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[发明专利] 圆筒状蒸发源 -CN201410063566.9 有效
发明人：
J.维特 ;S.埃斯塞 ;J.米勒 ;G.埃肯斯
- 专利权人：
苏舍梅塔普拉斯有限责任公司
申请日：
2014-02-25
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公布日：
2018-11-27
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主分类号：
C23C14/32 文献下载
摘要： 本发明涉及一种圆筒状蒸发源（1），所述蒸发源在圆筒外壁（2）处包括待蒸发的靶材（3）以及第一磁场源（401）和第二磁场源（402），所述第一磁场源和所述第二磁场源形成磁体系统（400）的至少一部分并且被布置在用于产生磁场的圆筒状蒸发源（1）的内部中。在这一方面，第一磁场源（401）和第二磁场源（402）被设置在载体系统（500）处，从而使得磁场的形状和/或强度能够根据预先定义的计划被设置在预先定义的空间区域中。根据本发明，所述载体系统（500）被构造用于设置所述载体系统（500）的所述磁场的形状和/或强度，从而使得所述第一磁场源（401）被布置在第一载体臂（501）处且能够相对于第一枢转轴线（5011）枢转预先定义的第一枢转角度（α1 ）。圆筒状 蒸发
[发明专利] 在基底上沉积层体系的涂布方法和具有层体系的基底 -CN201310313395.6 在审
发明人：
J·费特尔 ;G·埃尔肯斯 ;J·米勒
- 专利权人：
苏舍梅塔普拉斯有限责任公司
申请日：
2013-04-19
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公布日：
2014-09-24
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主分类号：
C23C14/22 文献下载
摘要： 本发明涉及在基底(1)上沉积由硬质材料层形成的层体系(S)的涂布方法，其包括下列方法步骤：提供可抽空的工艺室(2)，该工艺室具有含蒸发材料(M1)的阴极真空电弧蒸发源(Q1)和具有含放电材料(M2)的磁控放电源(Q2)，其中所述磁控放电源(Q2)可在HIPIMS模式下操作。随后仅利用阴极真空电弧蒸发源(Q1)在阴极真空电弧蒸发工艺中在基底(1)的表面上沉积至少一个包含所述蒸发材料(M1)的接触层(S1)。根据本发明，在沉积该接触层(S1)后，通过阴极真空电弧蒸发源(Q1)和磁控放电源(Q2)的平行操作，以纳米结构混合层形式，特别地以混合相中的纳米层中间层(S2)形式或以纳米复合层形式，沉积至少一个包含所述蒸发材料(MI)和所述放电材料(M2)的中间层(S2)。在此方面，所述磁控放电源(Q2)在HIPIMS模式下操作，和随后，仅利用磁控放电源(Q2)沉积至少一个包含所述材料(M2)的顶层(S3)，其中所述磁控放电源(Q2)在HIPIMS模式下操作。此外，本发明涉及具有层体系的基底。基底 沉积 体系 方法 具有
[发明专利] 层体系以及用于制造层体系的涂覆方法 -CN200980157517.9 在审
发明人：
J.韦特 ;G.埃肯斯
- 专利权人：
苏舍梅塔普拉斯有限责任公司
申请日：
2009-07-02
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公布日：
2012-01-25
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主分类号：
C23C28/00 文献下载
摘要： 本发明涉及一种用于在基材（100）表面，特别是工具表面、尤其是成形工具表面上形成表面层的层体系，其中所述层体系包括至少一个组成为(VaMebMcXd)α(NuCvOw)β的第一表面层，其中对于层中存在的N、C、O原子，(a+b+c+d)=α，α=100%，层中所有原子的总和(α+β)=100at%，其中适用40≤α ≤ 80at%，且其中Meb为选自由化学元素周期表中的Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、W、Ni、Cu、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm组成的化学元素组的至少一种元素，Mc为选自由Ti、Cr组成的化学元素组的至少一种元素，Xd为选自由元素周期表中的S、Se、Si、B组成的化学元素组的至少一种元素，且0≤u≤100，0≤v≤100和0≤w≤80。根据本发明，50 ≤ a ≤ 99,1 ≤ b ≤ 50,0 ≤ c ≤ 50且0 ≤ d ≤ 20。体系 以及 用于 制造 方法
[发明专利] 真空电弧蒸发源及带有真空电弧蒸发源的电弧蒸发室 -CN200880012612.5 无效
发明人：
J·维特
- 专利权人：
苏舍梅塔普拉斯有限责任公司
申请日：
2008-03-11
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公布日：
2010-03-31
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主分类号：
H01J37/32 文献下载
摘要： 本发明涉及一种真空电弧蒸发源(1)，其包括环形的磁场源(2)和阴极体(3)，该阴极体(3)带有作为阴极(32)的蒸发材料(31)以用于在阴极(32)的蒸发表面(33)上产生电弧放电。此处，阴极体(3)沿轴向方向在第一轴向方向上由阴极底部(34)所限定且在第二轴向方向上由蒸发表面(33)所限定，并且，环形的磁场源(2)相对于蒸发表面(33)的面法线(300)平行或反平行地极化并相对于蒸发表面(33)的面法线(300)同心地布置。根据本发明，在背离蒸发表面(33)的一侧以可预定的第二距离(A2)在阴极底部(34)前布置有磁场增强环(4)。本发明还涉及带有电弧蒸发源(1)的电弧蒸发室(10)。真空 电弧 蒸发 带有
