专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座-CN201710098764.2有效
  • 庄翌圣;葛金发 - 苏试宜特(上海)检测技术股份有限公司
  • 2017-02-23 - 2023-07-25 - G01R31/28
  • 本发明提供一种开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座,其中上盖的下表面上设置有至少一个保护支撑部件,保护支撑部件的下表面与上盖的下表面平行,高度H1减去散热器的高度H2用于等于待测芯片的高度H3,和散热器间隔设置且两者之间的空间用于容纳芯片固定座的侧壁,下表面的靠近上盖的一端的端部在上盖的下表面上的射影和上盖的一端之间的第一距离L1小于散热器的下表面的靠近上盖的一端的端部在上盖的下表面上的射影和上盖的一端之间的第二距离L2。本发明的开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座能够在开关动作时其散热器不与待测芯片产生直接接触,避免因插座构造造成待测芯片受损,保证测试结果的准确性和可信度,适于大规模推广应用。
  • 开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座
  • [实用新型]带温控探头的温控夹具-CN202120239390.3有效
  • 潘泽;葛金发;刘波 - 苏试宜特(上海)检测技术有限公司
  • 2021-01-27 - 2021-09-14 - G01K1/14
  • 本实用新型涉及一种带温控探头的温控夹具,包括夹具主体、设于所述夹具主体上的温控探头,所述夹具主体上设有用于感测所述温控探头温度的感应探头,所述感应探头与外部测温仪连接。本实用新型通过于传统温控夹具上安装感应探头,实现对温控夹具上温控探头的温度的实时检测,进一步地,通过将感应探头与外部测温仪连接,便于对温控探头的温度进行实时监控,以确保温控探头的准确有效,解决了传统温控夹具本身无法确认温控探头是否有效准确的问题。
  • 温控探头夹具
  • [发明专利]高阶芯片失效分析物理去层分析方法-CN201510572282.7有效
  • 刘国庆;李鹏云;葛金发;曾元宏 - 宜特(上海)检测技术有限公司
  • 2015-09-10 - 2017-11-21 - H01L21/306
  • 本发明公开了一种高阶芯片失效分析物理去层分析方法,包括提供芯片及芯片上待进行物理去层的关注区域,芯片包括自下而上制备于衬底上的第一金属层、第二金属层、……、第N‑2金属层、第N‑1金属层以及第N金属层,其中,8≤N≤10;自上而下依次刻蚀第N金属层、第N‑1金属层、第N‑2金属层、……、第二金属层以及第一金属层;其中,刻蚀第N‑1金属层,包括采用BOE刻蚀剂以第一刻蚀时间刻蚀关注区域内的第N‑1金属层上的氧化层;采用反应离子刻蚀法以第二刻蚀时间刻蚀第N‑1金属层上的氧化层至关注区域内的第N‑1金属层露出金属铜;研磨金属铜至关注区域内的第N‑1金属层完全去除。
  • 芯片失效分析物理方法
  • [发明专利]高阶芯片反向去层方法-CN201510523161.3有效
  • 严卫华;曾元宏;王春亮;葛金发 - 宜特(上海)检测技术有限公司
  • 2015-08-24 - 2017-11-21 - H01L21/304
  • 本发明公开了一种高阶芯片反向去层方法,包括提供芯片,所述芯片包括基板以及自下而上制备于所述基板上的第一金属层、第二金属层、……、第N‑2金属层、第N‑1金属层以及第N金属层,其中,7≤N≤9;自上而下依次蚀刻所述第N金属层、所述第N‑1金属层、所述第N‑2金属层、……、所述第二金属层以及所述第一金属层;其中,蚀刻所述第N‑2金属层,包括研磨所述第N‑2金属层上的边缘区域的氧化层;离子蚀刻所述第N‑2金属层上的中心区域的氧化层至整层所述第N‑2金属层露出金属铜;采用蚀刻剂腐蚀所述金属铜至所述第N‑2金属层完全去除。
  • 芯片反向方法
  • [发明专利]覆晶芯片失效分析方法及电性定位中检测样品的制备方法-CN201510572283.1有效
  • 李鹏云;刘国庆;葛金发;曾元宏 - 宜特(上海)检测技术有限公司
  • 2015-09-10 - 2017-11-21 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种覆晶芯片失效分析方法及电性定位中检测样品的制备方法,所述制备方法包括提供待测的覆晶芯片,包括封装基底与制备于封装基底上的裸片,裸片的外部覆盖有塑封体,裸片与封装基底之间连接有金凸块,封装基底的底部焊接有锡球;研磨裸片外部的塑封体直至裸露出裸片的晶背;将裸片的背面结合到一玻璃基板上,玻璃基板上设有导电片;用封装绑线将玻璃基板上的导电片与封装基底底部的锡球电性连接,以得到检测样品。本发明覆晶芯片失效分析检测样品的制备方法,通过研磨掉裸片的背面的塑封体,再将裸片的背面结合在玻璃基板上进行失效分析,不必腐蚀塑封体以及分离封装基底与裸片,从而避免了取裸片的过程中金凸块被腐蚀的可能性。
  • 芯片失效分析方法定位检测样品制备
  • [实用新型]开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座-CN201720164317.8有效
  • 庄翌圣;葛金发 - 宜特(上海)检测技术有限公司
  • 2017-02-23 - 2017-09-08 - G01R31/28
  • 本实用新型提供一种开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座,其中上盖的下表面上设置有至少一个保护支撑部件,保护支撑部件的下表面与上盖的下表面平行,高度H1减去散热器的高度H2用于等于待测芯片的高度H3,和散热器间隔设置且两者之间的空间用于容纳芯片固定座的侧壁,下表面的靠近上盖的一端的端部在上盖的下表面上的射影和上盖的一端之间的第一距离L1小于散热器的下表面的靠近上盖的一端的端部在上盖的下表面上的射影和上盖的一端之间的第二距离L2。本实用新型的开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座能够在开关动作时其散热器不与待测芯片产生直接接触,避免因插座构造造成待测芯片受损,保证测试结果的准确性和可信度,适于大规模推广应用。
  • 开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座
  • [实用新型]一种混料机-CN201420658803.1有效
  • 葛金发 - 遵义市亿众纳米科技材料有限公司
  • 2014-11-06 - 2015-07-15 - B01F15/00
  • 本实用新型提出了一种混料机,包括:混料仓、物料收集槽和盖体,混料仓具有开口;物料收集槽的上部具有开口,设置于靠近混料仓的开口位置,设置于混料仓的外侧,并环绕混料仓,且物料收集槽的开口的位置高于混料仓的开口的位置;盖体盖合在混料仓的开口处,并延伸至物料收集槽的开口处的内壁。本实用新型的混料机,实现了对混料仓中飞溅出的物料的收集,降低对环境的污染,节约劳动力,节约资源。
  • 一种混料机

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