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[发明专利]切割装置-CN202111070020.2在审
发明人：曾柏章;蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本申请提供一种切割装置，涉及半导体技术领域，用于解决手动切割研磨垫本体存在效率低的技术问题，该切割装置包括底座、第一驱动件以及刀具架，刀具架通过调节组件安装在所述底座上，调节组件用于调整所述刀具架与底座的相对位置，其中，刀具架包括支架以及间隔设置在支架上的至少两个刀具；第一驱动件的输出轴与支架连接，第一驱动件驱动支架绕所述输出轴的轴向旋转，以切割研磨垫本体。本申请通过第一驱动件驱动刀具进行旋转，切割研磨垫本体，以得到所需的研磨垫，与相关技术中，手动切割研磨垫本体的技术方案相比，可以提高切割效率和降低误伤操作人员的风险。
切割装置

[发明专利]检测装置、方法及抛光设备-CN202110960892.X在审
发明人：曾柏章;蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种检测装置、方法及抛光设备，所述装置包括信号发射单元及检测单元，信号发射单元设置于抛光垫的第一侧，用于向所述抛光垫的与所述第一侧相对的第二侧发射与所述抛光垫的工作表面平行的目标信号，其中，所述目标信号与所述工作表面的距离为预设值；检测单元设置于所述抛光垫的所述第二侧，用于接收所述目标信号，以根据所述目标信号生成检测信号。本申请能够有效避免出现人工检查因不同检查者的工作态度与检查标准差异较大，导致更换抛光垫的时间增加且更换的抛光垫的质量得不到保障情况。
检测装置方法抛光设备

[发明专利]研磨盘打磨装置-CN202110926936.7在审
发明人：曾柏章;蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种研磨盘打磨装置。本申请实施例用于解决相关技术中有效生产时间少，生产效率低下的问题。加工台上还设置有用于承接抛光垫的第一转动装置；研磨臂正对抛光垫的一端设置有研磨盘以及第二转动装置，第二转动装置与研磨盘传动连接；控制装置与第一转动装置和第二转动装置连接，控制装置用于在控制第一转动装置驱动抛光垫转动的同时，控制第二转动装置驱动研磨盘转动，以对抛光垫进行打磨。将新的研磨盘使用研磨盘打磨装置打磨完成之后，在化学机械研磨装置需要更换研磨盘时，直接更换打磨完成之后的研磨盘并进行生产，有利于提高生产效率，增加设备的有效生产时间。
研磨打磨装置

[发明专利]化学清洗液配置系统及方法-CN202110791898.9有效
发明人：曾柏章;蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01N27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种化学清洗液配置系统和方法。化学清洗液配置系统设置在化学机械抛光设备内，包括：第一混合系统，被配置为将第一化学溶液和第一稀释液混合，得到第一混合液；第二混合系统，被配置为第二化学溶液和第二稀释液混合，得到第二混合液；第三混合系统，被配置为将所述第一混合液、所述第二混合液和第三稀释液混合，得到第三混合液；输出系统，被配置为输出所述第三混合液至所述化学机械抛光设备的喷淋装置；采样系统，被配置为采样所述输出系统中输出的所述第三混合液，其中所述采样系统为与所述输出系统相连通的支路系统；监测系统，被配置为监测所述第一混合液、所述第二混合液，以及所述第三混合液的状态。
化学清洗配置系统方法

[发明专利]金刚石研磨盘上风险金刚石的确定方法-CN201910124374.7有效
发明人：王盼;蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B24B55/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金刚石研磨盘上风险金刚石的确定方法，包括：建立数据库，所述数据库包括金刚石的第一尺寸数据和模拟图像；基于所述数据库确定出风险金刚石的判断条件；以及，基于所述风险金刚石的判断条件确定所述金刚石研磨盘上是否存在风险金刚石。本发明提供的金刚石研磨盘上风险金刚石的确定方法，可以提高金刚石研磨盘的工作良率。
金刚石研磨风险确定方法

[发明专利]用于改善铜线短路的制程工艺-CN201711409038.4有效
发明人： 蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明属于铜金属线制程领域，具体涉及用于改善铜线短路的制程工艺，采用研磨液对第一氧化层进行第一次化学机械研磨，所述研磨液包括研磨粒子，所述研磨粒子具有胶体态，所述研磨粒子在所述研磨液中的磨料固态含量介于0.17～0.5％体积百分比；在第一次化学机械研磨后，以清洗液清洁所述第一氧化层的第一次化学机械研磨后表面；进行第一次金属沉积，沉积第一金属层于所述第一氧化层的第一次化学机械研磨后表面上，通过改变研磨液特性，变更清洁液种类来改善氧化层刮伤缺陷，以利金属层的平坦沉积。在更具体的实施例中，后续的钨金属化学机械研磨与铜金属化学机械研磨采用研磨液也能进一步修补前程的刮伤缺陷，有效改善铜金属线短路情况。
用于改善铜线短路工艺

[发明专利]化学机械抛光液、半导体结构及其制备方法-CN202110968068.9在审
发明人： 蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种化学机械抛光液、化学机械研磨设备、半导体结构及其制备方法。该化学机械抛光液用于对多晶硅结构进行减薄处理，以获取表面平坦的多晶硅层，包括：二氧化硅研磨颗粒、过氧基化合物、去离子水；其中，过氧基化合物的体积百分比不小于3％且不大于10％。在化学机械抛光对多晶硅结构进行减薄的过程中，与化学机械抛光液接触的多晶硅被过氧基化合物氧化成二氧化硅，降低了化学机械抛光液的接触角度，提高研磨的效果，并且提高了化学机械研磨之后的清洗效果，降低了生产成本；同时，过氧基化合物可以降低化学机械抛光液与多晶硅结构之间的摩擦力，从而减少多晶硅结构表面的划伤，进而得到表面颗粒及划伤较少的多晶硅层。
化学机械抛光半导体结构及其制备方法

[实用新型]一种抛光垫-CN202120177695.6有效
发明人：黄学良;蔡长益;罗乙杰;桂辉辉;刘敏;杨佳佳;邱瑞英;张季平 -专利权人：湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本实用新型公开一种抛光垫，包括抛光层，所述抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，所述抛光单元至少为一个，抛光单元组成抛光单元群，抛光单元群的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触，每个抛光单元在接触表面投影为平行四边形；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本实用新型抛光垫的结构与限定的抛光单元面积比，有效面积比、有效通道体积比以及有效通道的宽度比等参数相结合时，具有优异的综合性能。
一种抛光

[发明专利]晶圆清洗方法及晶圆清洗装置-CN202110294823.X在审
发明人：宋受壮;蔡长益;林禄渊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置。所述晶圆清洗方法包括如下步骤：提供待清洗的晶圆，所述晶圆表面具有污染物；向所述晶圆表面喷射表面活性剂，同时采用抛光垫对所述晶圆表面进行擦洗，所述表面活性剂能够与所述晶圆表面的所述污染物作用，以降低所述污染物与所述晶圆之间的粘附力，从而除去所述晶圆表面上的所述污染物。本发明可以去除大部分甚至全部前段制程工艺在所述晶圆表面上残留的污染物，且由于污染物与晶圆之间的粘附力减小，使得污染物回粘至所述晶圆表面的概率降低，从而改善了晶圆清洗效果，减少了污染物在所述晶圆表面的残留，确保半导体制程工序顺利、稳定的进行。
清洗方法装置

[发明专利]一种抛光垫-CN202110087557.3在审
发明人：黄学良;蔡长益;刘敏;桂辉辉;罗乙杰;杨佳佳;邱瑞英;张季平 -专利权人：湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明公开一种抛光垫，包括抛光层，所述抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，所述抛光单元至少为一个，抛光单元组成抛光单元群，抛光单元群的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触，每个抛光单元在接触表面投影为平行四边形；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本发明抛光垫的结构与限定的抛光单元面积比，有效面积比、有效通道体积比以及有效通道的宽度比等参数相结合时，具有优异的综合性能。
一种抛光

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法、化学机械研磨方法及系统-CN201810059759.5有效
发明人： 蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制备方法、化学机械研磨方法及系统，包括如下步骤：1）量测目标材料层的前值厚度，依据目标材料层的前值厚度及第一阶段化学机械研磨后保留的目标材料层厚度确定第一目标去除厚度；2）依据研磨耗材的实际使用时间确定理论研磨速率；3）依据第一目标去除厚度及理论研磨速率动态修正研磨参数，依据该研磨参数对目标材料层进行第一阶段化学机械研磨；4）对目标材料层进行第二阶段化学机械研磨，达到第二目标去除厚度的去除。本发明通过收集目标材料层的目标去除厚度并结合研磨耗材的实际使用时间来确定研磨参数，提升了研磨的平坦化效果，消除了化学机械研磨后的目标材料层残留，提高了良品率。
沟槽隔离结构制备方法化学机械研磨系统

[发明专利]一种抛光垫及半导体器件的制造方法-CN202110086051.0有效
发明人：黄学良;蔡长益;邱瑞英;桂辉辉;刘敏;罗乙杰;杨佳佳;张季平 -专利权人：湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明公开一种抛光垫及半导体器件的制造方法，该方法包括使用具有特定图案及物性参数的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；本发明还公开了一种抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层硬度为40‑70D，密度为0.6‑0.9g/cm3，并且抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，抛光单元的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一个方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一个方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本发明抛光垫限定的抛光单元面积比，有效面积比等参数与限定的抛光层物性参数相结合时，具有优异的综合性能。
一种抛光半导体器件制造方法

[发明专利]缓研磨去除多晶硅表面凸块缺陷的方法及半导体工艺方法-CN201711480652.X有效
发明人： 蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种缓研磨去除多晶硅表面凸块缺陷的方法及半导体工艺方法，包含以下步骤：1）将包含多晶硅层的半导体结构置于化学机械研磨设备中，多晶硅层的表面形成有凸块缺陷；2）使用包含二氧化铈研磨颗粒的研磨缓冲液对多晶硅层进行化学机械研磨，以去除多晶硅层表面的凸块缺陷，研磨缓冲液呈弱酸性，以防止多晶硅层的多晶硅在化学机械研磨过程中被氧化而形成二氧化硅。本发明通过使用包含二氧化铈研磨颗粒的酸性研磨缓冲液对多晶硅层进行化学机械研磨，由于在酸性环境下所述二氧化铈研磨颗粒去除所述多晶硅的速率非常慢，在去除位于多晶硅层表面的凸块缺陷的同时，可以有效控制去除的多晶硅层的厚度，从而减少多晶硅层的损耗。
研磨去除多晶表面缺陷方法半导体工艺

[发明专利]化学机械研磨方法、系统及金属插塞的制备方法-CN201711480651.5有效
发明人： 蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供化学机械研磨方法、系统及金属插塞的制备方法，化学机械研磨方法包括如下步骤：1）提供形成有介质层的基底，介质层上形成有金属层；2）将基底进行第一次化学机械研磨，以去除覆盖于介质层表面的部分金属层，第一次化学机械研磨过程中，研磨液以第一流速供给；3）对基底进行第二次化学机械研磨，使残留于介质层表面的金属层完全去除，第二次化学机械研磨过程中，研磨液以第二流速供给，第二流速大于第一流速。本发明即可以控制研磨时间、节约生产成本，又研磨后得到金属插塞顶部不会存在凹陷，使得金属插塞具有较低的阻值。
化学机械研磨方法系统金属制备

[发明专利]对作用于基底上的压力的测量方法-CN201711148498.6有效
发明人： 蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： B24B49/16 文献下载
摘要：本发明提供一种对作用于基底上的压力的测量方法，提供一基底，在基底上设置一压力感测器以及一信号接收器，采用一压力装置作用于基底上，向基底施加压力，压力感测器感测基底受到的压力并获得相应的压力数据，信号接收器接收压力数据并传输至一终端设备，终端设备根据压力数据得到基底上的压力分布，通过压力分布调整压力装置向基底施加的压力，从而改善向基底施加的压力的均匀度，通过该方法可以改善化学机械研磨的均匀度，并避免由此产生缺陷。
用于基底压力测量方法

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