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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]调节电路及其半导体器件-CN200610173251.5无效
发明人： 细川诚;福岛稔彦;福永直树 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种包括用于向外部电路提供电流的输出级晶体管的调节电路，该调节电路具有与输出级晶体管并联所形成的静电保护晶体管。静电保护晶体管的基极例如连接到输出级晶体管的基极，或者可选地连接到接地线或连接到静电保护晶体管自身的发射极。
调节电路及其半导体器件

[发明专利]光敏器件和具有内电路系统的光敏器件-CN200410063750.X无效
发明人： 细川诚;福永直树;泷本贵博;久保胜;福岛稔彦;大久保勇 -专利权人：夏普公司
申请日： 2000-09-06 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种光敏器件，包括：第一导电类型的半导体基底；在半导体基底上形成且与半导体基底相比具有较低杂质浓度的第一导电类型的半导体层；在第一导电类型的半导体层上形成的第二导电类型的半导体层；和至少一个第一导电类型的扩散层，用于将第二导电类型的半导体层分成多个第二导电类型的半导体区域，其中至少一个光电二极管部分是在多个第二导电类型的半导体区域中的至少一个和第一导电类型的半导体层之间的结合处形成的，以及其中第一导电类型的半导体层具有包含13μm至17μm的厚度和包含100Ωcm至1500Ωcm的电阻系数。
光敏器件具有电路系统

[发明专利]光敏器件和具有内电路系统的光敏器件-CN00128434.7无效
发明人： 细川诚;福永直树;泷本贵博;久保胜;福岛稔彦;大久保勇 -专利权人：夏普公司
申请日： 2000-09-06 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种光敏器件包括：依次形成的第一导电类型的半导体基底；与半导体基底相比具有较低杂质浓度的第一导电类型的半导体层；第二导电类型的半导体层；和第一导电类型的扩散层，扩散层将第二导电类型的半导体层分成多个半导体区域。用于将光信号转化成电信号的光电二极管的至少一部分是在多个半导体区域中的至少一个和第一导电类型的半导体层之间的结合处形成的。当向至少一个发电二极管部分施加反向偏压时，其中第一导电类型的半导体层中形成的耗尽层的场强是约0.3V/μm或更多。
光敏器件具有电路系统

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN97190957.1有效
发明人：西和夫;细川诚;矶部幸广;二宫英昭 -专利权人： TDK株式会社;株式会社半导体能源研究所
申请日： 1997-07-23 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池及其制作方法。所述太阳能电池包括：一个第一电极层；一个淀积于所述第一电极层上的光电转换半导体层；一个部分地淀积于所述光电转换半导体层上的树脂层；一个淀积于所述光电转换半导体层和所述树脂层上的第二电极层；和一个淀积于一部分所述第二电极层上的第三电极层，其中，所述第三电极层仅在一个所述树脂层存在的区域内与所述第二电极层相连，以便所述光电转换半导体层产生的电流从所述第二电极层的该区域流到所述第三电极层，所述第二电极层的所述区域通过所述第三电极层连接到一个外部引出电极，以提取所述电流。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN00137264.5无效
发明人：泷本贵博;福岛稔彦;大久保勇;细川诚;久保胜 -专利权人：夏普公司
申请日： 2000-11-08 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：主要由第一导电类型的半导体多层结构与第二导电类型的第一半导体层之间的PN结构成的光敏部件；和把光敏部件分成多个区的隔离部分。第一导电类型的半导体多层结构包括第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的第一半导体层；和第一导电类型的第二半导体层。隔离部分包括从第二导电类型的第一半导体层伸到第一导电类型的第二半导体层的第一导电类型的第三半导体层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及包括该半导体器件的光学器件-CN03147512.4无效
发明人： 细川诚;泷本贵博;笠松利光 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及包括该半导体器件的光学器件，在该半导体器件中，在光电二极管的光接收面所处的区域(S)中，在对第一互连(15)和第二互连(17)进行构图时，相应的层被移除。在分别形成第二层间绝缘膜(13)和覆盖绝缘膜(18)后，同样，相应的层被移除。另一方面，在光电二极管的光接收面所处的区域(S)中，保护绝缘膜(20)未通过蚀刻移除，并且抗反射涂层(16)仍然由保护绝缘膜(20)覆盖。因此，所得的半导体器件在不降低光反射率的同时减少了工艺步骤的个数，并且同样可以获得一种光学器件。
半导体器件包括光学器件

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