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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种高对比度的LED器件的发光结构-CN202223552667.1有效
发明人：温绍飞;万垂铭;林仕强;罗昕穗;曾照明;肖国伟 -专利权人：广东晶科电子股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高对比度的LED器件的发光结构，包括基板、若干芯片、荧光层、反射层和填充层；荧光层覆盖在芯片上方并形成独立的发光单元，反射层包裹在发光单元外周壁，反射层包括金属层和铺设在金属层内外表面的介质层，若干发光单元矩阵排列设置在基板上，相邻两发光单元之间存在间隙，间隙处设有填充层。本实用新型的高对比度的LED器件的发光结构及其制作方法中，具有LED器件出光效率高、对比度高的优点。
一种对比度 led 器件发光结构

[发明专利]一种集成封装器件及其制作方法-CN202211725691.2在审
发明人： 罗昕穗;万垂铭;林仕强;温绍飞;曾照明 -专利权人：广东晶科电子股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供一种集成封装器件及其制作方法，其中的集成封装器件包括基板、光电半导体层、硅胶反射层、光转换层以及表面保护层；所述光电半导体层包括多个作为发光元件的LED芯片，多个所述LED芯片呈矩阵式排列设置在所述基板上；所述硅胶反射层包裹在各LED芯片四周；所述光转换层覆盖在所述光电半导体层和所述硅胶反射层上；多个所述LED芯片之间的光转换层上均设有用于吸光的凹槽；所述表面保护层覆盖在所述光转换层以及所述凹槽上。本发明有效提升集成封装器件的发光对比度，并且对亮度影响小。
一种集成封装器件及其制作方法

[实用新型]一种带自修复功能的LED-CN202222617933.8有效
发明人：林仕强;万垂铭;温绍飞;罗昕穗;陈泽娜;曾照明;肖国伟 -专利权人：广东晶科电子股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，提供一种带自修复功能的LED，包括：基板、发光二极管以及光转化板；所述基板、发光二极管以及光转化板依次堆叠设置；所述基板表面还设有包裹层，所述包裹层覆盖在基板的表面且对发光二极管和光转化板的四周进行包围；所述包裹层中设有遇到空气或水汽会发生反应而固化的修复介质，所述修复介质沿所述光转化板四周设置。本实用新型在裂缝形成初期，修复介质遇到空气或水汽会发生反应而固化从而对裂缝进行粘合封堵，对裂缝进行粘合封堵，防止裂缝进一步开裂，同时可以隔绝水汽和空气中有害气体沿裂缝渗入，提高了led的使用寿命。
一种修复功能 led

[发明专利]一种高对比度的LED器件的发光结构及其制作方法-CN202211693475.4在审
发明人：温绍飞;万垂铭;林仕强;罗昕穗;曾照明;肖国伟 -专利权人：广东晶科电子股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高对比度的LED器件的发光结构及其制作方法，包括基板、若干芯片、荧光层、反射层和填充层；荧光层覆盖在芯片上方并形成独立的发光单元，反射层包裹在发光单元外周壁，反射层包括金属层和铺设在金属层内外表面的介质层，若干发光单元矩阵排列设置在基板上，相邻两发光单元之间存在间隙，间隙处设有填充层。本发明的高对比度的LED器件的发光结构及其制作方法中，具有LED器件出光效率高、对比度高的优点。
一种对比度 led 器件发光结构及其制作方法

[实用新型]一种小尺寸的LED-CN202221835147.9有效
发明人：林仕强;万垂铭;温绍飞;罗昕穗;曾照明;肖国伟 -专利权人：广东晶科电子股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，提供一种小尺寸的LED，包括基板主体、齐纳二极管和发光二极管，所述基板主体的封装面上设有用于容纳所述齐纳二极管的安装凹槽，所述发光二极管设置在所述封装面上，所述齐纳二极管设置在所述安装凹槽中且位于所述发光二极管的下方；所述发光二极管与基板主体上的芯片焊盘连接，所述齐纳二极管通过金属线路与所述发光二极管并联连接。本实用新型通过在基板主体上设置安装凹槽，将齐纳二极管安装在发光二极管的下方，从而有效缩减LED芯片的平面空间，使得LED芯片的尺寸进一步缩减，有利于满足现代LED小型化的发展趋势。
一种尺寸 led

[发明专利]一种小尺寸的LED-CN202210830119.6在审
发明人：林仕强;万垂铭;温绍飞;罗昕穗;曾照明;肖国伟 -专利权人：广东晶科电子股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供一种小尺寸的LED，包括基板主体、齐纳二极管和发光二极管，所述基板主体的封装面上设有用于容纳所述齐纳二极管的安装凹槽，所述发光二极管设置在所述封装面上，所述齐纳二极管设置在所述安装凹槽中且位于所述发光二极管的下方；所述发光二极管与基板主体上的芯片焊盘连接，所述齐纳二极管通过金属线路与所述发光二极管并联连接。本发明通过在基板主体上设置安装凹槽，将齐纳二极管安装在发光二极管的下方，从而有效缩减LED芯片的平面空间，使得LED芯片的尺寸进一步缩减，有利于满足现代LED小型化的发展趋势。
一种尺寸 led

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