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[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法-CN201611241618.2有效
发明人： 胁本节子;岩谷将伸 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供能够在维持低导通电阻的状态下降低栅极阈值电压的偏差且能够降低漏电不良的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在沟槽栅极结构的纵向型MOSFET中，以包括形成沟道的部分的方式在包括外延生长的p型碳化硅层(22)的p型基区(4)的内部设置高浓度注入区(13)。高浓度注入区(13)通过向p型碳化硅层(22)进行的p型杂质的离子注入而形成。高浓度注入区(13)通过p型的离子注入形成，与p型碳化硅层(22)相比具有高杂质浓度的峰(13a)且在深度方向具有高低差的山形的杂质浓度分布曲线(31)。通过用于形成高浓度注入区(13)的离子注入，在p型基区(4)产生晶体结构部分错乱。
碳化硅半导体装置制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法-CN201611224426.0有效
发明人： 胁本节子;岩谷将伸 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供能够在维持低导通电阻的状态下降低栅极阈值电压的偏差，且能够降低漏电不良的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在沟槽栅结构的纵型MOSFET，以包括形成有沟道的部分的方式在包括外延生长而成的p型碳化硅层(22)的p型基区(4)的内部设置高浓度注入区(13)。高浓度注入区(13)通过向p型碳化硅层(22)进行的p型杂质的离子注入而形成。高浓度注入区(13)通过p型的离子注入形成，且具有在杂质浓度比p型碳化硅层(22)的杂质浓度高的峰(13a)上沿深度方向具有高低差的山形的杂质浓度分布曲线(31)。通过用于形成高浓度注入区(13)的离子注入，在p型基区(4)产生晶体结构部分错乱。
碳化硅半导体装置以及制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法-CN202010857182.X在审
发明人： 胁本节子 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制势垒金属的剥离、裂纹的碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法。在层间绝缘膜(10)上表面设置有反映沟槽(5)内部的栅电极(7)上表面的凹陷(7a)的第一凹部(10a)。在层间绝缘膜(10)的上表面与侧面的边界处设置有将层间绝缘膜(10)的侧面上端以扇状去除而成的第二凹部(10b)。在层间绝缘膜(10)表面形成由第一凹部、第二凹部(10a、10b)引起的凸部(10e、10f)，通过第一凹部、第二凹部(10a、10b)和凸部(10e、10f)反复设置有3个以上的凹凸。层间绝缘膜(10)表面的凸部(10e、10f)的顶点的角度(θ1、θ2)为100°以上的钝角。覆盖层间绝缘膜(10)的势垒金属(12)具有反映层间绝缘膜(10)表面的凹凸而成的凹凸。
碳化硅半导体装置制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201580031266.5有效
发明人： 胁本节子 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供提高被覆多晶硅电极的层间绝缘膜的阶梯被覆性，提高绝缘耐压的碳化硅半导体装置及其制造方法。所述制造方法包括：在碳化硅基板上形成栅极绝缘膜的工序；在上述栅极绝缘膜上形成多晶硅膜的工序；将选自N、P、As、Sb、B、Al、Ar中的1种或2种以上掺杂剂以离子方式注入到上述多晶硅膜的工序；在上述多晶硅膜上选择性地形成掩模的工序；利用各向同性干式蚀刻除去上述多晶硅膜的露出部分，可以形成被多晶硅电极的与栅极绝缘膜接触的下表面和多晶硅电极的侧面所夹的下端部的倾斜角为60°以下的多晶硅电极。
碳化硅半导体装置及其制造方法