“蒋洁安”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]紫外LED高反电极及其制备方法与应用-CN202110301894.8有效
发明人：徐厚强;蒋洁安;郭炜;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料与器件领域，特别是涉及一种紫外LED高反电极及其制备方法与应用。本发明通过采用功函数大于等于4.6eV的金属作为欧姆接触层，同时将金属欧姆接触层图形化，并将图形化率控制在5％～40％内，保证了电极的光学性能，且不会影响金属铝反射层与LED芯片层的欧姆接触。本发明提供的方案平衡了紫外LED高反电极对电学性能和光学性能的需求，避免现有技术中为改善光学性能需要将金属欧姆接触层做得尽可能薄带来的低良品率、较差的可控性以及器件开启电压的升高，同时在光学性能上较现有技术有明显的提升。此外，由于欧姆接触层仅部分覆盖高功函金属，较全覆盖的现有方案减少了高功函金属的用量，减少了生产成本。
紫外 led 电极及其制备方法应用

[发明专利]纳米图形化蓝宝石衬底及其制备方法和应用-CN202011588068.8在审
发明人：徐厚强;蒋洁安;郭炜;叶继春;张耀华;柯强 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波升谱光电股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米图形化蓝宝石衬底及其制备方法和应用。所述制备方法包括：对蓝宝石衬底的表面进行加工处理以形成多个缺陷；于温度为1000℃以上的条件下对所述蓝宝石衬底进行高温退火处理，使所述蓝宝石衬底表面形成纳米图形。本发明提供的纳米图形化蓝宝石衬底的制备方法简单易操作，成本低，对晶体质量损伤小，并且所制备的纳米图形化蓝宝石衬底的图案形貌、尺寸均便于调控，周期性、均匀性和重复性较好，利于批量制备。
纳米图形蓝宝石衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种新型氮化物垂直结构激光器及其制备方法-CN202010787389.4在审
发明人： 蒋洁安;徐厚强;郭炜;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：一种新型氮化物垂直结构激光器，其特征在于：包括由下而上依次设置的衬底、下DBR结构、横向P‑N结有源层、电流限制层和上DBR结构，所述横向P‑N结有源层的上表面且位于左右两侧边缘处分别设有P型金属电极和N型金属电极。该新型氮化物垂直结构激光器能较好地实现光场限制和电流注入之间的平衡、降低电流拥堵效应、从而提高了激光器功率并降低激射阈值。另外还提供一种新型氮化物垂直结构激光器的制备方法。
一种新型氮化物垂直结构激光器及其制备方法

[发明专利]一种III族氮化物半导体发光器件台面刻蚀方法-CN201811541251.5有效
发明人：徐厚强;蒋洁安;郭炜;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物半导体发光器件台面刻蚀方法，包括以下步骤，首先在衬底上外延生长缓冲层，并刻蚀缓冲层得到图形化缓冲层衬底，在所述图形化缓冲层衬底上外延生长具有横向极性结构的发光器件外延层，所述横向极性结构包括氮极性畴与金属极性畴；然后采用湿法刻蚀工艺利用氮极性畴与金属极性畴在刻蚀液中表现出的惰性差异对非惰性极性畴进行刻蚀；本发明可获得无等离子体损伤的器件台面；提升III族氮化物发光器件转换效率，降低制造成本。
一种 iii 氮化物半导体发光器件台面刻蚀方法

[发明专利]AlGaN基紫外LED器件及其制备方法与应用-CN201810432320.2有效
发明人：莫海波;郭炜;蒋洁安;高平奇;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN基紫外LED器件及其制备方法与应用。所述制备方法包括：在衬底上生长形成氮化物缓冲层，并对所述氮化物缓冲层进行预处理，其中所述预处理包括等离子体处理、高温热退火处理和金属有机源前驱物预处理等方式；之后在所述氮化物缓冲层上依次形成外延层、应力释放层、n‑型电流扩展层、多层量子阱有源层、电子阻挡层和p‑型电流扩展层。本发明的AlGaN基紫外LED器件可实现有源区的Al、Ga相分离，实现与InGaN中In富集类似的量子限阈效应，造成Ga元素的富集，有利于载流子的辐射复合，增大辐射复合效率，提升紫外LED器件的发光效率。
algan 紫外 led 器件及其制备方法应用