专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN201811610534.0有效
  • 浅田泰生;折居武彦;入江伸次;高桥信博;萩原彩乃;山口达也 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-12-27 - 2023-08-15 - H01L21/311
  • 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在向沿着横向按照含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的顺序相邻地设置有含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的基板供给蚀刻气体而将含硅膜去除时,防止非蚀刻对象膜的蚀刻。实施如下工序:成膜工序,在该成膜工序中,供给成膜气体(21、22),在多孔质膜(15)的孔部(16)成膜穿过防止膜(23),该穿过防止膜(23)用于防止对含硅膜(14)进行蚀刻的蚀刻气体(24)穿过该孔部(16)而向非蚀刻对象膜(11)供给;以及蚀刻工序,在该蚀刻工序中,在形成有穿过防止膜(23)的状态下,供给蚀刻气体(24)而对含硅膜(14)进行蚀刻。
  • 蚀刻方法装置
  • [发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN202010200967.X在审
  • 高桥信博;萩原彩乃;浅田泰生;山口达也 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-03-20 - 2020-10-09 - H01L21/308
  • 本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置,具体来说,[课题]防止蚀刻气体通过多孔膜的孔部而使蚀刻非对象膜被蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法,其为对基板供给蚀刻气体,对设置于该基板的含硅膜进行蚀刻的蚀刻方法,所述蚀刻方法包括如下工序:胺气体供给工序,对依次相邻地设有前述含硅膜、多孔膜、对前述蚀刻气体具有被蚀刻性的蚀刻非对象膜的基板供给胺气体,使胺吸附于前述多孔膜的形成孔部的孔壁;和,蚀刻气体供给工序,对前述孔壁上吸附有胺的基板供给用于对前述含硅膜进行蚀刻的蚀刻气体。
  • 蚀刻方法装置

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