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[发明专利]半导体存储装置-CN201510800604.9有效
发明人： 竹内洁;田边昭;间部谦三 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种半导体存储装置，具有使用可变电阻元件的至少一个存储单元，以及控制存储单元的写入和读取的控制电路。通过控制电路实现的操作包括第一写入操作，第二写入操作以及重写操作。第一写入操作是用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的写入操作。第二写入操作是用于将与第一极性相反的第二极性的第二电压施加至存储单元的写入操作。重写操作是在第一写入操作失败时，用于进一步执行用于将第二极性的第二电压施加至存储单元的第二A写入操作以及用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的第一A写入操作的写入操作。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置-CN202180081310.9在审
发明人：平本俊郎;更屋拓哉;竹内洁;伊藤一夫;高仓俊彦;福井宗利;铃木慎一;末代知子;佐藤克己 -专利权人：国立大学法人东京大学;东芝电子元件及存储装置株式会社;三菱电机株式会社
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制导通损耗并且能够降低截止时的开关损耗的半导体装置。由发射极p－层(11)、集电极p层(23)、漂移层(10)、发射极电极(18)、集电极电极(28)、发射极侧栅电极(17)、发射极n层(12)、集电极p－层(23a)、集电极侧栅电极(27)、集电极n层(22)构成半导体装置(1)，使隔着栅极绝缘膜(15)与发射极p－层(11)对置的、发射极侧栅电极(17)在第一对向区域中的栅极宽度方向上的长度的合计，大于隔着集电极侧栅极绝缘膜(25)与杂质层(23a)对置的、集电极侧栅电极(27)在第二对向区域中的栅极宽度方向上的长度的合计。
半导体装置

[发明专利]组合物、固化性组合物及化合物-CN201880086665.5有效
发明人： 竹内洁 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C09K3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种包含由式(1)表示的化合物和由式(2)表示的化合物的组合物及固化性组合物以及化合物。式(1)、式(2)中，R11、R12、R21及R22各自独立地表示氢原子、卤原子、烷基、芳基、烷氧基或芳氧基，R13、R14、R23及R24各自独立地表示氢原子、脂肪族基、芳香族基或杂环基。R11及R12可以相互键合而形成环，R13及R14可以相互键合而形成环。R21及R22可以相互键合而形成环，R23及R24可以相互键合而形成环。
组合固化化合物

[发明专利]光学膜、偏振片、图像显示装置及聚合性化合物以及1,4-环己烷二甲酸单芳基酯的制造方法-CN201680068656.4有效
发明人：高桥庆太;松山拓史;白岩直澄;胜又泰司;藤野雄太;佐藤宽;竹内洁;萩尾浩之;吉田爱子;中津川宏明 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种具有耐久性优异的光学各向异性层的光学膜、使用该光学膜的偏振片及图像显示装置以及用于该光学膜的聚合性化合物及1,4‑环己烷二甲酸单芳基酯的制造方法。本发明的光学膜至少具有光学各向异性层，该光学膜中，光学各向异性层为将聚合性液晶组合物进行聚合而得到的层，该聚合性液晶组合物含有具有特定的结构的聚合性化合物、具有规定的结构的液晶性化合物及聚合引发剂。
光学偏振图像显示装置聚合化合物以及环己烷甲酸单芳基酯制造方法

[发明专利]化合物的制造方法、组合物及固化性组合物-CN201880062034.X在审
发明人： 竹内洁 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C07D409/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够制造着色少的苯并二硫醇化合物的化合物的制造方法、组合物及固化性组合物。一种化合物的制造方法，该化合物由式(1)表示，该制造方法包括在还原剂的存在下使由式(2)表示的化合物与由式(3)表示的化合物进行反应的工序。式中，R11及R12各自独立地表示氢原子等。R21及R22各自独立地表示烷基。A1及A2各自独立地表示OH或O‑，A1及A2中的至少一个表示OH。X及Y各自独立地表示吸电子性基团。Z表示n价的阴离子，n表示1以上的整数。其中，在A1及A2中的一个表示O‑的情况下，Z不存在。
化合物制造方法组合固化

[发明专利]含有绿原酸的组合物及其制造方法以及饮食品-CN201480053641.1在审
发明人： 竹内洁;相木康弘;佐藤幸藏;茂木文雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： A23L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种含有绿原酸的组合物的制造方法、通过该制造方法获得的含有绿原酸的组合物以及包含该含有绿原酸的组合物的饮食品，所述含有绿原酸的组合物的制造方法包括：绿原酸提取工序，其将来源于葵花籽的榨油残渣的绿原酸和糖质、酵母以及溶剂接触，从葵花籽的榨油残渣中获得含有绿原酸的提取液，所述溶剂选自由水、酒精以及水和酒精的混合液构成的组；以及菌处理工序，其对所述提取液实施选自杀菌处理以及除菌处理中的至少一种处理。
含有绿原酸组合及其制造方法以及饮食

[发明专利]半导体器件-CN201510134983.2有效
发明人：植木诚;竹内洁;长谷卓 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，其具有较小的特性变化。该半导体器件配备有形成在层间绝缘膜中的插塞，设置在插塞上并耦合至插塞的下电极，设置在下电极上并由金属氧化物制成的中间层，以及设置在中间层上的上电极。中间层具有邻接下电极和上电极的层叠区。层叠区的至少一部分不与插塞重叠。插塞的至少一部分不与层叠区重叠。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201310446894.2有效
发明人：竹田裕;竹内洁;鬼沢岳;田中圣康 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置。第一接触件、第二杂质区和第二低浓度杂质区形成肖特基势垒二极管。第二杂质区具有与第一杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一杂质区相同的处理中被形成。另外，第二低浓度杂质区具有与第一低浓度杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一低浓度杂质区相同的处理中被形成。
半导体装置

[发明专利]具有垂直场效应晶体管的半导体器件及其制造方法-CN200910168350.8无效
发明人： 竹内洁 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及具有垂直场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件具有：绝缘衬底；第一导电类型的第一半导体层，其形成于绝缘衬底上；第一导电类型的第一垂直场效应晶体管，其源极和漏极之一形成于第一半导体层上；第二导电类型的第二半导体层，其形成于绝缘衬底上；以及第二导电类型的第二垂直场效应晶体管，其源极和漏极之一形成于第二半导体层上。第一半导体层与第二半导体层彼此直接接触。
具有垂直场效应晶体管半导体器件及其制造方法

[发明专利]卤化银彩色照相感光材料和成像方法-CN200580036388.X无效
发明人：出口泰章;竹内洁;桜沢守;山田真人;佐藤武彦 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2005-08-23 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G03C7/38 文献下载
摘要：一种氯化银彩色照相感光材料，其具有在支持体上的至少一层含有黄色形成成色剂、品红色形成成色剂或青色形成成色剂的感光卤化银乳剂层和至少一层非感光亲水胶体层，其中这些染料形成成色剂中的至少一种是能够形成在乙酸乙酯中的溶解度为1×10^－8～5×10^－3mol/L的偶氮甲碱染料的染料形成成色剂，以及使用该感光材料形成影像的方法。
卤化彩色照相感光材料成像方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580017479.9无效
发明人：武田晃一;若林整;竹内洁;山上滋春;野村昌弘;田中圣康;寺岛浩一;黄俐昭;田中克彦 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有SRAM单元的半导体器件，每个SRAM单元包括一对驱动晶体管、一对负载晶体管和一对访问晶体管，其中每个晶体管具有从衬底平面向上突出的半导体层、沿半导体层的相对侧延伸跨过半导体层的顶部的栅极电极、插入在栅极电极和半导体层之间的栅极绝缘膜以及形成在半导体层中的一对源极/漏极区。每个半导体层的纵向方向沿第一方向延伸，并且在第一方向的相邻SRAM单元之间，相应晶体管之一中的半导体层位于其中心线沿第一方向延伸的另一晶体管中的半导体层的中心线上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200480036325.X有效
发明人： 竹内洁;寺岛浩一;若林整;山上滋春;小椋厚志;田中圣康;野村昌弘;武田晃一;辰巳彻;渡部宏治 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2004-09-29 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体器件，它包括：MIS型场效应晶体管，其包括：从衬底平面凸起的半导体凸起部；在半导体凸起部上从顶面向半导体凸起部的相对侧面延伸的栅极；处于栅极和半导体凸起部之间的栅绝缘膜，和提供在半导体凸起部中的源区和漏区；层间绝缘膜，其设置在包含晶体管的衬底上；和隐埋式导体互连，其通过以导体充填层间绝缘膜中的沟槽而形成；其中，隐埋式导体互连将半导体凸起部的源区和漏区之一与层间绝缘膜下面的另一导电部相连。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]卤化银彩色照相感光材料-CN200310110359.6无效
发明人：幕田俊之;米山博之;濑户信夫;竹内洁 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2003-12-29 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G03C7/36 文献下载
摘要：本发明披露了一种卤化银彩色摄影感光材料，其具有在基底上的至少一层形成黄色的感光卤化银乳液层，至少一层形成品红色的感光卤化银乳液层，和至少一层形成青色的感光卤化银乳液层，其中，至少一种特定的形成黄色或品红色染料的成色剂和至少一种由结构式(Ph)表示的化合物包含在同一层中：见结构式(Ph)，其中，R_b1表示特定的官能团；并且R_b2－R_b5各自独立地表示氢或卤素原子，或特定的官能团。
卤化彩色照相感光材料

[发明专利]形成染料的成色剂、卤化银照相感光材料及甲亚胺染料化合物-CN02108474.2有效
发明人： 竹内洁;上平茂生;青木摩利男;小笠原淳;岛田泰宏;市岛靖司;出口泰章;松田直人;池田显;御子柴尚;菅井昌治;胜又泰司 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2002-12-25 - 主分类号： G03C7/36 文献下载
摘要：一种用下述通式(I)表示的形成染料的成色剂、含有该成色剂的卤化银照相感光材料以及由该成色剂衍生出来的通式(D)的甲亚胺染料。通式(I)中,Q为用－C(－R11)=C(－R12)－SO2－的基团。R11、R12为相互结合,与－C=C－部分一同形成5～7元环的基团,或表示氢原子或取代基。R1、R3、R4表示取代基。m表示0～4的整数。在通式(I)中,X表示氢原子或与显影剂的氧化产物进行偶合反应时能够脱离的基团。在通式(D)中,R5、R6表示氢原子或取代基,R7表示取代基,n表示0～4的整数。本发明所得的成色剂色调优异、分子吸光系数大、保存稳定性良好。含有该成色剂的卤化银感光材料的色再现性、清晰性且彩色影象色牢度良好。
形成染料成色卤化照相感光材料亚胺化合物

[发明专利]形成染料的成色剂,卤化银照相光敏材料,及制备甲亚胺染料的方法-CN01130319.0无效
发明人：上平茂生;小笠原淳;竹内洁;嶋田泰宏;出口泰章 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2001-09-27 - 公布日： 2002-05-15 - 主分类号： G03C7/30 文献下载
摘要：一种通式(I)的形成染料的成色剂。一种包含至少一种通式(I)的形成染料的成色剂的卤化银照相光敏材料。一种制备甲亚胺染料的方法,该方法包含使用通式(I)的化合物其中,E代表芳基或杂环基,或－C(=O)W基团,其中W代表一含氮杂环基,Z代表芳基或杂环基,且X和Y各自独立的代表=O,=S,或=N－R,其中R代表取代基,条件是,当E代表芳基或杂环基时,X和Y每个代表=O,且当E代表—C(=O)W时,Z代表取代的芳基。
形成染料成色卤化照相光敏材料制备亚胺方法

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