专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种用于制造胶体金试纸的连续式滑膜机-CN202321060452.X有效
  • 施慧敏;杨丹;苏芳 - 苏州快捷康生物技术有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-10-10 - B05C5/00
  • 本实用新型涉及试纸制备设备领域,尤其涉及一种用于制造胶体金试纸的连续式滑膜机。包括固定设置的基座,和胶体金软管,运输机构以及软管支架。其中,胶体金软管设置为多个,内部流通有胶体金溶液;运输机构搭载有试纸,并将试纸沿第一方向运输;软管支架固定于基座上,用于搭载胶体金软管并调整胶体金软管出口处的位置,使其沿第一方向设置于试纸的对应位置。本申请中,试纸在运输机构上沿第一方向行进,胶体金软管与软管支架配合将胶体金溶液附着于试纸上,实现胶体金试纸的自动化制备,减少了人工作业中存在的性能不稳定的问题。
  • 一种用于制造胶体试纸连续式滑膜机
  • [实用新型]一种健身卷腹辅助装置-CN202320639186.X有效
  • 景怀国;刘元强;苏芳 - 广东工业大学
  • 2023-03-28 - 2023-09-15 - A63B23/02
  • 本实用新型公开的属于健身辅助器材技术领域,具体为一种健身卷腹辅助装置,包括仰卧起坐器本体,所述仰卧起坐器本体是由支撑架一、支撑架二、趟板、斜支撑、腿部支撑杆组成,还包括卷腹装置,所述卷腹装置是由卷腹结构和脚支撑调节结构组成,所述卷腹结构安装在趟板底端两侧,所述脚支撑调节结构安装在斜支撑与腿部支撑杆之间,所述趟板右侧与支撑架一顶端固定连接,所述趟板左侧底端与支撑架二顶端固定连接,所述支撑架一右侧固定安装有斜支撑,本实用新型通过将卷腹装置与仰卧起坐器本体组合在一起,在不影响仰卧起坐器本体自身使用的情况下也可以进行卷腹训练,在节省空间的同时,提高使用效率。
  • 一种健身辅助装置
  • [实用新型]一种肢体清创车-CN202320434601.8有效
  • 李丽霞;苏芳;廖婷婷;樊柳宁 - 中国人民解放军联勤保障部队第九二三医院
  • 2023-03-09 - 2023-08-29 - A61G12/00
  • 本实用新型公开了一种肢体清创车,涉及医疗清洗装置领域;其包括安装架和污物桶,所述安装架下端设有万向轮,上端设有清创池,清创池底部设有排污口,污物桶位于排污口下方的安装架上,所述清创池两端还设有置物台,还包括有用于支撑肢体的支撑架,所述支撑架包括伸缩机构和支撑板,伸缩机构可上下伸缩,支撑板安装在伸缩机构的上端,伸缩机构的下端安装在安装架上;该肢体清创车使用万向轮,移动方便,且两端的置物台便于医护人员放置药品及器械;同时通过可伸缩的支撑架对肢体进行支撑,在清理时可根据需要调整肢体高度,降低医护人员的工作量,并且支撑架上还有可转动的转动件,可方便医护人员调整肢体角度。
  • 一种肢体清创车
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310559997.3在审
  • 苏芳;莫丽仪;黄秀洪;罗幸君 - 广东芯粤能半导体有限公司
  • 2023-05-17 - 2023-08-22 - H01L21/336
  • 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括:提供衬底;于衬底一侧表面形成外延层;于外延层远离衬底的表面形成第一导电层;于衬底远离外延层的表面形成第二导电层;并形成沟槽,沟槽沿厚度方向贯穿第一导电层,并延伸至外延层内;于第一导电层和第二导电层施加电压,采用湿法生长工艺,于沟槽的侧壁及底部形成介质层。本申请提供的半导体结构及其制备方法可以提高介质层的成膜质量,进而可以提高半导体结构的电学性能。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202310445749.6在审
  • 黄秀洪;余良;苏芳;杨文敏;相奇;杨俊 - 广东芯粤能半导体有限公司
  • 2023-04-23 - 2023-08-08 - H01L21/336
  • 本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法,包括:提供衬底;于衬底的表面形成第一导电类型的第一外延层;于第一导电类型的第一外延层远离衬底的表面形成第二导电类型的外延材料层,第二导电类型与第一导电类型不同;于第二导电类型的外延材料层远离第一导电类型的第一外延层的表面形成第一导电类型的外延材料层;以第二导电类型的外延材料层作为刻蚀停止侦测层,刻蚀第一导电类型的外延材料层,以得到第一导电类型的第二外延层,第一导电类型的第二外延层内形成有沟槽。本申请的半导体结构的制备方法,可以精确控制所得沟槽的深度,帮助提升半导体结构尺寸的准确性,获得性能优良的器件。
  • 半导体结构制备方法
  • [发明专利]一种基于开挖变形特征的山岭隧道洞口预测模型-CN202310402683.2在审
  • 方鹏;苏芳 - 广西建设职业技术学院
  • 2023-04-17 - 2023-08-04 - G06F30/27
  • 本发明公开了隧道洞口预测模型技术领域的一种基于开挖变形特征的山岭隧道洞口预测模型,包括监测数据预处理模块、GWO阈值模块和GWO‑OSELM模型预测模块;监测数据预处理模块,用于监测开挖时山岭隧道洞口的底边沉降测值,利用时间序列原理构建随机项位移和趋势项位移,并判断隧道洞口的沉降监测值是否等距,并分别对分解得到的时序数据进行归一化操作;GWO阈值模块,用于接收监测数据预处理模块处理后的数据,判断是否达到最大迭代次数,若否,则更新狼群位置,若是,则输出OSELM最优权值及阈值;GWO‑OSELM模型预测模块,用于将结果用于模型训练和预测中,由时间序列原理叠加得到地表沉降总预测值。本模型简单易操作,可对开挖时隧道洞口的地表沉降进行预测。
  • 一种基于开挖变形特征山岭隧道洞口预测模型

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