专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种便于嵌入安装的高保真扬声器-CN202021490063.7有效
  • 薛建忠 - 广州联汇声光科技有限公司
  • 2020-07-25 - 2021-04-06 - H04R9/06
  • 本实用新型公开了一种便于嵌入安装的高保真扬声器,包括扬声器基体,安装座顶端与底端均开设有安装槽,安装槽内部一端通过转轴安装有转动板,转动板一端焊接于弹簧一端,弹簧另一端焊接于安装槽一端,转动板一端铰接有旋转板,旋转板一端活动安装有滑动杆,滑动杆一端通过螺钉安装有推动板,安装座两端分别对应两个推动板位置处均开设有滑槽,安装面板内部两端对应两个转动板处开设有卡槽,与现有技术相比,本实用新型的有益效果,便于工作人员安装和拆卸扬声器基体,无需工作人员携带工具,降低工作人员劳动强度,减少安装和拆卸的时间,从而可以提高工作人员的工作效率,同时也便于工作人员使用。
  • 一种便于嵌入安装高保真扬声器
  • [实用新型]拆卸装置-CN202020185810.X有效
  • 薛建忠;裴建伟 - 宁夏中化锂电池材料有限公司
  • 2020-02-19 - 2020-10-20 - B25B27/00
  • 本实用新型提供了一种拆卸装置。拆卸装置用于拆卸辊道窑中的辊棒,拆卸装置包括:夹钳,包括握持部和与握持部连接的夹取部,夹取部的内表面用于与辊棒的外周面相适配;夹取部具有夹持空间和用于供辊棒进入夹持空间的开口;握持部可运动地设置,以使夹取部打开或闭合,以通过操作握持部使夹取部夹持在辊棒上或与辊棒脱离;支撑件,包括操作杆和与操作杆连接的承载部,承载部具有用于承载辊棒的承载槽,以通过夹钳将辊棒夹持并转移至承载部上。应用本实用新型的技术方案,可以解决现有技术中的辊道窑中的辊棒难以从辊道窑中拆出的问题。
  • 拆卸装置
  • [实用新型]轻质墙板全自动挤压成型生产线的钢筋送料系统-CN201922006283.1有效
  • 于海滨;刘振宙;陈延甫;刘天凯;薛建忠 - 德州海天机电科技有限公司
  • 2019-11-20 - 2020-09-08 - B21F1/02
  • 轻质墙板全自动挤压成型生产线的钢筋送料系统,由若干组钢筋校直机构、若干组折弯输送机构、折弯动力减速机、若干导向架和若干导向管组成,每组钢筋校直机构包括固定支架、上压轮、支撑轮、X轴校直支架和Y轴校直支架,折弯的钢筋进入导向架内,导向管置于导向架后方成型机的成型腔内。本实用新型钢筋折弯输送机构采用齿轮结构,可以将钢筋连续均匀的折弯,并且还可以向前输送,折弯输送机构借助折弯装置提供的拉力,就可以使钢筋在校直轮之间通过被校直,多个压紧轮可以高效的将钢筋校直,椭圆型导管能保证折弯后的钢筋顺利的进入到主机的成型腔内,保持折弯是竖直方向的进入,有效减小了进入到成型腔导管的截面积,以免影响成型效果。
  • 轻质墙板全自动挤压成型生产线钢筋系统
  • [发明专利]类超晶格锌锑-锑硒纳米相变薄膜及其制备和应用-CN202010175608.3在审
  • 吴卫华;朱小芹;薛建忠 - 江苏理工学院
  • 2020-03-13 - 2020-06-12 - H01L45/00
  • 本发明公开一种类超晶格结构ZnSb/SbSe相变存储薄膜及其制备和应用,该相变存储薄膜的总厚度为40‑60 nm,结构通式为[ZnSb(a)/SbSe(b)]n,其中,a和b分别表示单个周期中ZnSb薄膜和SbSe薄膜的厚度,且1a25 nm,1b25 nm,n为类超晶格结构相变薄膜的总周期数,且1n25。本发明通过磁控溅射的方法将结晶温度高的ZnSb和相变速度快的SbSe相变材料进行交替溅射构造出类超晶格结构,优势互补后获得的相变存储薄膜兼有热稳定性高和相变速度快的特性,其相变性能可以通过调整ZnSb和SbSe的厚度比、周期数等结构参数进行调控。
  • 晶格纳米相变薄膜及其制备应用
  • [发明专利]Zn15-CN202010175122.X在审
  • 吴卫华;朱小芹;眭永兴;薛建忠;袁丽;郑龙 - 江苏理工学院
  • 2020-03-13 - 2020-06-12 - H01L45/00
  • 本发明公开一种Zn15Sb85/Zn50Sb50纳米复合多层相变薄膜及其制备方法,薄膜总厚度为40‑60 nm,结构通式为[Zn15Sb85(a)/Zn50Sb50(b)]n,其中a和b分别表示单个周期中Zn15Sb85薄膜和Zn50Sb50薄膜的厚度,且1a25 nm,1b25 nm,n为纳米复合多层结构相变薄膜的总周期数,且1n25。本发明采用磁控溅射的方法在纳米尺度以多层复合的方式构成该薄膜材料,将Zn15Sb85和Zn50Sb50两者的优势进行互补,并通过调控多层相变存储薄膜的总厚度、界面数和厚度比等结构参数调节薄膜的相变性能,制备出的复合薄膜具有快相变速度和高热稳定性。
  • znbasesub15

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