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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电子设备的显示方法-CN201811307175.1有效
  • 细谷邦雄 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2013-04-24 - 2022-04-15 - G06F1/16
  • 提供一种电子设备的显示方法，该电子设备通过利用显示屏的柔性的特征根据显示屏的三维形状来在显示屏上显示物体(体)。所述显示方法包括如下步骤：在所述电子设备的显示屏上显示物体，所述显示屏具有柔性；获取所述显示屏上的所述物体和所述物体在其上进行移动的场的位置数据；基于所述位置数据计算所述显示屏的三维形状；检测所述物体上的触摸输入；以及执行物体移动模式。
  • 电子设备显示方法
  • [发明专利]方形锂二次电池-CN201610515020.1有效
  • 细谷邦雄;木村邦夫 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2012-12-06 - 2019-08-20 - H01M10/052
  • 本发明的一个方式提供一种不降低充放电容量且可靠性高的方形锂二次电池。本发明的一个方式是一种方形锂二次电池，包括：卷绕体，在该卷绕体中集合片夹着第二隔离体而卷绕，该集合片包含夹着第一隔离体而重叠的正极片及负极片，正极片及负极片在各自的集电体的双面具有活性物质混合剂层，正极片和负极片中的至少一个的一面或双面的活性物质混合剂层包括具有多个开口部的区域及没有开口部的区域，具有多个开口部的区域覆盖集合片的至少弯曲部。
  • 方形二次电池
  • [发明专利]半导体设备-CN201310159712.3有效
  • 藤川最史;细谷邦雄 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2007-09-19 - 2014-04-02 - G02F1/1339
  • 本发明为半导体设备。当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。
  • 半导体设备
  • [发明专利]半导体设备-CN201310159591.2有效
  • 藤川最史;细谷邦雄 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2007-09-19 - 2013-08-21 - G02F1/1343
  • 当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。
  • 半导体设备
  • [发明专利]方形锂二次电池-CN201210518764.0有效
  • 细谷邦雄;木村邦夫 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2012-12-06 - 2013-06-12 - H01M10/052
  • 本发明的一个方式提供一种不降低充放电容量且可靠性高的方形锂二次电池。本发明的一个方式是一种方形锂二次电池，包括：卷绕体，在该卷绕体中集合片夹着第二隔离体而卷绕，该集合片包含夹着第一隔离体而重叠的正极片及负极片，正极片及负极片在各自的集电体的双面具有活性物质混合剂层，正极片和负极片中的至少一个的一面或双面的活性物质混合剂层包括具有多个开口部的区域及没有开口部的区域，具有多个开口部的区域覆盖集合片的至少弯曲部。
  • 方形二次电池
  • [发明专利]蓄电装置-CN201210367335.8在审
  • 田岛亮太;细谷邦雄;长多刚;小国哲平;山崎舜平 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2012-09-28 - 2013-04-10 - H01M4/02
  • 本发明的课题是提供一种充放电容量大、能够进行急速的充放电且充放电所导致的电池特性的劣化少的蓄电装置。本发明是一种蓄电装置，其中负极包括具有多个柱状突起物的活性物质，并且垂直于柱状突起物的轴的截面形状为如十字形、H字形、L字形、I字形、T字形、U字形、Z字形那样的多角形状或包括曲线的多角形状。具有多个柱状突起物的活性物质也可以被石墨烯覆盖。
  • 装置
  • [发明专利]显示装置及电子设备-CN201210216767.9有效
  • 细谷邦雄 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2009-03-30 - 2012-10-03 - G02F1/1362
  • 本发明涉及显示装置及电子设备。在像素部中使用第二导电膜形成扫描信号线以及辅助电容线并使用第一导电膜形成数据信号线。在TFT部中，使用第一导电膜形成栅电极并使其通过栅极绝缘膜中的开口部与使用第二导电膜形成的扫描信号线电连接。使用第二导电膜形成源电极以及漏电极。在辅助电容部中，将使用第二导电膜形成的辅助电容线用作下部电极，并将像素电极作为上部电极，将钝化膜用作介电薄膜夹在电容电极之间。
  • 显示装置电子设备
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210127293.0有效
  • 细谷邦雄 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2006-12-26 - 2012-09-19 - H01L29/786
  • 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的课题在于降低接触不良，抑制接触电阻的增大，并且提高开口率。本发明涉及一种液晶显示器件，其具有：衬底；设置在上述衬底上且具有栅极布线、栅极绝缘膜、岛状半导体膜、源极区域、以及漏极区域的薄膜晶体管；设置在上述衬底上且连接到上述源极区域的源极布线；设置在上述衬底上且连接到上述漏极区域的漏电极；设置在上述衬底上的辅助电容；连接到上述漏电极的像素电极；以及覆盖着上述薄膜晶体管及上述源极布线而形成的保护膜，其中，上述保护膜具有开口部分，并且上述辅助电容存在于形成有开口部分的区域。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]显示装置及其制造方法-CN201210133227.4有效
  • 细谷邦雄 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2008-12-05 - 2012-09-19 - H01L27/12
  • 本发明的目的在于提供一种具有高开口率且具有大容量的存储电容器的显示装置。本发明涉及一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：包括栅电极；栅极绝缘膜；第一半导体层；沟道保护膜；分离为源区和漏区，以及源电极和漏电极的导电性第二半导体层的薄膜晶体管；在所述第二导电膜上形成的第三绝缘层；形成在所述第三绝缘层上且与源电极或漏电极的一方电连接的像素电极；夹着电容布线上的第三绝缘层形成在第一绝缘层上的电容布线与像素电极的重叠区域中的存储电容器。
  • 显示装置及其制造方法
  • [发明专利]显示器件及其制造方法-CN201110170657.9有效
  • 藤川最史;细谷邦雄 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2006-11-16 - 2011-12-21 - H01L27/32
  • 本发明揭示一种显示器件及其制造方法。一般希望在显示器件中将低电阻材料用于配线，但是到现在为止没有存在形成配线的有效方法。本发明的结构之一包括以下工序：形成第一导电膜；在第一导电膜上选择性地形成抗蚀剂；在第一导电膜及抗蚀剂上形成第二导电膜；在去除抗蚀剂的同时去除形成在抗蚀剂上的第二导电膜；形成第三导电膜，使其覆盖形成在第一导电膜上的第二导电膜；选择性地蚀刻第一导电膜及第三导电膜；形成多个布线及电极。由此，由于可以在大型面板中形成用低电阻材料的布线，因此可以解决信号延迟等问题。
  • 显示器件及其制造方法
  • [发明专利]液晶显示器件及其制造方法-CN200910204205.0有效
  • 藤川最史;细谷邦雄 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2006-06-30 - 2010-03-24 - G02F1/136
  • 一种液晶显示器件，它包括：在衬底之上的第一遮光膜和成色膜；在所述第一遮光膜和所述成色膜之上的绝缘膜；在所述绝缘膜之上的栅电极；在所述栅电极之上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜之上的第一半导体膜；在所述第一半导体膜之上的绝缘体；在所述第一半导体膜之上的第二半导体膜；在所述第二半导体膜之上的源电极和漏电极；在所述绝缘体之上的第二遮光膜；在所述源电极、所述漏电极和所述第二遮光膜之上的钝化膜；和在所述钝化膜之上的像素电极，其中，所述像素电极通过所述钝化膜电连接于所述源电极和所述漏电极中的至少一个。
  • 液晶显示器件及其制造方法
  • [发明专利]显示装置及其制造方法-CN200910128358.1有效
  • 细谷邦雄 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2009-03-30 - 2009-10-07 - G02F1/136
  • 在像素部中使用第二导电膜形成扫描信号线以及辅助电容线并使用第一导电膜形成数据信号线。在TFT部中，使用第一导电膜形成栅电极并使其通过栅极绝缘膜中的开口部与使用第二导电膜形成的扫描信号线电连接。使用第二导电膜形成源电极以及漏电极。在辅助电容部中，将使用第二导电膜形成的辅助电容线用作下部电极，并将像素电极作为上部电极，将钝化膜用作介电薄膜夹在电容电极之间。
  • 显示装置及其制造方法
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