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[发明专利]MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法-CN202310954945.6在审
发明人：薛维佳;王兴阳 -专利权人： 莱斯能特（苏州）科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法，方法包括：在基底的正、背面分别设置氮化硅层；在基底正面的氮化硅层上形成硅支撑层；在硅支撑层正面的指定区域形成槽阵列；利用热氧化法对槽阵列进行氧化填充，使指定区域全部热氧化形成氧化硅层；在氧化硅层上溅射金属层，形成上下游桥电阻和发热电阻；在硅支撑层正面的非指定区域溅射金属层，形成环境电阻，非指定区域位于指定区域的两侧；在金属层上沉积钝化保护层；将基底背面的氮化硅层的中间区域进行光刻及刻蚀，对基底从其背面进行腐蚀，腐蚀自停止于基底正面的氮化硅层的底部，从而形成悬空膜结构。本发明通过优化控制膜区厚度提高了机械强度，防止膜区变形或破裂。
mems 热膜式流量传感器芯片及其制备方法

[发明专利]压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法-CN202310378463.0在审
发明人：薛维佳;王兴阳;王辉 -专利权人： 莱斯能特（苏州）科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法，属于MEMS传感器领域。该方法中，在硅衬底处形成凹槽结构，凹槽结构在后续硅衬底与顶层硅片键合下形成真空腔体，顶层硅片处形成压阻结构，对压阻结构曝光时，通过微孔阵列定位硅衬底上的零层对准标记，这样在不使用双面光刻工艺的情况下，能够通过一次曝光工艺实现顶硅层片的压阻结构与硅衬底的真空腔体的精确对准，避免多次双面光刻工艺后給上下两层图形对准带来偏移误差的问题。
压阻式 mems 绝对压力传感器及其制造方法

[发明专利]一种MEMS压力传感器封装结构与压力传感器-CN202310111720.4在审
发明人：王辉;薛维佳 -专利权人： 莱斯能特（苏州）科技有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种MEMS压力传感器封装结构，属于MEMS传感器领域。该结构设计中实现了MEMS芯片、MEMS时钟芯片、信号调理芯片的多芯片封装，在同一管壳内完成MEMS封装，压缩器件体积，实现了高度集成，从而极大地降低了产品成本，扩大产品使用范围；且缩短引线距离，可有效提高信号质量和降低外界干扰带来的影响。
一种 mems 压力传感器封装结构