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[发明专利]MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法-CN202310954945.6在审
发明人： 薛维佳;王兴阳 -专利权人：莱斯能特（苏州）科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法，方法包括：在基底的正、背面分别设置氮化硅层；在基底正面的氮化硅层上形成硅支撑层；在硅支撑层正面的指定区域形成槽阵列；利用热氧化法对槽阵列进行氧化填充，使指定区域全部热氧化形成氧化硅层；在氧化硅层上溅射金属层，形成上下游桥电阻和发热电阻；在硅支撑层正面的非指定区域溅射金属层，形成环境电阻，非指定区域位于指定区域的两侧；在金属层上沉积钝化保护层；将基底背面的氮化硅层的中间区域进行光刻及刻蚀，对基底从其背面进行腐蚀，腐蚀自停止于基底正面的氮化硅层的底部，从而形成悬空膜结构。本发明通过优化控制膜区厚度提高了机械强度，防止膜区变形或破裂。
mems 热膜式流量传感器芯片及其制备方法

[发明专利]压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法-CN202310378463.0在审
发明人： 薛维佳;王兴阳;王辉 -专利权人：莱斯能特（苏州）科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法，属于MEMS传感器领域。该方法中，在硅衬底处形成凹槽结构，凹槽结构在后续硅衬底与顶层硅片键合下形成真空腔体，顶层硅片处形成压阻结构，对压阻结构曝光时，通过微孔阵列定位硅衬底上的零层对准标记，这样在不使用双面光刻工艺的情况下，能够通过一次曝光工艺实现顶硅层片的压阻结构与硅衬底的真空腔体的精确对准，避免多次双面光刻工艺后給上下两层图形对准带来偏移误差的问题。
压阻式 mems 绝对压力传感器及其制造方法

[发明专利]一种MEMS压力传感器封装结构与压力传感器-CN202310111720.4在审
发明人：王辉;薛维佳 -专利权人：莱斯能特（苏州）科技有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种MEMS压力传感器封装结构，属于MEMS传感器领域。该结构设计中实现了MEMS芯片、MEMS时钟芯片、信号调理芯片的多芯片封装，在同一管壳内完成MEMS封装，压缩器件体积，实现了高度集成，从而极大地降低了产品成本，扩大产品使用范围；且缩短引线距离，可有效提高信号质量和降低外界干扰带来的影响。
一种 mems 压力传感器封装结构

[发明专利]一种绝对压力传感器封装结构-CN202211231979.4在审
发明人：王辉;卢友林;薛维佳 -专利权人：无锡莱斯能特科技有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01L19/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝对压力传感器封装结构，属于微电子机械系统领域。该结构包括封装基座、粘结材料、转接件和绝对压力传感器芯片，其中，通过转接件改变以往封装中惯用的封装基座开孔的方式，正面导入环境压力，使得压力传感器封装基座不开孔，可有效实现传感器芯片的应力隔离和电气隔离，从而使压力传感器达到更为优良的输出性能，并使压力传感器产品的稳定性得到更好的提升；此外，选用低应力粘结材料，在实现大压力承载的同时，减少封装材料导致的应力影响，有效降低传感器信号偏移。
一种绝对压力传感器封装结构

[发明专利]一种微流量传感器的设计与制造方法-CN202210312884.9在审
发明人： 薛维佳;王辉;卢友林 -专利权人：无锡莱斯能特科技有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01F1/684 文献下载
摘要：本发明公开了一种微流量传感器的设计与制造方法。其核心是热式微流量传感器的加热与测温元件的薄膜材料选择，以及传感器隔热腔体的制作。加热与测温元件的薄膜材料选用锑化铟薄膜材料替代传统的铂电阻材料，其相对传统铂材料制作的传感器具有更高的检测灵敏度和更低的制作成本，因此非常适用于微小流量的检测。
一种流量传感器设计制造方法

[发明专利]一种热电堆传感器的制造方法-CN202110841789.3在审
发明人： 薛维佳;王辉;卢友林 -专利权人：无锡莱斯能特科技有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造热电堆传感器的工艺方法，包括在基底的正面利用刻蚀法形成用于制作空腔的槽，并在槽的底部形成孔，槽的深度决定了密封空腔深度，利用硼磷硅玻璃填充槽，并且在硼磷硅玻璃表面形成一层特殊薄膜层，然后在平坦化后的表面制作支撑层，通过高温退火工艺让特殊膜层与支撑层之间形成空隙并分离，同时高温退火使硼磷硅玻璃具有流动性，用于填充槽底部的孔，使得硼磷硅玻璃整体向下流动，从而在支撑层下方形成具有一定深度的密封空腔体。最后在支撑层上完成两种热电偶材料、介质层、金属层和钝化层的图形化。相比传统密封腔体制作工艺，本发明所述技术方案形成的腔体深度范围选择更广，且制作工艺简单，成本较低，设备能力要求也较低。
一种热电传感器制造方法

[发明专利]一种流量传感器的制造方法-CN202110841185.9在审
发明人： 薛维佳;王辉;卢友林 -专利权人：无锡莱斯能特科技有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造流量传感器的方法，包括在硅片正面利用光刻和刻蚀以及氧化工艺形成下层腔体结构层，然后在下层腔体结构层上依次形成下层支撑层、上层腔体结构层、上层支撑层，与此同时利用光刻和刻蚀以及填充工艺形成侧向腐蚀阻挡层。然后在上层支撑层上制作热电阻层图形、钝化层图形和释放孔图形，最后利用湿法腐蚀工艺对上层腔体结构层和下层腔体结构层进行结构释放，形成上下层双层隔热腔体。应用本发明所述的技术方案制造的流量传感器具有良好的隔热性能和机械强度。
一种流量传感器制造方法

[发明专利]沟槽IGBT和其制作方法-CN201910395360.9在审
发明人：高东岳;薛维佳;蔡文伟 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽IGBT和其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：在半导体衬底的上表面注入p型杂质离子；对半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽；进行牺牲氧化，再进行栅氧化以在半导体衬底的上表面形成第一氧化层和在沟槽中形成栅氧化层；p型杂质离子在牺牲氧化和栅氧化的过程中的温度的作用下向半导体衬底的内部扩散以形成p型体区；在沟槽中淀积多晶硅。本发明在沟槽IGBT的制作过程中，将p型体区注入步骤移到沟槽形成之前，利用沟槽牺牲氧化和栅氧化的热过程推进以形成p型体区，使得半导体衬底的翘曲程度大大降低。
沟槽 igbt 制作方法

[发明专利]MEMS器件的制造方法-CN201510694882.0有效
发明人： 薛维佳;陈倩;袁霞 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS器件的制造方法。该制造方法包括：在SOI片或载体裸硅片的表面喷涂临时键合后解键合时所需的释放层；于SOI片或载体裸硅片上旋涂临时键合时所需的黏胶层；将SOI片和载体裸硅片临时键合在一起并固化；在键合片的载体裸硅片的表面旋涂抗碱腐蚀的胶层；对SOI片的底层硅基体进行腐蚀，以将基底部分腐蚀去除；去除抗碱胶层并清洗键合片；腐蚀去除埋氧层；将键合片器件层一面粘贴于UV膜上；将键合片解键合以移除载体裸硅片；清洗器件层，去除解键合后残留于器件层表面的释放层，以得到器件。本发明的制造方法，能够生产制造10um甚至以下厚度的超薄器件，同时保持极佳的厚度均匀性，制造精度高且便于量产。
mems 器件制造方法

[实用新型]一种防止误操作的闸刀-CN201520916015.2有效
发明人：许伟;黄佳呈;王迪;岳建房;薛维佳;张文彪 -专利权人：许伟;黄佳呈;王迪;岳建房;薛维佳;张文彪
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01H21/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止误操作的闸刀，包括闸刀座、连接在闸刀座上的进线接线座和出线接线座以及用于电气连通进线接线座和出线接线座的闸刀片，所述闸刀片一端与出线接线座铰接，所述闸刀座上设置有与闸刀片数量相同的支撑片，每个支撑片与各闸刀片相对设置，所述闸刀座上设置有用于容纳支撑片的凹腔，所述闸刀座中横向贯穿有用于带动支撑片转动的转轴，所述转轴与闸刀座转动连接，每个支撑片的一端均与转轴固定，所述转轴的一端连接有把手，所述闸刀片朝向支撑片一侧设置有用于与支撑片配合卡接的凹槽，本实用新型能够避免误操作而接通电源现象的发生，从而能够保证工作人员的人身安全。
一种防止操作闸刀

[发明专利]复合腔体及其形成方法-CN201410172235.9有效
发明人：徐元俊;颜毅林;薛维佳 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。
复合及其形成方法

[发明专利]埋层腔体型SOI的制造方法-CN201310379990.X无效
发明人：徐元俊;薛维佳 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种埋层腔体型SOI的制造方法，包括：提供形成有腔体图形的半导体衬底；提供包含有顶层硅的SOI硅片；将所述具有顶层硅的SOI硅片表面与所述形成有腔体图形的半导体衬底表面进行硅硅键合；分别刻蚀掉SOI硅片中除顶层硅外的其他材料。本发明通过将SOI硅片与半导体衬底进行键合，再刻蚀掉SOI硅片上除顶层硅外的其他材料，不仅扩大了腔体的尺寸范围，使腔体的尺寸不受顶层硅厚度的影响，同时缩小了顶层硅可以达到的最小厚度，并且避免制造较大面积腔体时顶层硅破损或脱落的问题，提高了后续工艺的可靠性及产品的质量。
埋层腔体型 soi 制造方法

[发明专利]采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法-CN201210384637.6无效
发明人： 薛维佳;席韡;陈晨;王林军;闵嘉华;史伟民 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法。本方法在基底的正面利用反应离子刻蚀法形成用于制作空腔的槽，槽的深度决定了空腔上方基底的厚度，然后在基底的表面和槽的侧壁与底部淀积阻挡层，选择性的去除基底的表面和槽底部的阻挡层，在槽的侧壁形成侧壁保护层，以侧壁保护层为掩模，继续刻蚀槽，形成深槽。采用湿法腐蚀法腐蚀深槽，在基底的内部形成腔体；然后于正面特定区域内制造含金属的加热装置和测温装置，随后沉积保护层。如此可以高效率低成本的获得加热装置和测温装置所处特定区域下方厚度可控的硅基底腔体。
采用正面腐蚀方式制造流量传感器方法

[发明专利]半导体多级台阶结构的制作方法-CN201210132337.9无效
发明人： 薛维佳;陈健;张挺 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体多级台阶结构的制作方法，包括：提供基底；在所述基底上形成阻挡层；图案化所述阻挡层；以图案化的阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一级台阶面和阶梯顶面；去除图案化的阻挡层；形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第一级台阶面及阶梯顶面；以所述第一保护层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一级台阶及第二级台阶；去除所述第一保护层。通过该制作方法，能够简单、可靠地形成半导体多级台阶结构，从而实现MEMS技术应用到光学领域。
半导体多级台阶结构制作方法

[发明专利]悬空半导体薄膜结构及传感器单元的制造方法-CN201210101985.8无效
发明人：张挺;薛维佳 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种悬空半导体薄膜结构及传感器单元的制造方法，通过对半导体基底的正面执行P型掺杂工艺，形成第一掺杂层，利用第一掺杂层对于腐蚀液，即对于背面腐蚀工艺具有自停止的阻挡作用，使得半导体薄膜结构(悬空基底)的厚度通过掺杂深度精确控制，从而可降低对于腐蚀时间精确控制的依赖，即降低了工艺难度，提高了工艺精确度。
悬空半导体薄膜结构传感器单元制造方法

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