专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种动物医学实验电脉冲装置-CN202222909343.2有效
  • 于天慈;蔡宗晏;郭晓雪;廖凌子;闾允;谭雨晴;郑咏琪;王炎明 - 于天慈;蔡宗晏
  • 2022-11-02 - 2023-07-21 - A61D3/00
  • 本实用新型涉及动物医学实验技术领域,具体为一种动物医学实验电脉冲装置,包括电脉冲仓,以及位于电脉冲仓下方的收集机构,和安装在电脉冲仓内的调节结构;所述收集机构包括安装在电脉冲仓下方的秽物收集仓,所述秽物收集仓的顶部四角均开设有拆卸定位孔,所述电脉冲仓的底部四角均固定有拆卸定位杆。本实用新型在实验板的内侧开设空腔,在动物医学实验电脉冲实验中即使动物因电脉冲导致呕吐和大小便失禁,产生的秽物会直接穿过空腔落入秽物收集仓内,在实验过程中无需更换原有的实验台,实验完成后统一对秽物收集仓进行清理即可,不会打断实验过程,使用更加方便,在电极片上设置橡胶固定杆,橡胶固定杆内开设调节孔,可对动物四肢进行固定。
  • 一种动物医学实验电脉冲装置
  • [实用新型]一种用于实验器材的分类清洗设备-CN202121240018.0有效
  • 鲁玉宝;蔡宗晏;陈昱橦;张瀚月;于天慈 - 鲁玉宝
  • 2021-06-04 - 2021-12-10 - B08B3/02
  • 本实用新型公布了一种用于实验器材的分类清洗设备,包括底座,底座的上方设有清洗台,底座与清洗台之间连接有支撑架,支撑架的前端安装有对开门,支撑架的内腔底部连接有废液箱和储液箱,储液箱的顶部连接有蓄电池,清洗台的顶部右侧嵌合安装有水洗池,水洗池的上方设有水龙头,水龙头与储液箱之间连通有输水管,输水管中安装有抽液泵,水洗池底部与废液箱顶部之间连通有第一导管,清洗台的顶部左侧开设有通槽,通槽内连接有存放箱;本实用新型结构设计合理,能够将导料斗内的残余水流送入废液箱,达到了良好的清洗效果,避免灰尘浸入盖板,使用效果更佳。
  • 一种用于实验器材分类清洗设备
  • [发明专利]蝶阀-CN201911074509.X在审
  • 蔡宗晏 - 蔡宗晏
  • 2019-11-06 - 2021-05-07 - F16K1/22
  • 一种蝶阀,至少包含一阀体、一止漏元件与一阀门,前述阀体设阀门通孔,前述阀门通孔可先与止漏元件结合;前述止漏元件设环围面,前述环围面设对应的阀门上、下结合孔,前述上、下结合孔的内环壁均一体成型有一或一个以上的第一止漏环围,并于前述上、下结合孔的内侧位于阀门孔的内壁一体成型一或一个以上的第二止漏环围;前述阀门设一体成型的上、下定位元件,在前述止漏元件与阀门互相结合后,前述第一止漏环围与第二止漏环围可达到密闭不渗漏的功效,且可让阀门的启闭更为顺畅。
  • 蝶阀
  • [发明专利]发光二极管-CN201410357124.5在审
  • 武东星;洪瑞华;蔡宗晏 - 李德财
  • 2014-07-25 - 2015-06-24 - H01L33/14
  • 一种发光二极管,包含:一个磊晶基材、一层发光层、一层电子穿隧层、一层电流扩散层,及一个电极单元,该电子穿隧层选自AlxIn1-xN,0<x<1为材料所构成且厚度不大于20nm,借由该电子穿隧层的材料选择及厚度控制,令电子可借由穿隧效应,自该电流扩散层传递至该电子穿隧层,而可有效使得自该电流扩散层的电流可经由该电子穿隧层均匀且有效率的注入至该发光层,而可提升该发光二极管的发光效率。
  • 发光二极管
  • [发明专利]具蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法-CN201110428930.3有效
  • 武东星;洪瑞华;蔡宗晏 - 李德财
  • 2011-12-20 - 2012-07-11 - H01L33/00
  • 一种具蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法,所述制造方法包含以下步骤:首先,于一层第一基板上成长一图样化牺牲层,该第一基板部分面积露出,未受该图样化牺牲层遮盖,接着,于该第一基板部分露出面积与图样化牺牲层上,侧向磊晶成长一层暂时磊晶层,而后,于该暂时磊晶层上成长一层蚀刻停止层,再来,于该蚀刻停止层上成长一层磊晶结构层,通过该蚀刻停止层形成于该磊晶结构层的下方,因此,后续在蚀刻移除该图样化牺牲层、该暂时磊晶层时,不至过度蚀刻该磊晶结构层,进而维持光电元件品质。
  • 蚀刻停止结构及其制造方法
  • [发明专利]低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法-CN200910134988.X有效
  • 武东星;洪瑞华;谌思廷;蔡宗晏;吴学维 - 武东星
  • 2009-04-20 - 2010-10-20 - H01L21/20
  • 一种低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法,该制造方法先自一层晶格不匹配的基材侧向外延,形成一层具有多个缺陷处且表面缺陷降低的第一外延层,再自该第一外延层的平面进行缺陷选择性蚀刻,将所述缺陷处蚀刻出多个第一凹洞,使该第一外延层具有一界定所述第一凹洞的外延层平面,所述第一凹洞的径宽彼此相近,然后形成一填满所述第一凹洞的阻挡层,以阻隔差排向上延伸,再利用化学机械研磨法均匀地移除多余阻挡层,至该外延层平面裸露并使得其更加平坦,而使该外延层平面与剩下的该阻挡层表面共同定义出一面完整且平坦的外延基面。本发明所述低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法,能够有效地降低缺陷密度,且能提高后续外延品质。
  • 表面缺陷密度外延及其制造方法

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