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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201980089809.7有效
  • 籏崎晃次;加藤敦史 - 铠侠股份有限公司
  • 2019-03-18 - 2023-08-18 - H01L27/00
  • 一实施方式的半导体装置具备：第1芯片，具有第1半导体衬底、设置于第1半导体衬底的第1半导体元件、连接于第1半导体元件的第1配线层、及连接于第1配线层的第1焊垫；以及第2芯片，具有第2半导体衬底、设置于第2半导体衬底的第2半导体元件、连接于第2半导体元件的第2配线层、及连接于第2配线层并且接合于第1焊垫的第2焊垫。第1焊垫及第2焊垫中的至少一个具有与另一个焊垫接合的第1金属层、热膨胀率高于第1金属层的第2金属层、及设置于第1金属层与第2金属层之间的势垒金属层。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110862316.1在审
  • 籏崎晃次 - 铠侠股份有限公司
  • 2021-07-29 - 2022-09-27 - H01L27/11575
  • 本发明实施方式提供可以在抑制配线短路等不良的同时、形成具有高长宽比的接触器的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备第一电极膜。层间绝缘膜设置在第一电极膜上。接触插塞设置在贯通层间绝缘膜且到达第一电极膜的接触孔内。接触插塞具备将接触孔内的上部内壁覆盖的第一金属膜及第一导电膜。接触插塞具备将接触孔内的上部内壁的第一导电膜覆盖且将接触孔内的下部内壁覆盖的第二金属膜。接触插塞具备将接触孔内的第二金属膜内侧填充的第二导电膜。
  • 半导体装置及其制造方法
  •  1 
  • 共 4 条
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