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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]抛光液及其制备方法、抛光方法、抛光装置-CN202310691792.0在审
发明人：陆继果;汪良;苏双图;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种抛光液及其制备方法、抛光方法、抛光装置，抛光液为无磨料抛光液，抛光液包括如下组分：电解液、氧化剂、光亮剂、平整剂、pH调节剂和水，其中，光亮剂用于提高待抛光件表面的光亮度，平整剂用于降低待抛光件表面的粗糙度。光亮剂和平整剂的加入，使得待抛光件的表面更均匀，且增加了光亮度和平整度，减少待抛光件表面的划伤。
抛光及其制备方法装置

[实用新型]游星轮结构和双面研磨设备-CN202320303127.5有效
发明人：周晨;苏双图;汪良;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B24B37/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硅晶片加工技术领域，具体而言，涉及一种游星轮结构和双面研磨设备。游星轮结构，包括轮面，以及设置在轮面外周缘的转动齿；轮面上设置有多个流液孔和多个尺寸相同的晶片孔；多个晶片孔沿轮面的周向布置，且相邻的晶片孔之间设置有至少一个流液孔；晶片孔的数量至少为3个。如此既能有效提高双面加工效率，也能有效地降低单片加工成本。
游星结构双面研磨设备

[实用新型]一种研磨调整器及研磨修正轮-CN202222818846.9有效
发明人：周晨;汪良;苏双图;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本申请公开了一种研磨调整器及研磨修正轮。该研磨修正轮包括若干毛刷区和若干丸片区，毛刷区和丸片区沿研磨修正轮表面周向间隔设置。通过上述方式，本申请提供的研磨修正轮能同时对研磨垫进行刷洗和修正，提高了对研磨垫的调整效率。
一种研磨调整器修正

[发明专利]切割液调整方法-CN202310690104.9在审
发明人：陈微;苏双图;汪良;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及切割液调整方法，包括用切割液进行碳化硅晶体切割，切割液包括切割油和磨粒；检测切割液的粘度η和切割液中粒径大于目标值的磨粒的分布占比K；基于η和K，确定是否向切割液中添加切割油和/或磨粒；该方法能够降低切割成本，同时保证切割液稳定的切割能力，改善因切割液不稳定而导致切割面型不稳定、切割品质降低的问题。
切割调整方法

[实用新型]一种晶圆清洗设备-CN202320007260.6有效
发明人： 苏双图;张洁;汪良 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆清洗设备，其包括载物机构，用于承载和旋转晶圆；清洗机构，包括设在载物机构的一侧并用于清洗晶圆的第一表面的第一清洗组件，以及设在载物机构的另一侧并用于清洗晶圆的第二表面的第二清洗组件。与传统单面清洗的方法相比，本申请实施例提供的晶圆清洗设备的第一清洗组件和第二清洗组件能够在载物机构的协助下实现同时清洗晶圆的两个表面，显著提高了晶圆清洗的效率和质量。
一种清洗设备

[发明专利]一种抛光液及其制备方法-CN202310139431.5在审
发明人：罗虎;张洁;汪良;苏双图 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本披露公开了一种抛光液，该抛光液包括微粉料和水基复合基载液，其中所述微粉料和所述水基复合基载液的质量配比为：所述微粉料为2‑40份，所述水基复合基载液为60‑98份；所述微粉料包括磨粒和纳米石墨粉。本披露的抛光液在对被抛光物体进行抛光时，增强了抛光过程被抛光物体与抛光垫界面的润滑性能，加速抛光过程中的排屑，有效减少磨粒团聚，降低对被抛光物体表面造成的刮伤等损坏，提高抛光质量。
一种抛光及其制备方法

[实用新型]晶圆承载装置和晶圆清洗设备-CN202222717266.0有效
发明人： 苏双图;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B08B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆承载装置和晶圆清洗设备，涉及晶圆处理技术领域。一种晶圆承载装置包括：支架；支撑柱组件，支撑柱组件安装于支架上；其中，支撑柱组件包括彼此平行设置的两根底部支撑柱，两根底部支撑柱位于过晶圆的重心且沿重力方向设置的竖直参考线的两侧；支撑柱组件进一步包括与底部支撑柱平行设置的至少一根侧向支撑柱，侧向支撑柱设置成沿预设的调整轨道相对于支架位置可调，以使得不同尺寸的晶圆保持在两根底部支撑柱上。通过调整侧向支撑柱在调整轨道上的位置，实现不同尺寸的晶圆的承载；可以方便非标准尺寸的晶圆的承载，减少承载装置数量。
承载装置清洗设备

[发明专利]复合型抛光液及其制备方法-CN202211358821.3在审
发明人：陆继果;汪良;苏双图;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合型抛光液及其制备方法。该复合型抛光液包括：0.1‑5份包覆型金刚石、1‑30份包覆型氧化铈、0.1‑3份悬浮剂、0.2‑3份分散剂、0.1‑10份无机盐氧化剂、0.2‑2份无机盐阳离子调节剂、0.5‑4份pH调节剂以及43‑97.8份去离子水；包覆型金刚石为表面包覆有聚合物的磨料金刚石，包覆型氧化铈为表面包覆有聚合物的磨料氧化铈，聚合物为六亚甲基四胺、甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、4‑羟基苯并三唑丁酯中的任意两种。本申请公开的技术方案能够有效提升碳化硅器件表面的机械去除速率，降低碳化硅器件表面粗糙度，并能够降低划伤风险以提升碳化硅器件表面抛光质量。
复合型抛光及其制备方法

[发明专利]黏贴装置-CN202110400142.7有效
发明人：许益民;张洁;林武庆;苏双图 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：本申请提供一种黏贴装置，包括操作室、第一定位机构、第二定位机构、涂胶机构和拾取机构。第一定位机构与操作室连接，用于定位碳化硅晶体。第二定位机构与操作室连接，用于定位第二治具。涂胶机构与操作室连接，用于在第一治具和第二治具上设置黏贴剂。拾取机构与操作室连接，用于将第一治具和第二治具输送至涂胶机构，并能将涂胶完成的第二治具黏贴于碳化硅晶体上形成半成品，以及能将半成品输送至第二定位机构以通过第二定位机构定位第二治具；拾取机构还用于将完成涂胶的第一治具黏贴于半成品上。自动化程度高，黏贴过程中误差小，黏贴质量高，利于后续滚圆工序。
黏贴装置

[发明专利]晶片清洗装置及晶片清洗设备-CN201911313529.8有效
发明人：张洁;苏双图;林武庆;王泽隆 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶片清洗装置及晶片清洗设备，涉及清洗设备技术领域。所述晶片清洗装置包括：间隔设置的夹持机构和刷体，所述夹持机构用于夹持晶片；所述刷体用于抵接在所述晶片的待清洗面，所述刷体能够相对于所述夹持机构在所述晶片的待清洗面上运动，以使所述刷体刷洗所述晶片的待清洗面。刷体能够抵接在所述晶片的待清洗面，然后刷体在晶片的待清洗面上进行擦洗，从而将晶片表面的杂质擦洗掉，尤其是针对粘在晶片表面且不溶于清洗液的杂质，擦洗更为有效，使用本发明实施例提供的晶片清洗装置可以使晶片待清洗面更加洁净。
晶片清洗装置设备

[发明专利]晶片面型加工装置-CN202010220765.1有效
发明人：张洁;苏双图;林武庆;王泽隆 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶片面型加工装置，涉及半导体单晶材料加工领域，所述晶片面型加工装置包括：打磨机构、第一固定机构和第二固定机构，打磨机构包括打磨盘；第一固定机构包括固定槽，固定槽的底面设置有容纳槽，固定槽和容纳槽用于容纳连接介质溶液，固定槽与容纳槽形成阶梯结构，阶梯结构用于支撑晶片的第一面，第一固定机构用于通过固化的连接介质溶液将晶片的第一面粘接在第一固定机构上，以使打磨盘能够对晶片的第二面进行打磨；第二固定机构用于与晶片上已经加工完的第二面进行连接，以使所述打磨盘能够对晶片的第一面进行打磨。
晶片加工装置

[发明专利]碳化硅衬底蚀刻治具-CN202011644347.1在审
发明人：王泽隆;张洁;林武庆;苏双图;陈文鹏 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅衬底蚀刻治具，涉及碳化硅生产技术领域。该碳化硅衬底蚀刻治具包括多个容置盘和转轴。容置盘用于容置碳化硅衬底。多个容置盘层叠设置，转轴与多个容置盘转动连接，且任意一个容置盘均能够独立绕转轴转动。该碳化硅衬底蚀刻治具能够保护碳化硅衬底，降低碳化硅衬底被磕碰的几率，且蚀刻效率较高，蚀刻效果较好。
碳化硅衬底蚀刻

[发明专利]晶体置中夹持装置-CN202010240166.6有效
发明人：林宏泰;张洁;林武庆;苏双图 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体置中夹持装置，涉及半导体材料加工技术领域，所述晶体置中夹持装置包括：第一治具、第二治具、夹持机构和顶针机构，所述第一治具和第二治具用于粘接在晶体的相对两端面，所述第一治具和第二治具的中心位置均设置有定位孔；所述夹持机构用于夹持晶体和第一治具，所述顶针机构位于所述夹持机构的一侧，且所述顶针机构能够朝向或者远离所述夹持机构运动，以使所述顶针机构能够与所述夹持机构内的晶体上方的第一治具或者第二治具的定位孔抵接。
晶体夹持装置

[发明专利]一种碳化硅晶体快速定向方法-CN201811282639.8有效
发明人： 苏双图;张洁;林武庆;赖柏帆 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体快速定向方法，利用切割前定向治具，直接把粘好玻璃棒的碳化硅晶棒通过胶水固定在切割前治具的平台上，然后通过切割前治具上的螺钉和蜗轮、蜗杆相互结合实现切割前治具上的平台能过进行水平和垂直方向上的运动，从而能够实现碳化硅晶棒水平和垂直方向角度的测量及定向，可以解决目前碳化硅晶棒切割前定向，存在操作性繁琐，精度低、耗时长等的问题，具有操作简单，耗时短，效率高，对人员操作要求低，精度高且不用将玻璃棒拿到磨床上进行研磨，成本低的特点。
一种碳化硅晶体快速定向方法

[发明专利]多线切割装置、多线切割方法及其用途-CN201910065764.1有效
发明人：林武庆;张洁;苏双图;赖柏帆 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种多线切割装置、多线切割方法及其用途，涉及多线切割领域，该多线切割装置包括：至少一对平行线轴，以及，缠绕于所述线轴上的多根平行线锯组成的线网；其中，所述线锯与所述平行线轴的垂线倾斜设置。利用该多线切割装置能够缓解现有衬底晶片切割精度低，角度偏差超标的技术问题，达到提高切割精度的技术效果。
切割装置方法及其用途

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