专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体用AlN组成成分及其制造方法-CN202310735097.X在审
  • 金时渊 - 苏州艾成科技技术有限公司
  • 2023-06-20 - 2023-09-19 - C04B35/581
  • 本发明公开了一种半导体用AlN组成成分及其制造方法,包括CAS玻璃、Y2O3、MgO与CaCO3,所述CAS玻璃添加量以0.5~2wt%为宜,所述Y2O3、MgO与CaCO3烧结添加剂含量以0.5~2wt%为宜,所述CAS玻璃包括CaO、SiO2与Al2O3,所述CaO的组成成分为20~60mol%,所述Al2O3的组成成分为10~40mol%,所述SiO2的组成成分为0.1~10mol%。本发明所述的一种半导体用AlN组成成分及其制造方法,改善了AlN烧结时使用的烧结助剂的组成成分,从而改善了绝缘特性,将glass作为AlN的烧结添加剂应用,在开发新组成成分的同时,改善半导体用AlN的电气特性本质问题。
  • 一种半导体aln组成成分及其制造方法
  • [实用新型]用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器-CN202320462147.7有效
  • 郑海暎 - 苏州艾成科技技术有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-09-01 - H01H85/046
  • 本实用新型公开了用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器,包括熔断器主体,所述熔断器主体包括第一陶瓷片、第二陶瓷片与第三陶瓷片,所述第一陶瓷片位于第二陶瓷片的上端表面位置,所述第三陶瓷片位于第二陶瓷片的下端表面位置,所述熔断器主体连接有二次电池、电压感应器、开关与电源,所述电压感应器与开关之间连接,所述第一陶瓷片上电性设置有第一电极、第二电极、保险丝与第三电极,所述保险丝位于第三电极上端的位置。本实用新型所述的用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器,通过使用LTCC材料并通过同时烧结工艺以简化工艺来形成产品,从而降低了工艺成本,并内置了加热材料,从而具有短的熔断时间。
  • 用于保护电流电压双重模式陶瓷芯片熔断器
  • [发明专利]用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器-CN202310234414.X在审
  • 郑海暎 - 苏州艾成科技技术有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-07-07 - H01H85/046
  • 本发明公开了用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器,包括熔断器主体,所述熔断器主体包括第一陶瓷片、第二陶瓷片与第三陶瓷片,所述第一陶瓷片位于第二陶瓷片的上端表面位置,所述第三陶瓷片位于第二陶瓷片的下端表面位置,所述熔断器主体连接有二次电池、电压感应器、开关与电源,所述电压感应器与开关之间连接,所述第一陶瓷片上电性设置有第一电极、第二电极、保险丝与第三电极,所述保险丝位于第三电极上端的位置。本发明所述的用于保护过电流、电压的双重模式陶瓷芯片熔断器,通过使用LTCC材料并通过同时烧结工艺以简化工艺来形成产品,从而降低了工艺成本,并内置了加热材料,从而具有短的熔断时间。
  • 用于保护电流电压双重模式陶瓷芯片熔断器
  • [实用新型]一种用于流延的浆料坝-CN202320636182.6有效
  • 金时渊 - 苏州艾成科技技术有限公司
  • 2023-03-28 - 2023-07-04 - E02D15/02
  • 本实用新型公开了一种用于流延的浆料坝,包括浆料坝主体,所述浆料坝主体的两侧均一体成型有侧坝,所述侧坝内侧靠近进料端的位置活动设置有坝体,所述浆料坝主体与坝体之间开设有缓料竖井,所述浆料坝主体底部定位有坝座,所述侧坝的后端开设有出料口,所述坝体的上端两侧位置分别一体定位有第一连接座与第二连接座,所述第一连接座的上端定位安装有第一升降调节板,所述侧坝外侧对应第一连接座的位置定位安装有第一伺服电机。本实用新型所述的一种用于流延的浆料坝,将门改为打开式的以使用剩余浆料的结构,并将金属材料的主体的一部分改为轻的特氟隆材料,以提高工作效率,即大幅扩大生产效率。
  • 一种用于浆料
  • [实用新型]一种烧结用的基板-CN202222542442.1有效
  • 金时渊 - 苏州艾成科技技术有限公司
  • 2022-09-26 - 2023-06-16 - F27B21/08
  • 本实用新型公开了一种烧结用的基板,包括基板主体,所述基板主体的底部边缘位置一体成型有耐温密封结构,所述基板主体上开设有把手槽,所述把手槽的内侧活动卡合设置有把手,所述把手槽的前后两侧底部位置均开设有把手活动槽,所述把手的一侧位置一体定位有轴体,且轴体伸出把手的两端位置,所述轴体与把手活动槽配合,所述把手上开设有第一手指槽与第二手指槽,所述把手的头端中部开设有拇指槽,所述第一手指槽、第二手指槽、拇指槽表面均一体成型有耐温防护结构。本实用新型所述的一种烧结用的基板,在烧结用基板上增加制作把手,可以最小化固定边缘部分需要的空余空间,坩埚与产品的间距缩小,可以防止不均匀的温度分布。
  • 一种烧结
  • [实用新型]一种用于流延成型的浆料调整装置-CN202222156706.X有效
  • 金时渊 - 苏州艾成科技技术有限公司
  • 2022-08-16 - 2023-05-05 - B28B1/29
  • 本实用新型公开了一种用于流延成型的浆料调整装置,包括斜底座、U形坝、滚筒,所述斜底座顶部的一端设置有第一三角板,所述第一三角板的顶部外侧固定连接有U形板,所述U形坝顶部的中部固定连接有顶板,所述第一三角板上表面的中部固定连接有第二三角板,所述顶板的正中螺纹连接有丝杆,所述U形坝顶部靠近滚筒的前后两侧对称固定连接有固定板,两个所述固定板的相对一侧转动连接有双向螺杆。该用于流延成型的浆料调整装置,通过设置的丝杆、顶板、第一三角板、第二三角板、U形板的相互配合可以调节U形坝的高度,进而可以调节浆料的高度,即使浆料粘度较低,在不增加其他消泡剂或者脱泡工程的情况下仍然可制作较厚的薄片。
  • 一种用于成型浆料调整装置
  • [发明专利]一种ZTA产品的热处理特性改善方法-CN202211401751.5在审
  • 姜南求;朴灿映 - 苏州艾成科技技术有限公司
  • 2022-11-09 - 2023-02-03 - H05K3/02
  • 本方法公开了一种ZTA产品的热处理特性改善方法,包括以下操作步骤:S1:准备原材料;S2:AMBpaste的涂抹;S3:铜sheets的处理;S4键合处理;S5:与ZTA基板进行蚀刻;S6:蚀刻后处理。本方法所述的一种ZTA产品的热处理特性改善方法,通过在ZTA基板上采用改善后的AMB方式,键合后,去除了基板的小型间隙及细微间隙,可以改善良率及品质,键合更加厚式样的铜sheets,可改善电和热特性,在形成焊料突出结构时,形象化了抑制(stress已分散)基板上的stress发生的现象,由于这样的效果,在使用0.4t以上的铜时,可确保具有比DCB0.3t更加稳定的性能,在相同的热冲击条件下,可看出至少2倍以上的显著改善效果,同时具有更高的热导率,高电流用量,散热快及热循环后可靠性优越的较高的特性。
  • 一种zta产品热处理特性改善方法
  • [发明专利]一种氮化硅烧结用辅助剂-CN202211225014.4在审
  • 金时渊 - 苏州艾成科技技术有限公司
  • 2022-10-09 - 2022-12-27 - C04B35/584
  • 本发明公开了一种氮化硅烧结用辅助剂,主要包括二氧化硅、三氧化二钇与氧化镁,所述二氧化硅、三氧化二钇与氧化镁之间高温混合反应,且优化比例为:所述二氧化硅的份额为20~60mol%,所述三氧化二钇的份额为0.1~10mol%,所述氧化镁的份额为30~60mol%,其中,所述氧化镁与三氧化二钇高温反应可形成液状,且根据比例的不同,与二氧化硅高温反应形成液状,所述二氧化硅、三氧化二钇与氧化镁之间最优化比例为:所述二氧化硅的份额为58mol%,所述三氧化二钇的份额为2mol%,所述氧化镁的份额为40mol%。本发明所述的一种氮化硅烧结用辅助剂,作为氮化铝、氮化硅、碳化硅等的烧结中需要的烧结辅助剂使用,改善氮化物烧结时使用的烧结辅助剂的液状形成机制并提高烧结性。
  • 一种氮化烧结辅助剂
  • [实用新型]一种铜预氧化网带结构-CN202220734312.5有效
  • 姜南求;朴灿映 - 苏州艾成科技技术有限公司
  • 2022-03-31 - 2022-08-12 - B65G15/48
  • 本实用新型涉及一种铜预氧化网带结构,包含铜预氧化网带本体、多个竖直设置在铜预氧化网带本体上的支撑柱;多个所述支撑柱设置有多列,且至少设置有两排;本实用新型通过在铜预氧化网带本体上设置多个竖直放置的支撑柱,能使铜板与铜预氧化网带本体间隔放置,防止接触时产生的不均匀氧化,同时尽量减少接触面,防止污染,且结构简单,降低了生产成本。
  • 一种氧化结构

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