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[发明专利]半导体封装及其安装结构-CN201580002992.4有效
发明人：手岛祐一郎;中矶俊幸;竹岛裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装及其安装结构。具备中介层(1)、搭载于中介层(1)的第一面的半导体元件(2)、形成于中介层(1)的第二面的凸块(3)、以及搭载于中介层(1)的第二面的芯片部件(10)。中介层(1)是硅中介层，半导体元件(2)被倒装芯片安装于中介层(1)的第一面，芯片部件(10)是在硅基板上通过薄膜工艺形成元件，并在单一面形成焊盘的薄膜无源元件，芯片部件(10)的焊盘经由导电性接合材料而与形成于中介层(1)的第二面的焊环连接。根据该结构，小型化的同时确保半导体封装的中介层(1)与芯片部件(10)之间的接合可靠性。
半导体封装及其安装结构

[其他]薄膜器件-CN201690001386.0有效
发明人：芦峰智行;进藤智;竹岛裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜器件。在绝缘基板与薄膜缓冲层之间形成扩散层，防止薄膜缓冲层的剥离。薄膜器件(1)具备：绝缘基板(2)；薄膜电容器(5)，隔着层叠于该绝缘基板的一个主面上的薄膜缓冲层(4)而设置于绝缘基板；绝缘保护层(6)，层叠于绝缘基板的一个主面以覆盖薄膜电容器；从薄膜电容器引出的引出电极(7a及7b)；外部电极(8a及8b)；以及表面覆盖层(9)，覆盖薄膜器件的表面。在绝缘基板与薄膜缓冲层之间形成有扩散层(3)。另外，外部电极与薄膜电容器经由引出电极电连接。扩散层是在绝缘基板的表面的SiO₂氧化膜与薄膜缓冲层之间SiO₂氧化膜和薄膜缓冲层的构成元素中的至少一种元素分别扩散而形成的非晶层。
绝缘基板薄膜缓冲层薄膜电容器薄膜器件扩散层覆盖薄膜外部电极引出电极氧化膜电容器本实用新型表面覆盖层绝缘保护层构成元素电连接非晶层主面剥离扩散

[其他]薄膜器件-CN201690000755.4有效
发明人：芦峰智行;进藤智;竹岛裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本实用新型的目的在于提供防止由于树脂层膨胀产生的应力而薄膜电阻元件破损且可靠性高的薄膜器件。在电阻薄膜(12)中的俯视时与第一金属薄膜(15a～15c)重叠的部分，由第一金属薄膜(15a～15c)将电阻薄膜(12)压向基板(1)，所以能够缓和由于在高温状态下树脂层(3)膨胀而施加给薄膜电阻元件(R1、R2)的弯曲应力等，由于在电阻薄膜(12)中的俯视时不与第一金属薄膜(15a～15c)重叠的部分形成有第一加强用薄膜(12a)，所以能够防止由于树脂层(3)膨胀产生的应力等而薄膜电阻元件(R1、R2)破损，能够得到可靠性高的带薄膜电阻元件(R1、R2)的薄膜器件(100)。
薄膜电阻元件薄膜器件电阻薄膜金属薄膜树脂层膨胀俯视破损本实用新型高温状态弯曲应力下树脂层基板压向薄膜施加缓和

[发明专利]薄膜层叠元件的制造方法-CN201380034371.5有效
发明人：野村雅信;竹岛裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够将损伤较少的对准标记用于蚀刻时的光掩膜的定位的薄膜层叠元件的制造方法。本发明的薄膜层叠元件的制造方法具备第二工序，在该第二工序中通过使用了光蚀刻法的蚀刻来在薄膜层叠体(7)上形成元件部(10)以及对准标记；以及第三工序，在该第三工序中具有在薄膜层叠体(7)上涂覆感光性抗蚀剂的步骤、将具有对准图案的光掩膜通过对准图案与在前面的工序中形成的对准标记的位置匹配来配置在感光性抗蚀剂上的步骤、对感光性抗蚀剂曝光并显影的步骤、以及通过对涂覆了感光性抗蚀剂的薄膜层叠体蚀刻来在薄膜层叠体上形成元件部以及对准标记的步骤。
薄膜层叠元件制造方法

[其他]复合电子部件-CN201590000246.7有效
发明人：进藤智;竹岛裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型提供具备薄膜电容器与薄膜电路元件且可减小作用于薄膜电容器的应力的复合电子部件。复合电子部件(1)具备在一方主面形成有薄膜(3)的绝缘基板(2)；覆盖薄膜电容器(3)地层叠的绝缘保护层(4)；形成于绝缘保护层(4)并与薄膜电容器(3)连接的第1引出配线(7a)；层叠于绝缘保护层(4)的第1树脂层部(5a)；设置于第1树脂层部(5a)的第1、第2薄膜电阻(9a、9b)；形成为沿厚度方向贯通第1树脂层部(5a)并使第1引出配线(7a)可见的第3贯通孔(6c)；形成于第1树脂层部(5a)，且经由第2贯通孔(6c)与第1引出配线(7a)连接的第1再配线(8a)；层叠于第1树脂层部(5a)的第2树脂层部(5b)，在第3贯通孔(6c)内填充第2树脂层部(5b)的树脂，第3贯通孔(6c)形成于俯视观察相对于薄膜电容器(3)偏移的位置。
复合电子部件

[其他]可变电容元件、高频设备以及通信装置-CN201390000526.9有效
发明人： 竹岛裕;中矶俊幸 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H03H5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及可变电容元件、高频设备以及通信装置。铁电体电容器(C1～C6)构成一个串联电路，该串联电路的第一端与端口(P11)连接，第二端与端口(P12)连接。电阻(R31、R32、R33)构成第一电阻分压电路(RDV1)，电阻(R34、R35)构成第二电阻分压电路(RDV2)。电阻(R31、R32、R33)的共用连接点(CC1)与接地端子(GND)之间的电压作为针对铁电体电容器(C1～C4)的控制电压而被施加。另外，电阻(R34、R35)的共用连接点(CC2)与接地端子(GND)之间的电压作为针对铁电体电容器(C5、C6)的控制电压而被施加。
可变电容元件高频设备以及通信装置

[发明专利]薄膜电容和齐纳二极管的复合电子部件及其制造方法-CN201480000577.0有效
发明人：野村雅信;竹岛裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：复合电子部件(100)的特征在于：具备由Si基板(1)、薄膜电容(8)、Si基板(1)和半导体薄膜层(13)构成的齐纳二极管(14)，Si基板(1)的载流子浓度比半导体薄膜层(13)的载流子浓度小。
薄膜电容齐纳二极管复合电子部件及其制造方法

[发明专利]电介质薄膜元件、反熔丝元件及电介质薄膜元件的制造方法-CN201180043631.6有效
发明人：中矶俊幸;竹岛裕;石浦丰;入江祐二;谷晋辅;高木纯 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种耐湿性高的电介质薄膜元件。电介质薄膜元件(10)具备：具有电介质层(22)和形成于电介质层(22)的上下表面的一对电极层(21、23)的电容部(20)；以覆盖电容部(20)的方式形成的保护层(30)；被引出至保护层(30)的上表面的一对配线层(41、42)；表面金属层；以与配线层(41、42)电连接的方式形成的外部电极(47、48)。并且，表面金属层具有第一表面金属层(43、44)和第二表面金属层(45、46)，第一表面金属层(43、44)通过镀敷法以覆盖配线层(41、42)的沿着开口部(33、34)的内表面的部分的方式形成，第二表面金属层(45、46)通过真空薄膜法形成，第一表面金属层(43、44)的端部与第二表面金属层(45、46)的端部相接。
电介质薄膜元件反熔丝制造方法

[发明专利]反熔丝元件-CN201080028169.8有效
发明人： 竹岛裕;中矶俊幸;谷晋辅 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种难以产生因静电放电导致的绝缘破坏的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)的特征在于，具备电容部(20)，该电容部(20)具有绝缘层(22)和在所述绝缘层的上下面形成的至少一对电极层(21)、(23)，电容部(20)具有对静电放电的保护功能。在本发明中，电容部具有对静电放电的保护功能，因此能够提供难以产生例如因部件安装时的静电放电导致的绝缘破坏的反熔丝元件。
反熔丝元件

[发明专利]反熔丝元件-CN201080010216.6无效
发明人：中矶俊幸;竹岛裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：在电介质薄膜(5)的上下两面形成第1以及第2电极膜(4)、(6)而形成了元件主体(9)(a)。在施加动作电压时，第1以及第2电极膜(4)、(6)通过因通电引起的发热而熔融，形成球化部(13a)、(13b)、(14a)、(14b)，在电介质薄膜(5)上也产生裂缝(15)(b)。然后，该球化部膨大化，并且电介质薄膜(5)完全断开(c)，以卷入电介质薄膜(5)的端部那样的方式第1以及第2电极膜(4)、(6)熔接而一体化，形成接合部(16)、(17)、成为导通状态(d)。由此，实现即使在动作后通入大电流也以低电阻稳定地动作，并且动作前具有作为ESD对策元件的功能的反熔丝元件。
反熔丝元件

[发明专利]电介质薄膜电容器的制造方法以及电介质薄膜电容器-CN200980131166.4无效
发明人：野村雅信;竹岛裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种电介质薄膜电容器的制造方法，上述电介质薄膜电容器在导电性基板(1)的一个主面上形成有上部外部电极(15)，在上述导电性基板(1)的另一个主面上形成有下部外部电极(17)。上述制造方法具有将在电介质层(6)的上下两面形成有第1以及第2电极层(5、7)的电容器部(4)形成在导电性基板(1)的一个主面上的电容器部形成工序和形成将第1电极层(5)与导电性基板(1)电连接的基板配线(11)的配线形成工序，在上述电容器形成工序与上述配线形成工序之间包括对上述电容器部(4)进行热处理的热处理工序。由此实现不损失可靠性就能够抑制ESR的增加的电介质薄膜电容器。
电介质薄膜电容器制造方法以及

[发明专利]凸角柱及对凸角柱实施倒角加工的装置-CN200580045083.5有效
发明人： 竹岛裕;小林信行;外村博 -专利权人：日吉华株式会社
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： E04F13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种凸角柱(A1)，其用于建筑物的壁面的凸角部分，在凸角柱(A1)的顶角部(3)上形成宽度窄的倒角加工部(8)，并且通过具备非平坦且连续的曲面(8a、8b)的结构，以使当凸角柱(A1)受到白天的日光照射时，在该宽度窄的倒角加工部(8)上产生与在板片(1a)的表面图案部产生阳光部(S)和阴影部(D)同样的阳光部和阴影部，使凸角柱(A1)的顶角部(3)上的倒角加工部(8)尽可能地不明显，并且在倒角加工部(8)上形成与在表面图案部产生的阴影(S、D)同样的阴影，从而使左右的板片(1a、1a)的花纹图案具有连续性。
角柱实施倒角加工装置

[发明专利]凸角柱以及对凸角柱顶角部实施倒角加工的装置-CN200610084504.1有效
发明人： 竹岛裕;铃木正博 -专利权人：日吉华株式会社
申请日： 2006-05-25 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： E04F13/072 文献下载
摘要：提供一种凸角柱以及对凸角柱顶角部实施倒角加工的装置。在将凸角柱(A)的顶角部(3)沿形成于其上的凹凸由旋转切削具(30)切削而形成宽度狭窄的倒角加工部时，至少在实施切削加工的区域，从喷嘴(51a)(冷却机构(50))吹入冷却空气，从而一边进行冷却一边进行倒角加工。由此，反应式热熔粘接剂层(P)的端面(P_c)形成为平坦面，可获得无微细的凹凸的后涂饰面。从而尽量不使使用反应式热熔粘接剂(P)来制作的凸角柱(A)的顶角部(3)的倒角加工部(8)显眼。
角柱以及顶角实施倒角加工装置

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