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- [发明专利]一种无静态功耗的过流保护电路-CN201710850687.1有效
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黑勇;张飞飞;肖建辉
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江苏邦融微电子有限公司
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2017-09-20
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2019-07-16
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H02H3/08
- 本发明公开了一种无静态功耗的过流保护电路,包括电阻、PMOS管、NMOS管、内部电路和整形电路,所述的电阻的一端和供电电源VDD相连接,另一端和A点相连接,所述的PMOS管的栅极与电阻连接的A点相连接,PMOS管的源极和供电电源VDD相连接,PMOS管的漏极和NMOS管的漏极相连接,PMOS管的源极和地电位相连接,所述的PMOS管和NMOS管的漏极与整形电路的输入相连接。通过上述,本发明通过一个电阻,两个MOS管的主题电路实现过流保护的功能,无静态电流,器件比常规电路少,无需额外的参考电压,运算放大器,实现了过流保护的功能,达到了减小电路工作电流,缩小过流保护功能版图面积的目的。
- 一种静态功耗保护电路
- [发明专利]一种提高半导体晶元出片率的排布方法-CN201710137426.5有效
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张飞飞;肖建辉
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江苏邦融微电子有限公司
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2017-03-09
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2019-07-16
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H01L21/66
- 本发明公开了一种提高半导体晶元出片率的排布方法,所述的半导体晶元内设置有放置芯片的区块,包括以下具体步骤:a、把PCM参数测试信息的部分版图或者全部版图放置在芯片本身版图的空闲区域中;b、把对准信息的版图和未放入芯片中的PCM参数测试信息的部分版图放置到划片槽中,减小芯片与芯片之间在区块中的距离。通过上述方式,本发明的提高半导体晶元出片率的排布方法,通过把部分工艺厂用于PCM参数测试信息的的版图区块放入到实际的芯片内部,减小划片槽的面积,达到缩小区块面积的目的,这样可以在相同的半导体晶元上放置更多的区块,达到提升半导体晶元利用率的目的,降低单个晶元成本的目的,为产品的市场竞争提供一定的助力。
- 一种提高半导体晶元出片率排布方法
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