“胡洪萁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法-CN202310221478.6在审
发明人：钮伟;胡洪萁;普勇 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法，属于二维材料器件、电介质材料领域，包括以下步骤：第一步：制备金属电极，利用光刻胶在硅衬底上根据所需电极图案进行曝光，显影，定影；蒸镀Ti/Au金属层，获得带有目标图案的金属电极。第二步：转移样品，制备标准的石墨烯样品，将石墨烯转移至带有金属电极的硅衬底上。第三步：制备磁性离子凝胶薄膜，质量比为4:0.9:10的磁性离子液体、聚合物以及丙酮溶剂，加热搅拌至充分溶解，滴铸在基底上，真空烤干。切割并覆盖在转移好的石墨烯上，制备出磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管。本发明所制备出的磁性离子凝胶薄膜厚度均匀可控，能够提供强大且有效的载流子调控能力，简化了制备流程。
一种磁性离子凝胶薄膜石墨场效应制备方法

[发明专利]一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法-CN202210363700.1在审
发明人：王利霞;张欣;钮伟;胡洪萁;普勇 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法，包括：首先在硅衬底上旋涂光刻胶PMMA，光刻出预设电极图案；将曝光后的硅衬底进行显影操作后置于异丙醇中定影；使用EBE镀膜装置在衬底上蒸镀金属层，获得电极；然后将筛选出的石墨烯转移至目标电极上，制备石墨烯场效应晶体管；最后将提前配置的离子胶烘烤去除多余的溶剂后，剪切转移至上述石墨烯场效应晶体管上。本发明通过提出“先做电极后转样品”的方法，大大减少了传统繁琐操作过程对石墨烯样品表面的负面影响，有效提升了石墨烯场效应晶体管的制备效率和成功率，且这种“剪切粘贴”离子胶的加工策略便于应用于制造各种基于半导体材料的晶体管，为大规模集成电路提供了参考。
一种立式离子薄膜门控石墨场效应晶体管制备方法