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[发明专利]具有氮化铝膜层的基材的加工方法及滤波器的制备方法-CN202111045918.4在审
发明人：邹斌;蔡丹华;史爽 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有氮化铝膜层的基材的加工方法及滤波器的制备方法。在执行湿法制程之后进行酸洗，并在酸洗后利用亲水性有机溶剂执行脱水处理，以去除氮化铝膜层上的水分，避免氮化铝和水发生化学反应而产生固体杂质，提高了氮化铝膜层的表面清洁度和平坦度，改善后续形成在氮化铝膜层上的薄膜品质。
具有氮化铝膜层基材加工方法滤波器制备

[发明专利]一种制造商远程设备运行控制系统及方法-CN201810070363.0有效
发明人：胡浩;何小梅;李冀;陈钢;蔡丹华;潘潇;王聪儿;汪晓波;谭黎睿;傅琛 -专利权人：杭州谷逸网络科技有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造商远程设备运行控制系统及方法，包括制造商远程设备运行控制服务器，用于访问制造商远程设备运行控制服务器的制造商用户访问终端，附着在制造商设备上的无线代理模块和运行控制执行设备，还包括用户绑定的移动终端。本发明的制造商远程设备运行控制服务器利用公共无线通信网络服务，对远程设备进行运行控制，为设备制造商的商业合同正常履约提供进一步的保障，并且由于可以为不同的设备商提供服务，制造商远程设备运行控制服务器可以为多个设备制造商提供作为第三方的服务，对于设备制造商来说更为经济、高效。
一种制造商远程设备运行控制系统方法

[发明专利]监控退火工艺稳定性的方法-CN202011159540.6有效
发明人：余忠寅;蔡丹华;刘鹏 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种监控退火工艺稳定性的方法，其在对待退火处理的膜层进行退火处理之后，对具有所述膜层的晶圆监控片进行应力参数测量,所述应力参数包括应力大小、翘曲度和曲率半径等，显然能够对晶圆监控片在退火前后发生的形变进行监测，进而能够根据应力参数测量结果来判断退火工艺的稳定性是否符合要求，易于实现，且由于应力大小、翘曲度等应力参数可以是对晶圆监控片进行直接测量而获得，因此准确性高。
监控退火工艺稳定性方法

[发明专利]掺杂多晶硅薄膜的应力监控方法及半导体器件的制造方法-CN202010918686.8有效
发明人：刘鹏;蔡丹华;余忠寅 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂多晶硅薄膜的应力监控方法及半导体器件的制造方法，由于先建立了掺杂多晶硅薄膜所对应的应力参数与离子掺杂浓度之间的相关性，因此能通过量测当前制造出的掺杂多晶硅薄膜中的离子掺杂浓度，即可根据相关性判断出当前制造出的掺杂多晶硅薄膜是否符合当前的应力参数要求，进而可以将现有技术的两道应力量测工序简化为一道离子掺杂浓度量测工序，由此简化了监控流程，缩短量测时间，大大降低了监控成本，避免了产能浪费，提高了监控效率。且监控频次可以从每次机台保养检测更改为每次掺杂多晶硅制造工艺结束后进行，监控频次大大提高，操作简单，能实现实时监控，避免工艺监控流程容易出现混乱的问题。
掺杂多晶薄膜应力监控方法半导体器件制造

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法及系统-CN202010096859.2在审
发明人：刘鹏;蔡丹华;李勇 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅薄膜的制备方法及系统，能在沉积多晶硅薄膜时，监控反应气体流量过冲值和/或反应气体流量爬升速度(即反应气体的流量从0升到目标流量所需的时间)，且在发现监控到的反应气体流量过冲值和/或反应气体流量爬升速度不符合要求(即出现异常)时，能及时停止多晶硅薄膜的沉积工艺。因此，本发明的技术方案能够更早地发现有问题的晶圆，进而直接停止多晶硅薄膜的沉积，并将有问题的晶圆报废，由此省去后续的工艺和测试步骤，提高效率，并降低成本。
多晶薄膜制备方法系统

[发明专利]一种物联网网络层通信的监控分析方法-CN201811628711.8在审
发明人：何小梅;胡浩;李冀;陈钢;张文安;陆志平;蔡丹华 -专利权人：浙江汇安网络科技有限公司;杭州谷逸网络科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及物联网安全领域，特别涉及一种物联网网络层通信的监控分析方法。一种物联网中网络层通信的监控分析方法，部署物联网网络中的网络层通信监控分析设备捕获物联网上网络层消息，生成网络消息记录；利用预置的多重网络通信白名单对网络消息记录进行过过滤，对通过了多重网络通信白名单过滤的网络消息进行工作流程规则检查；对于没有通过多重网络通信白名单过滤和工作流程规则检查的网络消息做异常处理。本发明在不影响原有物联网工作的前提下，对潜在的来自内部和外部的安全威胁进行早期排查，杜绝恶意软件内部传播、蓄意破坏、数据泄露和违反操作规程的行为。
监控分析网络消息物联网网络多重网络物联网通信过滤工作流程规则网络层通信网络层消息安全领域安全威胁操作规程恶意软件数据泄露异常处理捕获物潜在的记录排查预置检查联网外部传播违反部署

[发明专利]一种深槽隔离结构的制作方法-CN201410417668.6有效
发明人：林率兵;王永刚;姜海涛;蔡丹华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种深槽隔离结构的制作方法，至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底中形成至少一个深槽，并在所述深槽中填满多晶硅；S2：进行退火以使所述多晶硅的晶粒结构重组；S3：采用Cl₂与HBr的混合气体作为刻蚀气体对所述多晶硅进行回刻，去除所述深槽外多余的多晶硅；S4：采用SF₆作为刻蚀气体对所述多晶硅进行过刻蚀，在所述深槽顶部获得平坦的多晶硅表面。本发明不仅可以改善深槽内部及表面的多晶硅接缝现象，提高多晶硅熔合程度，同时可以在所述深槽顶部获得平坦光滑的多晶硅表面的同时减少多晶硅的过刻蚀量，减少深槽顶部的下沉程度。
一种隔离结构制作方法

[发明专利]一种栅极制造方法-CN201010110200.4有效
发明人：范建国;刘培芳;陆肇勇;蔡丹华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极制造方法，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介质层，多晶硅层、硅化钨层；图案化所述硅化钨层、多晶硅层；还包括：对图案化的所述硅化钨层和所述多晶硅层进行普通高温炉退火，工艺条件为：N2流量≥25L/分钟，使腔体内2～4分钟后O2的含量为ppm级别，温度为650～850℃，高温炉排气端的压力为87pa～385pa，退火时间15-25分钟；在普通高温炉内执行氧化工艺，在所述硅化钨层和所述多晶硅层的侧壁形成侧墙。本发明方法省略了一个快速热退火步骤，减少了工艺步骤和使用设备，缩短了工艺时间，极大的提高了生产效率。
一种栅极制造方法

[发明专利]多晶硅薄膜及栅极的形成方法-CN200810041809.3有效
发明人：涂火金;范建国;刘培芳;蔡丹华;王海峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-08-15 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜的形成方法，包括步骤：提供衬底；将所述衬底放入沉积室内；根据预定的多晶硅薄膜的电阻调节值确定反应气体通入时的流量上升时间；按照所述流量上升时间向所述沉积室内通入反应气体，在所述衬底上沉积多晶硅薄膜；取出所述衬底。本发明的多晶硅薄膜的形成方法可以方便、灵活地实现对多晶硅薄膜电阻值的微调。本发明还对应公开了一种栅极的形成方法，其可以实现对多晶硅栅极电阻值的微调，有效地提高了器件的成品率。
多晶薄膜栅极形成方法

[发明专利]测量半球形颗粒多晶硅层厚度的方法-CN200710094460.5有效
发明人：范建国;蔡丹华;季峰强;刘培芳;董智刚;徐皓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种测量半球形颗粒多晶硅层厚度的方法，包括下列步骤：提供带有半球形颗粒多晶硅层的半导体衬底；椭圆偏振光入射至半球形颗粒多晶硅层，在半球形颗粒多晶硅层中经过反射透射后，接收反射出半球形颗粒多晶硅层最高点表面的线偏振光；比较入射前偏振光与反射后偏振光的偏振状态变化，获得半球形颗粒多晶硅层的厚度。本发明能精确测量出半球形颗粒多晶硅层的厚度，由于半球形颗粒多晶硅层的厚度与最终的电性参数有很强的相关性，因此能使后续的电性容易控制。
测量半球形颗粒多晶厚度方法

[发明专利]半导体器件电容区上多晶硅阻值的控制方法-CN200710046258.5无效
发明人：范建国;蔡丹华;刘培芳;季峰强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-09-21 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件电容区上的多晶硅阻值的控制方法，涉及半导体的制造领域。所述多晶硅上形成有半球型晶粒，其形成包括如下步骤：提供半导体基体，其包括电容区下极板；在电容区下极板上沉积所述多晶硅，该多晶硅包括未掺杂的非晶硅以及掺杂的非晶硅；进行播晶种步骤；进行退火步骤，晶种消耗掉部分未掺杂的非晶硅聚积形成半球型晶粒；其中半球型晶粒的总体厚度与电容区的电容量和多晶硅阻值呈增直线函数关系，该控制方法通过在退火步骤控制半球型晶粒的总体厚度，将电容区的电容量和多晶硅阻值设置在规格值范围内。与现有技术相比，本发明的控制方法使晶舟内所有位置晶圆的多晶硅阻值均在规格值范围内，实现晶圆的批量生产。
半导体器件电容多晶阻值控制方法

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