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[发明专利]一种红外图像传感器及其制作方法-CN201610343680.6有效
发明人：彭坤;刘开锋;刘红元 -专利权人： 苏州智权电子科技有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外图像传感器，包括：P型硅衬底，在所述P型硅衬底上形成的CMOS，在所述P型硅衬底上形成的红外光电二极管，所述红外光电二极管包括硫化锌层和位于所述硫化锌层上方的碲镉汞层。本发明的红外图像传感器中，将硫化锌、碲镉汞薄膜先后沉积于硅衬底表面形成的深沟槽内，形成可探测红外光波的红外光电二极管，结合了传统硅基技术上的大规模集成电路制造、以及先进的红外探测器原理，给出可以实现高度集成、低成本的红外图像传感器，从而可以制备消费电子类的红外摄像器，本装置集成度高、加工成本低、稳定性好、适合大规模的生产。
一种红外图像传感器及其制作方法

[发明专利]一种红外图像传感器及其制作方法-CN201610343679.3有效
发明人：彭坤;刘开锋;刘红元 -专利权人： 苏州智权电子科技有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型红外图像传感器，包括：P型硅衬底、第一CMOS、第二CMOS、红外光电二极管、硅基光电二极管。本发明将可探测红外光波的红外光电二极管组成的第一感光单元，与可探测可见光的硅基光电二极管组成的第二感光单元，可按多种矩阵排列在图像传感器CIS的感光阵列，从而可实现同时对可见光、红外光的探测，光电成像。将硫化锌、碲镉汞薄膜先后沉积于硅衬底表面形成的深沟槽内，形成可探测红外光波的红外光电二极管，结合了传统硅基技术上的大规模集成电路制造、以及先进的红外探测器原理，给出可以实现高度集成、低成本的红外图像传感器，本装置集成度高、加工成本低、稳定性好、适合大规模的生产。
一种新型红外图像传感器及其制作方法

[发明专利]一种红外光敏二极管及其制备方法-CN201610303707.9有效
发明人：彭坤;刘开锋;刘红元 -专利权人： 苏州智权电子科技有限公司
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外光敏二极管，包括硅衬底、第一陶瓷纤维层、第一电阻薄膜层、硫化锌层、碲镉汞层、第二电阻薄膜层、第二陶瓷纤维层、第一钝化保护层、第一电极、第二电极。第一电极的电极连接部依次穿过所述第一钝化保护层、所述第二陶瓷纤维层、所述碲镉汞层、所述硫化锌层与所述第一电阻薄膜层连接，所述第二电极的电极连接部依次穿过所述第一钝化保护层、所述第二陶瓷纤维层与所述第二电阻薄膜层连接。本发明的红外光敏二极管的制备方法结合了传统硅基技术上的大规模集成电路制造、以及先进的红外探测器原理，该红外二极管集成度高、加工成本低、稳定性好、工艺可靠性好。
一种红外光敏二极管及其制备方法

[实用新型]一种柔性精密电阻器-CN201320823124.0有效
发明人：彭坤;刘开锋;刘红元 -专利权人： 苏州智权电子科技有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柔性精密电阻器，其从下至上由第一陶瓷纤维层、电阻薄膜层、第二陶瓷纤维层以及保护层构成，电阻体外部包覆有钝化保护层；电极的电极连接部穿过钝化保护层、保护层以及第二陶瓷纤维层与电阻薄膜层相连。第一陶瓷纤维层和第二陶瓷纤维层为柔韧性良好的陶瓷纤维层；电阻薄膜层为可提供高精度、低温漂系数的金属、合金材料层；保护层以及钝化保护层为可以提供钝化保护的无机、有机化合物薄膜层。本实用新型在金属电阻薄膜层上下包覆陶瓷纤维层，而陶瓷纤维热稳定性能良好，同时具有均匀、连续、致密，柔韧性良好等力学性能，制成的电阻器也具有柔韧性良好、高精度以及低温漂系数的优点，可适用于打线连接的集成电路产品。
一种柔性精密电阻器

[发明专利]一种柔性精密电阻器及其制备方法-CN201310681881.3有效
发明人：彭坤;刘开锋;刘红元 -专利权人： 苏州智权电子科技有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01C17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性精密电阻器及其制备方法，其从下至上由第一陶瓷纤维层、电阻薄膜层、第二陶瓷纤维层以及保护层构成，电阻体外部包覆有钝化保护层；电极的电极连接部穿过钝化保护层、保护层以及第二陶瓷纤维层与电阻薄膜层相连。第一陶瓷纤维层和第二陶瓷纤维层为柔韧性良好的陶瓷纤维层；电阻薄膜层为可提供高精度、低温漂系数的金属、合金材料层；保护层以及钝化保护层为可以提供钝化保护的无机、有机化合物薄膜层。本发明在金属电阻薄膜层上下包覆陶瓷纤维层，而陶瓷纤维热稳定性能良好，同时具有均匀、连续、致密，柔韧性良好等力学性能，制成的电阻器也具有柔韧性良好、高精度以及低温漂系数的优点，可适用于打线连接的集成电路产品。
一种柔性精密电阻器及其制备方法

[发明专利]一种隧穿场效应浮栅晶体管及其制造方法-CN201310554280.6在审
发明人：刘开锋;刘红元;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 苏州智权电子科技有限公司
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧穿场效应浮栅晶体管，它包括一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在半导体衬底上形成的具有第二种掺杂类型的源极和漏极；在半导体衬底内形成的介于源极和漏极之间的一个沟道区域；在半导体衬底之上形成的覆盖整个沟道区域的第一层绝缘薄膜；在第一层绝缘薄膜之上形成的一个作为电荷存储节点的导电性的浮栅区；在浮栅区和沟道区域之间形成的p-n结二极管；在p-n结二极管与浮栅之间形成的薄栅氧层；覆盖在浮栅区之上的第二层绝缘薄膜；以及在第二层绝缘薄膜之上形成的控制栅极。本发明通过在浮栅区与衬底p-n二极管区之间沉积薄栅氧层，形成新的浮栅晶体管，能够有效地采用高禁带宽度的氧化硅来阻碍浮栅内存储的电子逃逸。
一种场效应晶体管及其制造方法