专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果4个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]静磁波器件-CN97113615.7无效
  • 下方斡生;藤野优;藤井高志;鹰木洋 - 株式会社村田制作所
  • 1997-06-10 - 2004-05-19 - H01P1/215
  • 本发明提供一种静磁波器件,它即使用厚度较小的磁性石榴石薄膜R,A:YIG制造也可以正常工作并且具有较宽的频带。La,Bi,Gd和Lu是化学式(Y1-rRr)3(Fe1-aAa)5O12表示的静磁波器件材料中替换R的合适元素而Al,Ga,In和Sc是替换A的合适元素,r和a的范围分别为0≤r≤1和0≤a≤1;并且r和a不能同时为零。而且所述磁性石榴石薄膜的晶体结构为超晶格。
  • 静磁波器件
  • [发明专利]单晶生长方法-CN98105477.3无效
  • 关岛雄德;藤井高志;胁野喜久男;冈田正胜 - 株式会社村田制作所
  • 1998-03-12 - 2004-02-25 - C30B13/00
  • 本发明提供一种能稳定生长熔融时固液成分不同的化合物的单晶并能控制其生长取向的单晶生长方法。该方法包括如下步骤:将多晶和单晶固定在加热炉中;使多晶与晶种接合;在与晶种接合的相反一端加热多晶,形成熔融区;将熔融区移动到与晶种接合的一端,使熔融区与晶种接触,让其接种;通过将与晶种接触并已接种的熔融区从多晶与晶种接合的一端移动到另一端来生长单晶。
  • 生长方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top