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- [发明专利]一种芯片封装结构-CN202310442926.5在审
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郭宏展;章策珉
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成都仕芯半导体有限公司
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2023-04-24
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2023-07-04
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H01L23/488
- 本发明公开了一种芯片封装结构，涉及芯片封装领域，所述结构包括：芯片、至少一个射频焊盘和接地焊盘；其中，所述接地焊盘上设有至少一个与所述射频焊盘对应的凹槽，所述射频焊盘包括射频焊盘主体和射频焊盘凸出段，所述射频焊盘凸出段延伸至对应的凹槽内，且射频焊盘凸出段与对应的凹槽之间具有间隙，所述芯片正面的射频连接端通过金属过孔至所述芯片背面与对应的所述射频焊盘凸出段连接，所述芯片正面的接地连接端通过金属过孔至所述芯片背面与所述接地焊盘连接；本发明解决了传统的WB封装在高频性能恶化的问题以及FC封装工艺复杂且成本较高的问题。
- 一种芯片封装结构
- [发明专利]一种数字步进衰减器-CN202010265811.X有效
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章策珉;邓正伟
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成都仕芯半导体有限公司
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2020-04-07
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2023-04-25
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H03H7/24
- 本发明的多个实施例涉及低温度变化的衰减器。通过协调电阻器的一阶电阻温度(FORT)系数，衰减器或衰减器单元的实施例能够降低衰减器衰减量受温度变化的影响。而这种衰减量随温度变化影响的减少可以在不依赖于具有负FORT系数的电阻器的情况下取得。衰减器单元可以配置为T型衰减器单元、π型衰减器单元、桥T型衰减器单元或者并联衰减器，这些衰减器单元中的电阻器具有多种FORT系数组合方式。此外，各种衰减器单元可以串联在一起形成数字步进式衰减器，这些单元的温度变化相互补偿或抵消以降低整体衰减量受温度变化的影响。
- 一种数字步进衰减器
- [发明专利]梳状谱发生器-CN202211607552.X在审
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章策珉
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成都仕芯半导体有限公司
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2022-12-14
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2023-04-07
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H03K3/02
- 本发明公开了多个涉及NLTL梳状谱发生器的实施例用于宽带阻抗匹配，以使产生的输出信号包括输入信号的宽带谐波。NLTL梳状谱发生器包括串联连接的多个段，且各段均包括串联电感和非线性并联电容。所述非线性并联电容可以是变容二极管、肖特基二极管或任何类型的PN节二极管。非线性并联电容以相同的极性耦合至对应的串联电感。宽带偏置电路将直流偏压或者直流接地馈送至非线性并联电容以用于实现宽带输入和输出阻抗匹配。宽带偏置电路可以是三阶或五阶低通滤波器以用于防止射频信号通过偏置电路泄漏。NLTL梳状谱发生器、宽带偏置电路和输出隔直电容可以采用紧凑型封装集成于单个芯片上，在不依靠外部集总匹配元件的前提下获得宽带输入/输出阻抗匹配。
- 梳状谱发生器
- [发明专利]宽带限幅放大器及对数检波器-CN202210782930.1在审
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谢丹;章策珉
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成都仕芯半导体有限公司
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2022-06-28
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2022-09-13
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H03F1/42
- 本发明公开了宽带限幅放大器及对数检波器，涉及电子技术领域，晶体管A的基极与正输入信号VINP连接，晶体管A的集电极与电阻R1的一端和晶体管C的基极均连接，晶体管A的发射极和晶体管B的发射极均与电流源I1连接，电阻R1的另一端与电感L1的一端连接，晶体管B的基极与负输入信号VINN连接，晶体管B的集电极与电阻R2的一端和晶体管D的基极均连接，电阻R2的另一端与电感L2的一端连接，晶体管C和晶体管D的发射极分别与电流源I2和I3连接，电感L1的另一端、电感L2的另一端、晶体管C的集电极和晶体管D的集电极均与电源连接，本发明中的宽带限幅放大器设计简单并且能实现高频下提升增益的作用。
- 宽带限幅放大器对数检波器
- [发明专利]模拟带通滤波器-CN201810736346.6有效
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章策珉;郑绮玲;章荣
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成都仕芯半导体有限公司
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2018-07-06
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2022-04-19
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H03H5/00
- 本发明的多个实施例涉及在抑制寄生通带方面具有改进性能的高性能模拟带通滤波器(BPF)。该BPF包括连接至第一RF端口的第一低通滤波器(LPF)、连接至第二RF端口的第二低通滤波器、以及连接在第一低通滤波器和第二低通滤波器之间的至少一个高通模块以用于通带调谐。谐振电路由低通滤波器中的并联电容、高通模块中的并联电感、以及连接在两者之间的低通滤波器的串联电感构成。这种布局使得低通滤波器具有三重功能：用作低通滤波器、参与谐振电路以调谐带通滤波器的中心频率、以及抑制寄生通带。低通滤波器的这三重功能改善了BPF的性能，使其具有紧凑且有效的拓扑结构。
- 模拟带通滤波器
- [发明专利]可调增益均衡器-CN201810841286.4有效
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章策珉
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成都仕芯半导体有限公司
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2018-07-27
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2022-04-19
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H03D7/14
- 本发明的多种实施例均涉及可调增益均衡器以在宽频带上实现具有恒定增益的射频输出。所述可调增益均衡器包括串联电路以及连接在串联电路上的两条并联电路，所述串联电路包括多个串联连接的可调电容。可调电容可以是变容二极管，变容二极管连接至偏置电压以实现电容调节。并联电路包括电感，使得正增益斜率能够补偿射频放大器的负增益斜率。并联路径可以通过一个或多个连接在两条并联路径之间的支路连接。连接支路提供更高的可调谐增益斜率量和更好的输入/输出匹配。通过使可调增益均衡器的偏置电压依赖于温度，可调增益均衡器能够产生温度相关的增益斜率以抵消温度变化影响。
- 可调增益均衡器
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