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[实用新型]一种防震性能好的室外仪器用底座-CN201920938456.0有效
发明人： 蒋民华 -专利权人：嘉兴德基机械设计有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： F16M5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防震性能好的室外仪器用底座，包括仪器本体和底座，所述仪器本体安装于底座的上方，所述底座的四周安装有护罩，护罩包括外固定座、防护柱、固定底座、滑动装置和固定装置，外固定座的下方连接有防护柱，本实用新型一种防震性能好的室外仪器用底座，通过安装护罩有效的保护了仪器本体，避免仪器本体出现翻倒或摔倒损伤仪器，提高整个底座的使用安装性，通过固定板可将底座固定于墙体或者其他固定体上，适用于多个地方的使用，且安装方便，拆卸也方便，增加多用性，减震弹簧减少惯性冲击，减少振动对仪器本体和底座的损伤，且通过安装泡沫隔垫增加摩擦力和缓冲空间，使仪器本体安装更为稳定，增加使用安全性。
一种防震性能室外仪器底座

[实用新型]一种多功能仪器表便携放置箱-CN201920857289.7有效
发明人： 蒋民华 -专利权人：桐乡市倍特科技有限公司
申请日： 2019-06-09 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能仪器表便携放置箱，包括上箱体、下箱体、提手座、提手、固定锁和连接件，上箱体的下侧通过连接件连接下箱体，上箱体的顶端设有提手座，提手座上设有提手，上箱体和下箱体顶端的两侧设有固定锁，在下箱体中的内仪表层中心处设置仪表架，通过旋转底连接杆，将仪表卡嵌框抬起，旋转支撑臂，并根据实际情况调整伸缩杆的长短，将伸缩杆末端的卡嵌块卡嵌进内仪表层的卡嵌口中，从而使仪表架具有一定的倾斜，便于容纳仪器仪表，提高便携式放置箱的现场兼容性，本实用新型结构合理，且现场兼容性较高，便于使用。
一种多功能仪器便携放置

[实用新型]P族多元化合物双温区合成容器及装置-CN201120095554.6无效
发明人：陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： B01J19/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种P族多元化合物的双温区合成容器及装置，合成容器由可真空密封的石英管和料舟组成。石英管为一端封口的厚壁石英管，距封口端依次设有石英挡板a和石英挡板b。石英管的开口端有便于真空封结的石英销。合成装置包括合成容器、炉体和温度控制单元。炉体的加热元件为两组上下两层并排的硅碳棒。本实用新型装置具有合成容器便于真空封结，炉体升温温度高，控温精确且稳定的优点，解决了高熔点高分解压P族多元化合物合成过程中坩埚易爆，多晶料易与石英容器壁粘连或反应的问题。
多元化合物双温区合成容器装置

[发明专利]一种基于块状激光自变频材料级联效应的激光器-CN201110122179.4无效
发明人：宗楠;申玉;许祖彦;韩琳;王保山;彭钦军;王继扬;张怀金;于浩海;王正平;蒋民华 -专利权人：中国科学院理化技术研究所;山东大学
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：一种基于块状激光自变频材料级联效应的激光器，包括至少一个泵浦源、由激光谐振腔A镜和B镜组成的激光谐振腔和至少含三个光学面的块状激光自变频材料；其第一和第二光学面分别垂直于自变频材料非线性系数最大的基频光倍频相位匹配方向(θ1，φ1)和基频光与倍频光和频相位匹配方向(θ2，φ2)；第三光学面垂直于相位匹配方向(θ1，φ1)和(θ2，φ2)平分线；泵浦源对自变频材料至少一个面进行泵浦，泵浦光进入处镀对泵浦光具高透射率膜系；基频光沿相位匹配方向(θ1，φ1)产生倍频光，基频光与倍频光在自变频材料沿“V”字形传播，基频光与倍频光沿相位匹配方向(θ2，φ2)产生和频光(三倍频光)；本发明用一块自变频材料实现基频激光谐振、倍频与和频多种功能，复合功能性强、结构紧凑、稳定性高、制作成本低。
一种基于块状激光变频材料级联效应激光器

[发明专利]磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置-CN201110083468.8无效
发明人：陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：本发明涉及磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置，将单质原料按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05配料，将磷放入双温区石英管的一端，将硅和镉放入合成料舟中后装入双温区石英管的另一端，将双温区石英管抽真空后封结；分别使双温区炉的两个温区升温、保温、降温，可制备出高纯度的磷硅镉多晶料，用作高质量磷硅镉单晶生长料。
磷硅镉多晶双温区合成方法装置

[发明专利]磷硅镉多晶料的合成方法-CN201110083363.2无效
发明人：陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：本发明涉及磷硅镉多晶料的合成方法，按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05摩尔比，将纯度为99.999％的磷、硅、镉三种单质原料装入合成坩埚中，将合成坩埚装入石英管中；抽真空后封结石英管；将石英管装入单温区合成炉中，使单温区炉升温、保温，合成完成后降至室温，打开合成坩埚即得到磷硅镉多晶料。本发明方法可以制备出高纯度的磷硅镉多晶料，用于高质量的磷硅镉单晶生长。
磷硅镉多晶合成方法

[发明专利]磷硅镉单晶的生长方法-CN201110083331.2无效
发明人：陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及磷硅镉的单晶生长方法。按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05配料合成磷硅镉多晶料，采用坩埚下降炉，通过自发形核生长法或定向籽晶生长法进行生长。步骤包括：将磷硅镉多晶料直接装入坩埚中，或者加入籽晶后再装入坩埚中；将坩埚置入石英管中，抽真空后封结石英管；将石英管装入坩埚下降炉中；升温、坩埚下降、最后降温。本发明方法可制备出高纯度、高质量的磷硅镉单晶。
磷硅镉单晶生长方法

[发明专利]具有单一束激光输出或线阵激光输出的自倍频激光器-CN201010159918.2有效
发明人：许祖彦;宗楠;韩琳;王保山;彭钦军;王继扬;张怀金;王正平;于浩海;蒋民华 -专利权人：中国科学院理化技术研究所;山东大学
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本发明提供的具有单一束激光输出或线阵激光输出的自倍频激光器，包括泵浦源、光学晶体、激光谐振腔和具有散热和控温功能的晶体冷却控温装置；该自倍频晶体的板条的两头的端面，经光学抛光并镀上对于基频光和倍频光高透射的膜；板条状的自倍频晶体的一个面放置在第一晶体冷却控温装置上，泵浦源至少对准自倍频晶体一个面进入，泵光进入处镀对泵光高透的膜，进行泵浦并被充分吸收，使得基频激光和倍频激光在晶体内沿“一”字或“之”字传播，实现单一束激光输出或线阵激光输出。本发明的激光器增大了晶体的有效冷却面积，有利于晶体高效散热和精确控温，减小晶体内热梯度，使倍频过程更好地满足相位匹配要求；而且，可实现单一束激光输出和线阵输出。
具有一束激光输出倍频激光器

[发明专利]一种基于掺钕硼酸钙氧钆晶体的自变频固体激光器-CN201010144564.4无效
发明人：王继扬;张怀金;王正平;于浩海;蒋民华;许祖彦;韩琳;王保山;宗楠;彭钦军 -专利权人：山东大学;中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于掺钕硼酸钙氧钆晶体的自变频固体激光器，包括一组成为NdxGd1-xCa4O(BO3)3，其中x＝0.001～0.2的自变频晶体、泵浦源和激光谐振腔；该自变频晶体的切割方向沿着垂直于该晶体变频相位匹配方向切割，两个通光端面抛光处理；泵浦源为波长在802～815nm、830nm、或者868～887nm波段的激光器；激光谐振腔对基频光实现全反馈，对变频光实现全输出；其中，所述的泵浦源输出光路前方设置激光谐振腔，在激光谐振腔中安置所述自变频晶体，泵浦方式为端面泵浦方式或侧面泵浦方式。通过确定该晶体在不同基频波长处的变频最佳相位匹配方向，并设计相应的激光腔镜膜透过率，而获得不同基频光的自倍频、自和频、自差频或自参量振荡的激光输出。该固体激光器具有小型化、结构紧凑、性能稳定。
一种基于硼酸钙氧钆晶体变频固体激光器

[发明专利]一种非线性镜自锁模激光器-CN201010548500.0有效
发明人：王继扬;张怀金;于浩海;王正平;蒋民华;许祖彦;宗楠;李芳琴;彭钦军 -专利权人：山东大学;中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明涉及一种非线性镜自锁模激光器，包括泵浦源、谐振腔镜和一块激光自倍频晶体；所述的自倍频晶体沿倍频位相匹配方向加工成一长方体或圆柱体，其两个端面为通光平面且相互平行；在自倍频晶体的一个通光平面镀对于泵光高透、基频光高反、倍频光高反的介质膜作为输入镜；另一通光平面镀对于基频光部分透过、倍频光高反射的介质膜作为输出镜；采用端面泵浦方式为：所述的泵浦源输出光的前方设置自倍频晶体，该自倍频晶体镀有输入镜的端面对着泵浦源输出光放置；采用侧面泵浦方式为：所述的泵浦源设置在自倍频晶体的侧面。该激光器通过单一块自倍频晶体实现基频光产生和二次谐波过程，具有操作简单、性能可靠、输出功率高以及稳定性高等特点。
一种非线性激光器

[发明专利]高温相钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用-CN201010297346.4有效
发明人：陶绪堂;张俊杰;张卫国;孙友轩;张承乾;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温相钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用。高温相钼酸碲钡晶体属于正交晶系，空间群为Pca21，a＝14.8683(2)b＝5.66360(10)c＝17.6849(3)紫外-可见-近红外透过光谱和中红外透过光谱显示，该晶体在380～5530nm的波长范围内透过，室温下，用1064nm的红外激光入射晶体，产生波长为532nm的绿光。采用助熔剂法生长。本发明还提供高温相钼酸碲钡晶体作为非线性光学晶体用、双折射晶体、压电晶体、铁电晶体、热释电晶体或激光基质材料的应用。
高温钼酸晶体及其制备方法应用

[发明专利]一种基于自倍频激光晶体的单频可见光激光器-CN201010299206.0有效
发明人：王继扬;张怀金;于浩海;王正平;蒋民华;许祖彦;宗楠;彭钦军 -专利权人：山东大学;中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种单频可见光激光器，包括泵浦源和激光晶体，泵浦源输出光前方光路上设置激光晶体；激光晶体为一块自倍频激光晶体，该自倍频激光晶体是沿该晶体I类倍频相位匹配方向加工成厚度0.1-1mm的片状，自倍频激光晶体两端面为通光面，入射端面镀以对泵浦光增透，且对基频光和倍频光高反的介质膜；激光输出端面上镀对泵浦光和基频光高反，且对倍频光波段高透的介质膜；泵浦源的发射中心波长为自倍频晶体的吸收波长，泵浦光从自倍频晶体入射端面注入自倍频晶体中，泵浦光功率达到阈值后，由自倍频晶体直接输出单频可见激光。本发明的单频可见光激光器具有易实现单频输出、操作简单、体积小、性能可靠、有利于工业化生产等特点。
一种基于倍频激光晶体可见光激光器

[发明专利]钼酸碲铯晶体及其助熔剂法生长与应用-CN201010581219.7有效
发明人：陶绪堂;张俊杰;孙友轩;张承乾;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及钼酸碲铯晶体及其助熔剂法生长与应用。钼酸碲铯晶体，六方晶系，空间群为P63，在430～5380nm的波长范围内均有透过；室温下压电系数d33＝20.5pC/N，用Nd:YAG激光器产生的波长为1064nm的红外激光入射晶体，产生强烈的绿光；采用助熔剂法进行晶体生长制得大尺寸单晶，用于制作压电器件，还用作非线性光学晶体、铁电晶体、热释电晶体和激光基质晶体。
钼酸晶体及其熔剂生长应用

[发明专利]一种大直径4H-SiC晶片碳面的表面抛光方法-CN201010292885.9有效
发明人：陈秀芳;徐现刚;胡小波;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种大直径4H-SiC碳面的表面抛光方法，包括机械抛光、化学机械抛光及清洗，机械抛光选用金刚石微粉与氧化剂、分散剂配制的pH值为1～5的抛光液，在抛光温度30～70℃条件下对4H-SiC晶片的碳面进行机械抛光；化学机械抛光选用pH值为1～5、浓度为2～50wt％、粒度为20～100nm的纳米抛光液，加入适量氧化剂。本发明克服了传统的单晶片表面碱性抛光液的缺点，获得了无表面损伤层、高平整度、超光滑的表面，材料去除速率为0.4～1.5μm/h，抛光后晶片透明光亮。
一种直径 sic 晶片表面抛光方法

[发明专利]一种LiGa₃Te₅单晶体及其制备方法和应用-CN201010292892.9无效
发明人：陶绪堂;王善朋;刘贯东;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供一种LiGa3Te5单晶体，该晶体是非中心对称结构，属于三方晶系，空间群为R32，晶胞参数为：α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝12，单胞体积为其体块直径为3mm～15mm、长度为20mm～40mm。该LiGa3Te5单晶体的制备方法是首先制备LiGa3Te5多晶原料，再利用坩埚下降法进行LiGa3Te5单晶体的生长。本发明制备的LiGa3Te5单晶体可供晶体物理性能测试与器件研究，并具有足够尺寸体块；具有较宽的红外透过范围，能够通过非线性频率变换技术实现中远红外激光输出，因而可应用于制作红外非线性光学器件；同时可用于制作压电器件。
一种 liga sub te 单晶体及其制备方法应用

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