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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]外延基板及其制造方法-CN201910509872.3有效
发明人：施英汝;庄志远;范俊一;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种外延基板及其制造方法。所述外延基板包括硅基板以及碳化硅层。硅基板具有相对的第一表面与第二表面，其中第一表面为外延面。碳化硅层位于硅基板内，且碳化硅层与第一表面之间的距离介于与500埃之间。
外延及其制造方法

[发明专利]外延基板-CN201910057928.6有效
发明人： 范俊一;庄志远;施英汝 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种外延基板。所述外延基板包括基板结构，所述基板结构具有上部与下部，其中上部具有与基板结构的厚度方向平行的第一侧面、下部具有与基板结构的厚度方向平行的第二侧面以及第一侧面与第二侧面之间具有一距离，且所述距离介于0.1mm～3mm。
外延

[发明专利]外延基板及其制造方法-CN201910085205.7有效
发明人：施英汝;庄志远;李奇泽;范俊一;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种外延基板及其制造方法。所述外延基板包括元件基板与处理基板。元件基板具有相对的第一表面与第二表面以及介于第一与第二表面之间的斜面。所述处理基板则接合于所述元件基板的第二表面，其中元件基板的氧含量小于处理基板的氧含量，且所述元件基板的斜面与处理基板之间具有大于90°的接合角度。
外延及其制造方法

[发明专利]半导体基板及其加工方法-CN201710251831.X有效
发明人： 范俊一;庄志远;施英汝;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板及其加工方法，半导体基板包含一磊晶区、一边缘区与一损伤层。磊晶区位于半导体基板的主平面中央，边缘区围绕磊晶区，且损伤层分布于边缘区内。
半导体及其加工方法

[发明专利]外延基板及其制造方法-CN201810212358.9有效
发明人： 范俊一;庄志远;林嫚萱;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种外延基板及其制造方法。所述外延基板包括处理基板、位于处理基板上的散热层、位于散热层上的高阻硅基板以及成长于高阻硅基板上的III‑V族半导体层。所述高阻硅基板的电阻值大于100欧姆·厘米。所述高阻硅基板与所述III‑V族半导体层的直径小于所述处理基板的直径，使所述外延基板为凸型基板。
外延及其制造方法

[发明专利]一种外延接合基板及其制造方法-CN201810086543.8有效
发明人： 范俊一;庄志远;林嫚萱;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种外延接合基板及其制造方法，其制法包括有：提供一第一基板，该第一基板具有一第一掺杂浓度；提供一第二基板，该第二基板具有一第二掺杂浓度，该第二掺杂浓度小于该第一掺杂浓度；使第二基板的一第二表面与第一基板的一第一表面相接合，以形成一接合基板；对接合基板进行退火处理，以在接合基板中形成一高阻抗层；而后视需求将一部分的第二基板移除以显露出该高阻抗层。藉此，通过此方法所制成的外延接合基板具有强度较佳的重掺杂浓度的基板以及形成于其上的高阻抗层，可有效提升基板的强度、降低漏电流以及提升击穿电压的耐受度。
一种外延接合及其制造方法

[发明专利]晶圆承载盘-CN201710722783.8有效
发明人：林塘棋;范俊一;林嫚萱;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆承载盘包括母盘、数个子盘和数个插梢。母盘具有数个第一凹槽；数个子盘分别设置于第一凹槽内，且每个子盘具有承载晶圆的第二凹槽以及与第一凹槽的侧面嵌合的嵌合斜面，其中在嵌合斜面与一水平面之间具有20度至45度的第一夹角，且第二凹槽具有与晶圆的平口相应的平口侧，平口侧设置有屋檐部。插梢分别位于母盘与子盘之间，用以固定子盘。本发明的晶圆承载盘能够解决在旋转时离心力造成的晶圆内缘容易飘离的现象发生，不仅使晶圆均匀受热且可有效实现均匀成膜。
晶圆母盘平口嵌合晶圆承载盘插梢子盘均匀受热有效实现承载盘固定子成膜内缘种晶屋檐承载侧面

[发明专利]晶圆制作方法-CN201510297986.8有效
发明人：叶哲良;庄志远;范俊一;徐文庆 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆制作方法，所述方法包含在晶棒表面上形成纳米柱；在晶棒的表面形成覆盖层以覆盖纳米柱；在覆盖层的表面形成黏胶层；切割晶棒成多个晶圆；以及通过溶剂将晶圆上的覆盖层及黏胶层同时移除，其中溶剂与覆盖层起化学反应，而不与晶圆起化学反应，本发明的特点在于形成覆盖层来覆盖住纳米柱，且覆盖层能以化学反应去除，解决了残胶的问题，此外，本发明的方法能在低温环境下操作，操作流程不会暴露于毒性环境中，也能降低金属元素的扩散现象。
制作方法

[发明专利]边缘氧化层剥除装置及晶圆边缘氧化层的剥除方法-CN201510298057.9有效
发明人： 范俊一;林塘棋;徐文庆 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种边缘氧化层剥除装置及边缘氧化层的剥除方法，所述装置包含剥除器本体及气罩，剥除器本体包含承载本体、承载盘、输入端及输出端，所述方法包含提供晶圆输入保护液体以覆盖住晶圆氧化层的保留区域，并露出欲去除的边缘氧化层、形成封闭空间、输入含氟刻蚀气体至封闭空间中，使含氟刻蚀气体与边缘氧化层反应而剥除，并不断置换保护液体，使得保护液体受含氟刻蚀气体影响大幅降低，刻蚀边缘氧化层能被精确地控制，并使后续磊晶工艺的良率大幅提升。
边缘氧化剥除装置方法

[发明专利]可携式测量治具模组-CN201510132510.9有效
发明人：张志伟;沈澄辉;王柏凯;许松林;范俊一;徐文庆 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： G01B9/10 文献下载
摘要：本发明提供一种可携式测量治具模组，其电气连接一处理单元，以测量待测物的倒角，可携式测量治具模组包含治具本体及镜头模组，治具本体包含凹槽及通孔，凹槽包含两斜面，两斜面分别对应于待测物的两表面，通孔与凹槽连通，镜头模组固定在通孔中，并朝向凹槽，用以撷取待测物两表面间的影像并传送至处理单元，再通过处理单元以影像计算出倒角的角度及起伏，本发明可携式测量治具模组利用对应待测物表面的两斜面作为测量时的参考基准，并可携地利用镜头模组来撷取影像，解决了传统上测量缺乏标准参考点，以及成本过于昂贵的问题。
可携式测量模组

[发明专利]坩埚隔绝层的制造方法及其所应用的喷涂装置-CN201510103363.2有效
发明人：周鸿升;李立伟;余文怀;许松林;范俊一;徐文庆 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明提供一种坩埚隔绝层的制造方法及其所应用的喷涂装置，所述方法包括如下步骤提供喷涂装置，以供下述喷涂步骤使用；加热坩埚并测量其温度，以得到喷涂前温度；采用喷涂单元依照预设喷涂手段将浆料喷涂在坩埚内壁面，以在坩埚内壁面成形隔绝层；测量隔绝层以得到喷涂后温度；取得坩埚在喷涂前后温度的实际差值，并判断实际差值是否落入预设差值范围，其中，预设差值范围为6℃至12℃，当实际差值未落入预设差值范围，则变更预设喷涂手段；当实际差值落入预设差值范围，则对该坩埚重复上述的喷涂步骤。
坩埚隔绝制造方法及其应用喷涂装置

[发明专利]微纳米化芯片及其制造方法-CN201610149245.X在审
发明人：叶哲良;庄志远;范俊一;孙健仁;施英汝;徐文庆 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种微纳米化芯片及其制造方法。该微纳米化芯片，包含一基板及一纳米结构层，该基板具有一第一面与一第二面，该纳米结构层形成于该第二面。该微纳米化芯片的制造方法包含：在该基板的第二面上制作该纳米结构层，以形成该微纳米化芯片。借此，该纳米结构层可以有效地分散应力增加抗折强度，而在该基板的第一面上配置外延层后，避免在后续的外延层产生裂纹、基板翘曲或破片的情形。
纳米芯片及其制造方法

[实用新型]晶圆寻边定位装置及蚀刻机台-CN201120579183.9有效
发明人：林塘棋;范俊一 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶圆寻边定位装置及蚀刻机台。晶圆寻边定位装置用以对具有平口的晶圆进行寻边定位，包括旋转台、夹具、光源及光侦测器。旋转台在其承载平面上具有第一中心点。当晶圆放置于旋转台上时，夹具用以夹住晶圆，以使得晶圆的第二中心点对准第一中心点。光源发射出光束，光束与承载平面具有接触点，其中第一中心点与接触点之间的距离等于第二中心点与平口之间的最短距离。光侦测器用以侦测光束。蚀刻机台包括该晶圆寻边定位装置、一载板和一气罩。载板用以接收并承载来自该晶圆寻边定位装置的该晶圆。气罩设置于该载板上方，当该气罩盖住该载板时，于该气罩内供应一反应气体。
晶圆寻边定位装置蚀刻机台

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