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[发明专利]带保护结构的匀胶机托盘-CN201310685554.5有效
发明人： 花国然;王强;朱海峰;徐影;邓洁 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B05C11/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种带保护结构的匀胶机托盘，包括：硅片承片台、真空吸片结构和伞状保护结构；所述硅片承片台包括：硅片承载平面、储胶槽和凸台；所述真空吸片结构包括：上端和真空吸片口，并且所述真空吸片口与所述硅片承载平面间的垂直距离大于3mm；所述伞状保护结构安装在所述凸台的顶部，位于所述储胶槽内。通过上述方式，本发明能够有效保护真空吸片口，阻挡光刻胶被吸入真空吸片口内，避免了真空吸片口因吸入光刻胶而导致的吸力不足或堵塞，避免了对匀胶台的损伤。
保护结构匀胶机托盘

[发明专利]匀胶机托盘结构-CN201310686050.5有效
发明人： 花国然;王强;朱海峰;徐影;邓洁 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B05C11/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种匀胶机托盘结构，包括：硅片承片台和真空吸片结构，所述硅片承片台的顶端有一硅片承载平面，沿着所述硅片承载平面的中心向内开设有一储胶槽，并且所述储胶槽的槽壁为向内凹进的圆弧形，在所述储胶槽的中间还设有一圆台形的凸台；所述真空吸片结构包括：上端和真空吸片口，并且所述真空吸片口与所述硅片承载平面间的垂直距离大于3mm。通过上述方式，本发明能够有效地阻挡光刻胶被吸入真空吸片口内，避免了真空吸片口因吸入光刻胶而导致的吸力不足或堵塞；同时具有大容量储胶槽，能够储存较多被甩出的光刻胶，并防止流入储胶槽内的光刻胶再次被甩出，避免了对匀胶台的损伤。
匀胶机托盘结构

[发明专利]一种基于中点追踪的图像定位控制双探针自动测试装置-CN201310610557.2有效
发明人：王强;花国然;章国安;徐影;邓洁 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种基于中点追踪的图像定位控制双探针自动测试装置，包括承载台、两个探针支架、主控计算机、驱动装载有探针支架的测试头组件在水平面内旋转的细分驱动器、驱动测试头组件在三轴方向移动的三轴步进电机、设置于承载台上方且拍摄方向朝下的摄像头，测试头组件具有使第一、第二探针支架水平镜像移动的第三驱动机构。本发明双探针自动测试仪利用图像定位控制技术进行测试点中点追踪实现双探针的自动定位，从而实现样品两个测试点的自动化定位测试，大大降低了测试人员的劳动强度，提高了测试准确性；本发明定位方式新颖，巧妙地运用转动式测试头组件、移动可张开式双探针，能够准确的将探针定位至待测样品的任意两个测试点，使本发明双探针自动测试装置能够满足测试需要。
一种基于中点追踪图像定位控制探针自动测试装置

[发明专利]一种基于位图追踪法的双探针自动测试平台-CN201310605935.8有效
发明人：王强;花国然;张士兵;程实;徐影;邓洁 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种基于位图追踪法的双探针自动测试平台，主要包括底座、承载台、第一探针支架、第二探针支架、主控计算机、驱动所述承载台在水平面内旋转和抬升的第一驱动机构、设置于承载台上方且拍摄方向朝下的摄像头，承载台可以旋转和抬升，并且能够在Y轴方向移动；第一、第二探针支架可以水平同向移动移动及水平镜像对称移动。本发明利用位图控制技术实现双探针的自动定位，从而实现样品两个测试点的自动化定位测试，大大降低了测试人员的劳动强度，提高了测试准确性；本发明定位方式新颖，巧妙地运用转动可移动式承载台、可移动对称张开式双探针支架，能够将探针定位至待测样品的任意两个测试点，使本发明双探针自动测试平台能够满足测试需要。
一种基于位图追踪探针自动测试平台

[发明专利]一种基于激光氧化法的P型硅太阳能电池PN结结深测量方法-CN201310496422.8有效
发明人： 花国然;王强;徐影;邓洁;胡传志 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G01B21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于激光氧化法的P型硅太阳能电池PN结结深测量方法，利用激光能量高，局部加热效果好的特点，在纯氧环境下，对硅表面进行加热氧化，然后逐层去除氧化层，达到逐层剥离表层硅材料的目的；由于激光加热在纯氧环境下进行，形成的氧化物固定了表层的杂质，减少了表层杂质的挥发；并且本发明利用磷元素易在氧化层/硅界面富集的原理，针对通过热扩散所形成的扩散区表面浓度大，体内浓度小的特点，使得磷元素由于热作用而导致的杂质浓度降低的现象受到抑制，从而降低杂质产生再分布对测量精度的干扰。实验证明，本发明测深测量方法简单易行，测量精确，测量成本低。
一种基于激光氧化太阳能电池 pn 结结深测量方法

[发明专利]一种太阳能电池激光背电极窗口开窗终点判断方法-CN201310496729.8有效
发明人：王强;花国然;徐影;邓洁;胡传志 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G01B21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池激光背电极窗口开窗终点判断方法，利用相同波长和频率的激光对电池片背面进行连续的多次刻蚀，最终得到的电池片背面形成阶梯状结构，分别测量各台阶面下的电池表面电阻率，最终得到激光开窗终点与激光减薄次数的对应关系，从而找到刻除背面钝化层所需的减薄激光重复次数。与传统方法相比较，本发明对背钝化层的减薄采用连续进行的方式，同样的，测量表面电阻率也采用连续进行的方式，这样就大大缩短了检测时间，提高了生产效率；并且最终刻蚀后得到样品能够完整的保留每次刻蚀后的状态信息。本发明的开窗终点判断方法简单易行，成本低，而且精度较高。
一种太阳能电池激光电极窗口开窗终点判断方法

[发明专利]一种多功能自动四探针测试仪-CN201310408946.7有效
发明人：王强;花国然;邓洁;胡传志;程实 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：一种多功能自动四探针测试仪，包括：真空吸片承片台、四探针组件、三轴驱动机构、摄像头及主控计算机，四探针组件安装于三轴驱动机构，摄像头的拍摄方向正对真空吸片承片台，摄像头和四探针组件的信号输出端与主控计算机的信号输入端连接，三轴驱动机构的控制信号输入端与主控计算机的控制信号输出端连接。本发明吸片式承片台可以固定破碎的硅片样品，使本发明测试仪具有固定样品的作用，避免在测试过程中的样品移动；摄像头用于拍摄硅片的位置及形状，可通过图像进行定位，实现设备的碎片处理功能；通过对四探针三维驱动机构的控制，可以使得四探针探头在承片台上移动定位，并通过Z轴下压驱动机构实现探针头的自动下压，实现自动测量。
一种多功能自动探针测试仪

[发明专利]一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池-CN201310332313.2在审
发明人：王强;花国然;邓洁 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：T型顶电极背反射薄膜太阳电池，透明顶电极的下表面制有与其材质相同的若干条状凸棱，使顶电极局部形成T型结构，凸棱下方的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜下表面向下凸起形成条状鼓包，对应位置的底电极与透明导电过渡薄膜的接触面具有与凸棱一一对应的条状弧形反射面。本发明顶电极深入薄膜内，提高电极对电流的收集能力；电极上后续淀积的薄膜材料形成弧形鼓包，增加了薄膜电池的面积，增加了电池的受光面；金属底电极具有凹面镜结构的背反射面，增加了电池对反射光的利用，从而提高了电池对光的吸收和利用，进一步提高电池的转换效率。
一种电极反射薄膜太阳电池

[发明专利]一种弧形底电极薄膜太阳电池-CN201310335067.6有效
发明人： 花国然;王强;邓洁;管图华 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：弧形底电极薄膜太阳电池，从上至下包括依次连接的金属顶电极、透明导电薄膜、P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、金属底电极、衬底，金属底电极的上表面具有若干金属导电凸棱，凸棱上方的N型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜、透明导电薄膜具有向上凸起的条状鼓包，金属顶电极设置于透明导电薄膜的条状鼓包的两侧。本发明电池的底电极具有弧形或类弧形凸棱，该凸棱深入薄膜内，提高电极对电流的收集能力；底电极上后续淀积的薄膜材料在凸棱对应位置形成的弧形鼓包，增加了薄膜电池的面积，增加了电池的受光面；薄膜的鼓包形成凸透镜，对入射光具有汇聚的作用，提高了电池对光的吸收和利用，进一步提高电池的转换效率。
一种弧形电极薄膜太阳电池

[发明专利]一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法-CN201310112345.1有效
发明人： 花国然;王强;朱海峰 -专利权人：南通大学
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法，包括：制备底电极；在底电极上淀积P+硅薄膜层；在P+硅薄膜层上淀积P-硅薄膜层；在P-硅薄膜层上淀积N-型硅薄膜层；在电极窗口处的N-型硅薄膜上进行N型杂质的重掺杂，在电极窗口处的N-型硅薄膜层上形成N+型硅薄膜；制备顶电极；淀积包围顶电极的N-型硅薄膜层；激光刻蚀P型硅薄膜通槽，在上述N型硅薄膜层两侧用激光刻蚀出连通所述P-硅薄膜层的通槽；对上述通槽继续进行硅薄膜淀积，形成包围N型硅薄膜的P-硅薄膜层。本发明提高了太阳能电池的受光面积，从而提高了电池的光电转换效率；且制备工艺与现有薄膜电池生产工艺兼容，可利用现有设备进行生产。
一种硅基埋栅薄膜太阳能电池制作方法

[发明专利]一种太阳能电池的选择性掺杂方法-CN201310111615.7无效
发明人：王强;花国然;朱海峰;姚滢;邓洁 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池的选择性掺杂方法，步骤如下：在硅片上表面淀积磷硅玻璃；将淀积后的硅片进行高温扩散，使磷元素扩散入硅片，形成PN结；除去硅片上表面顶电极区以外的磷硅玻璃；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于无氧环境中进行高温扩散，使非硅片顶电极区的磷元素扩散入非晶硅层，顶电极区磷硅玻璃中的磷元素进一步向顶电极区扩散；去除硅片表面的非晶硅层和磷硅玻璃，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
一种太阳能电池选择性掺杂方法

[发明专利]一种选择性掺杂异质结太阳能电池-CN201310110554.2无效
发明人： 花国然;王强;孙树叶;朱海峰 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性掺杂异质结太阳能电池，包括P型晶硅层、N型晶硅层、顶电极、底电极，N型晶硅层的上表面依次淀积有非晶硅层、氮化硅抗反射层，非晶硅层内含有从N型晶硅层扩散入的磷元素，非晶硅层与N型晶硅层之间形成同型异质结，非晶硅层具有容顶电极穿过的槽，氮化硅抗反射层嵌入槽内，非晶硅层与顶电极之间通过所述氮化硅抗反射层绝缘，N型晶硅层的顶电极区为重掺杂区。本结构电池的非晶硅薄膜与电池上表面的结合更紧密，提高了异质结的质量，同时选择性掺杂顶电极区的存在可以进一步减小电池的串联电阻，提高电池的性能。电池中的异质结和选择性顶电极区同步形成，减少了电池的制备工艺步骤，电池中杂质浓度的分布更均匀。
一种选择性掺杂异质结太阳能电池

[发明专利]一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法-CN201310111198.6无效
发明人： 花国然;王强;朱海峰;姚滢;张华 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，步骤如下：将硅片置于有氧环境下进行高温扩散形成PN结，同时硅片上表面被氧化；除去硅片顶电极区以外的氧化层；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散，使非顶电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层，顶电极区氧化层中的掺杂元素向顶电极区扩散，同时非晶硅层及非顶电极区的硅片表面被氧化形成氧化层；去除硅片表面的氧化层，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
一种基于扩散太阳能电池选择性掺杂方法

[发明专利]大尺寸锻造6013型铝合金的固溶时效方法-CN201310060953.2无效
发明人：张福豹;许晓静;花国然;居志兰 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C22F1/047 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸锻造6013型铝合金的固溶时效方法，方法包括将锻造后的6013型铝合金放入温度为560℃～570℃的加热炉中，保温2～4小时后出炉水冷；将固溶处理后的6013型铝合金室温放置（自然时效）96小时以上，将经过自然时效处理的6013型铝合金放入温度为191℃的真空干燥箱中保温4小时，或将所述步骤S2自然时效处理的6013型铝合金经过连续两次的151℃保温8小时和191℃保温8小时的时效处理。本发明的有益技术效果在于，加工出的铝合金硬度为135.5～142.5HV，其晶间腐蚀抗力不低于四级，其抗剥落腐蚀性能不低于PB级，可广泛应用于现代航空航天、武器装备等领域。
尺寸锻造 6013 铝合金时效方法

[发明专利]一种太阳能电池制造方法-CN201210440946.0无效
发明人： 花国然;王强;张竹青;曹海平;周雨薇;朱海峰;居志兰 -专利权人：南通大学
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池制造方法，巧妙的利用氢氟酸缓冲液对二氧化硅、氮化硅的刻蚀比，保留氮化硅掩蔽层作为电池的抗反射层，因此本发明烧制电极之前无需再单独制作抗反射层，简化了工艺，提高了生产效率。本发明利用氮化硅对杂质的阻挡性很好的解决了太阳能电池选择性掺杂的问题。提高了金属电极以下的区域的掺杂浓度，降低了串联电阻，减小了电极以外区域的掺杂浓度减少了光生载流子的复合，提高了短路电流。而非牺牲性的氮化硅掩蔽层的使用既可以防止其他杂质元素扩散进入硅片，又可以将工艺中的氮化硅刻蚀槽为主栅线的对准标记，使生产时的对准更加简单化。
一种太阳能电池制造方法