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[发明专利]射频器件的去嵌版图结构及去嵌方法-CN202310466124.8在审
发明人：张晓东;范象泉 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种射频器件的去嵌版图结构及去嵌方法，其中，去嵌版图结构包括：第一至第三开路测试结构和第一至第三短路测试结构，本申请通过利用若干不同尺寸的待测试射频器件进行模拟，分别选取0、最小值、最大值作为第一至第三开路测试结构的第一连接导线的长度；利用若干不同尺寸的待测试射频器件进行模拟，分别选取0、最小值、最大值作为第一至第三短路测试结构的第二连接导线的长度，本申请利用一组开路测试结构和一组短路测试结构获取所有待测试射频器件对应的开路/短路结构的寄生参数，避免了传统去嵌方式中一一对应地设计去嵌版图结构，从而节省版图面积，极大地降低了建模测量工作量，提高了测试效率。
射频器件版图结构方法

[发明专利]一种提高SOI工艺二极管模型适用性的方法及系统-CN201910249574.5有效
发明人：张昊;范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高SOI工艺二极管模型适用性的方法及系统，所述方法包括如下步骤：步骤S0，在至少三个不同栅宽Lgate下，测量各二极管CV曲线得到电容C和偏置电压V的数据，根据二极管电容公式计算得到各栅宽Lgate时的Cjswg、pbswg和mjswg参数值；步骤S1，对所得参数值进行拟合得到各电容‑电压参数与栅宽Lgate的关系；步骤S2，在现有模型中增加栅宽Lgate变量，将固定寄生电容‑电压参数更改为步骤S1得到的与栅宽Lgate相关的参数，通过本发明，可提高SOI工艺中二极管模型的适用性。
一种提高 soi 工艺二极管模型适用性方法系统

[发明专利]CMOS射频开关的仿真方法、装置及通信终端-CN201911263033.4有效
发明人： 范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种CMOS射频开关的仿真方法、装置及通信终端。所述方法包括：接收第一值；基于所述第一值，获得第一函数的当前值；所述第一函数以所述CMOS射频开关施加的栅极电压值为自变量的函数，且在所述CMOS射频开关处于开态时，所述第一函数的值为第一函数值，在所述CMOS射频开关处于关态时，所述第一函数的值为第二函数值；所述第一函数值小于第二函数值；接收第二值；接收第三值；基于所述第二值及第三值，输出所述CMOS射频开关的关态电容值；基于所述第二值、第三值及所述第一函数的当前值，输出所述CMOS射频开关的开态电阻值。采用上述方案，可以提高基于SOI工艺的CMOS射频开关的仿真速度。
cmos 射频开关仿真方法装置通信终端

[发明专利]一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法及系统-CN201910057299.7有效
发明人：张昊;范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法及系统，所述方法包括如下步骤：步骤S1，对器件进行大信号测试，得到三次谐波曲线；步骤S2，根据经验值设置模型及初始模型参数，得到初始电阻模型；步骤S3，根据得到的电阻模型进行高频大信号仿真得到三次谐波曲线，将仿真得到的三次谐波曲线与实测的三次谐波曲线进行比较；步骤S4，根据比较结果确定当前电压系数作为大信号仿真时的电压系数建立射频应用时的模型或返回步骤S2改变电压系数重复上述仿真，通过本发明，可获取适用于高频应用下的电阻电压系数。
一种获取高频应用电阻模型电压系数方法系统

[发明专利]一种SOI工艺中的射频电阻模型-CN201811216554.X有效
发明人： 范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开一种适于SOI工艺的射频电阻模型，包括：电阻网络，用于通过多个电阻表征射频电阻值；分布电容网络，用于通过多个电容模拟该射频电阻的分布电容；衬底等效网络，包括多个由电阻和电容并联构成的衬底等效网络单元，每个等效网络单元连接所述分布电容网络的一电容，用于模拟该射频电阻对衬底的电阻和电容，本发明实现了一种阻抗性能好且与电磁仿真吻合良好的射频电阻模型。
一种 soi 工艺中的射频电阻模型

[发明专利]一种测量深槽电容寄生电阻的方法-CN202210038403.X在审
发明人： 范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量深槽电容寄生电阻的方法，包括如下步骤：步骤S1，在深槽电容的正端电极的两侧对称开窗形成第一测试点(P1)和第二测试点(P2)，在所述深槽电容的GND电极上开窗形成接地测试点(GND)；步骤S2，通过第一测试点(P1)、第二测试点(P2)、接地测试点(GND)连接测试设备和所述深槽电容，测量所述深槽电容的S参数，记录测试结果；步骤S3，根据电路理论，进行S参数到Z参数的变换，得到所述深槽电容的Z参数，从而获得所述深槽电容寄生电阻。
一种测量电容寄生电阻方法

[发明专利]一种新型栅诱导漏极泄漏电流模型-CN201810049423.0有效
发明人： 范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型栅诱导漏极泄漏电流模型，所述电流模型的表达式为：通过本发明，可实现一种精确度较高的栅诱导漏极泄漏电流模型。
一种新型诱导泄漏电流模型

[发明专利]一种验证电容失配测试结果的系统及方法-CN202110170193.5在审
发明人： 范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种验证电容失配测试结果的系统及方法，所述系统包括：若干组实际电容和若干组冗余模拟电容，各组实际电容包括第一叉指结构(10)、第二叉指结构(20)及金属线，用于形成所需测量的电容；各组冗余模拟电容包括第三叉指结构(100)、第四叉指结构(200)及金属线，用于形成所需测量的电容对应的测试结构的连线以及测试系统的寄生电容，所述冗余模拟电容的金属线与其对应的叉指结构在相连处断开。
一种验证电容失配测试结果系统方法

[发明专利]一种SOI工艺中MOS电容测试结构及其实现方法-CN201811217612.0有效
发明人： 范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOI工艺中MOS电容测试结构及其实现方法，所述结构包括：多个MOS电容，各MOS电容用于模拟用户设计的MOS电容；伪MOS电容，用于测量栅极焊盘到其他焊盘的寄生电容，以利用同一个伪MOS电容结构去除所有MOS电容的寄生电容，通过本发明，可在减小占用wafer面积的同时保持测量MOS电容的精确度。
一种 soi 工艺 mos 电容测试结构及其实现方法

[发明专利]降低电阻性元件网络谐波的方法-CN201710079381.0有效
发明人： 范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H02J3/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低电阻性元件网络谐波的方法，包括以下步骤：改变电阻性元件两端直流电压，分别测量不同直流电压下对应的电流值，将电压值除以对应的电流值，计算得到对应的电阻值；多次进行测量后，绘制以直流电压值为横坐标，以计算得到的电阻值为纵坐标的点连接而成曲线；找到曲线的纵坐标的极值点，并将激励该电阻性元件的交流电源电压中增加该极值点所对应的直流偏置电压。电阻性元件为非线性元件。本发明提供的降低电阻性元件网络谐波的方法中，只需简单实验测量和计算，并在交流电源电压中增加一个直流偏置电压即可；设备比较普通常见，而且该直流偏置电压由电阻性元件的特性决定，在各种频率的交流电源电压中无需反复修改参数。
降低电阻元件网络谐波方法

[发明专利]MOS变容器模型的修正方法-CN201510995352.X有效
发明人： 范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种MOS变容器模型的修正方法，采用V_th＝vth0‑dvt0/(cosh(dvt1*(L‑dlv))‑1+α*dvt0)对MOS变容器模型进行修正；其中，vth0、dvt0、dvt1、dlv为待确定未知数，L为变容器的栅极长度，V_th对应电容为(C_meanH+C_meanL)/2处的栅压，记为MOS变容器模型的阈值电压，α为一极小量，其取值范围为【0.00001，0.0005】。V_th在L固定时，可以通过测量获得，取四组(L、V_th)值，获得vth0、dvt0、dvt1、dlv四个未知数的值，从而获得V_th与L的曲线关系，实现了对MOS变容器模型进行了修正，使其中的V_th与栅极长度L关联。
mos 容器模型修正方法

[发明专利]大信号应用的器件模型参数提取方法-CN201410464729.4有效
发明人： 范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提出了一种大信号应用的器件模型参数提取方法，在对器件模型进行大信号应用下的参数提取过程中，同时调节平衡参数，由于平衡参数能够改善大信号应用下器件模型的仿真曲线并且对小信号应用下器件模型的仿真曲线影响较小，因此，在进行大信号应用下的参数进行优化，获得较为准确的参数。
信号应用器件模型参数提取方法

[发明专利]阻抗调节器校准系统及校准方法-CN201510996513.7有效
发明人： 范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：一种阻抗调节器校准系统及校准方法，采用形成于晶圆的直通阻抗元件替换阻抗标准基片上的直通元件，一方面利用晶圆上现有的结构或额外制作直通元件成本较低，另一方面，该形成于晶圆的直通阻抗元件上适于与探针配合使用的测试焊盘的材质可以与待测试器件的焊盘材质相同，测试过程中探针与待测试器件焊盘之间的接触电阻、校准过程探针与标准基片上直通元件之间的接触电阻不同引起的测试误差能得以减小，从而提高校准准确度。
校准晶圆待测试器件阻抗调节器接触电阻校准系统阻抗元件焊盘探针标准基片测试过程测试焊盘测试误差校准过程元件成本阻抗标准准确度中探针减小替换制作

[发明专利]一种解决自加热网络收敛问题的方法-CN201410668057.9有效
发明人： 范象泉;张昊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种解决自加热网络收敛问题的方法，包括建立作为用来仿真自加热效应的热流网络的自加热网络电路，其中自加热网络电路包括相互并联连接的晶体管热阻、晶体管热容和晶体管热阻附加项；第二步骤根据建立的自加热网络电路建立仿真式其中，Tsh表示晶体管由于自加热相应而升高的温度；Rth表示晶体管热阻；Cth表示晶体管热容；Pdiss表示晶体管所消耗的功率，也就是晶体管工作时候产生的热量值；Rth_max表示晶体管热阻附加项；而且，Rth_max>>Rth。
一种解决加热网络收敛问题方法

[发明专利]双极型晶体管模型及相应的参数提取方法-CN201310156240.6有效
发明人： 范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种双极型晶体管模型及相应的参数提取方法，双极型晶体管模型包括集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极，集电极和内集电极位于集电区，基极和内基极位于基区，发射极和内发射极位于发射区，集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极上均设有金属孔，集电极和内集电极、基极和内基极、发射极和内发射极分别由其上设有的金属孔经金属线连出，各金属线分别连接至一探针垫，探针垫用于接触探针。本发明通过探针接触各探针垫获得模型寄生参数；通过模型寄生参数修正双极型晶体管SPICE模型参数；通过参数被修正后的双极型晶体管SPICE模型进行计算机模拟，克服了传统的双极型晶体管SPICE模型存在的模型参数提取不精确的缺陷。
双极型晶体管模型相应参数提取方法

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