁柱脱钩,使得卸料门能够通过旋转而打开卸料口。本发明的料斗具有更高效率。
  • 一种料斗

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