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[发明专利]接合材料及使用该接合材料的接合方法-CN201780060535.X有效
发明人：远藤圭一;金杉实奈美;藤本英幸;栗田哲 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明提供容易印刷至铜基板等金属基板且将Si芯片接合至金属基板时不经预烧成也能防止在金属接合层内或金属接合层与Si芯片或铜基板的界面产生空隙而良好地接合的接合材料以及使用了该接合材料的接合方法。由包含金属粒子、溶剂和分散剂的金属糊料构成的接合材料中，金属粒子由平均一次粒径1～40nm的第1金属粒子(小粒子)、平均一次粒径41～110nm的第2金属粒子(中粒子)和平均一次粒径120nm～10μm的第3金属粒子(大粒子)构成，相对于金属粒子的合计100质量％，第1金属粒子的比例为1.4～49质量％，第2金属粒子的比例在36质量％以下，第3金属粒子的比例为50～95质量％，第1金属粒子的质量相对于第2金属粒子的质量之比在14/36以上。
接合材料使用方法

[发明专利]接合材料及使用该接合材料的接合体-CN201880023053.1在审
发明人：堀达朗;远藤圭一;藤本英幸;栗田哲 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： B22F7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种可通过即使反复经历冷热循环也不易产生很大裂纹的银接合层将电子元器件与基板接合的接合材料，以及使用该接合材料将电子元器件与基板接合的接合体。其是隔着包含银烧结体的银接合层将作为电子元器件的(接合面镀银的)SiC芯片等半导体芯片与铜基板接合的接合体，其特征是，银接合层的剪切强度为60MPa以上，且该银接合层的(111)面的微晶粒径为78nm以下。
接合层电子元器件基板接合接合材料接合体半导体芯片冷热循环微晶粒径接合大裂纹接合面烧结体铜基板镀银芯片

[发明专利]接合材料及使用其的接合方法-CN201780079148.0在审
发明人： 藤本英幸;远藤圭一;堀达朗;栗田哲 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种分配性和接合性均良好的接合材料及使用其的接合方法。本发明提供一种接合材料及使用其的接合方法，该接合材料含有平均一次粒径为130nm以下的银微粒、以及将银微粒间桥接且保持所述银微粒彼此的间隔的桥接型颗粒间距保持剂。
接合材料接合银微粒桥接平均一次粒径间距保持分配性接合性

[发明专利]银-铋粉末、导电性糊剂及导电膜-CN201480023351.2有效
发明人：尾木孝造;井上健一;江原厚志;浅野彰宏;藤本英幸;山田雄大 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：提供一种银‑铋粉末，含有银和铋，所述银和所述铋的质量比(银：铋)为95:5～40:60，通过激光衍射式粒度分布测量法所测定的，以体积为基准的粒度分布中累计50％的粒径(D50)为0.1μm～10μm，含氧量为5.5质量％以下。
铋粉末激光衍射式粒度导电性糊剂分布测量粒度分布含氧量导电膜质量比粒径