专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储装置-CN202210936472.2在审
  • 萩原洋介;白石圭 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-08-05 - 2023-10-24 - G11C16/26
  • 本发明提供一种半导体存储装置,尽管构成为能够进行切换信号的占空比的修正,却仍能抑制大型化。半导体存储装置(2)具备:比较器(51),产生并输出与来自外部的读取赋能信号(RE)同步切换的信号(RE_in);及修正电路(60),调整信号(RE_in)的占空比。修正电路(60)具有与比较器(51)的第1输出部(513)连接的可变电流源(61)、及与比较器(51)的第2输出部(514)连接的可变电流源(62),通过调整从电流源(61、62)输出的电流的大小,来调整信号(/RE_c、RE_c)的占空比。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]输出电路-CN202010870918.7在审
  • 萩原洋介;山本健介;日冈健;井上谕 - 铠侠股份有限公司
  • 2020-08-26 - 2021-06-04 - H03K19/0185
  • 实施方式的输出电路具备第1至第3电源线、焊垫(50)、第1至第2晶体管及第1电路。第1晶体管(TR7)的第1端连接于第1电源线,第2端连接于焊垫。第2晶体管(TR8)的第1端连接于第2电源线,第2端连接于焊垫(50)。第1电路连接于第3电源线及第1晶体管的栅极的每一个。对第1电源线施加第1电压(VCCQ)。对第2电源线施加低于第1电压的第2电压(VSS)。对第3电源线施加与第1电压及第2电压均不同的第3电压(VDD1)。在第1种情况下,第1电路对第1晶体管的栅极施加第4电压(VDD1)。在第2种情况下,第1电路使第3电源线与第1晶体管的栅极为非电连接。
  • 输出电路
  • [发明专利]半导体集成电路装置-CN201010123926.1有效
  • 藤田哲也;萩原洋介 - 株式会社东芝
  • 2010-03-02 - 2010-10-13 - H03K17/72
  • 一种半导体集成电路装置,具备:一个以上的第一晶体管,控制输入电源线和输出电源线之间的导通;一个以上的第二晶体管,控制上述输入电源线和上述输出电源线之间的导通;第一缓冲器,向与上述一个以上的第一晶体管连接的第一控制线供给用于驱动上述一个以上的第一晶体管的第一控制信号;第二缓冲器,经由上述第一控制线被供给上述第一控制信号,产生用于驱动上述一个以上的第二晶体管的第二控制信号,并将其供给至与上述一个以上的第二晶体管连接的第二控制线;以及一个以上的电容器,连接在上述第一控制线和上述输出电源线之间。
  • 半导体集成电路装置

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