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[发明专利]一种减反射膜及其制备方法、太阳能电池-CN202310135226.1在审
发明人：崔恒;李明阳;窦天佑;高宇庭;李荣聪;张小宾 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种减反射膜及其制备方法、太阳能电池。减反射膜依次包括第一ITO层、IZO层、AZO层和第二ITO层；所述第一ITO层的厚度为45～70nm；IZO层的厚度为10～25nm；AZO层的厚度为38～50nm；第二ITO层的厚度为4～15nm。本发明选择第一ITO层、IZO层、AZO层和第二ITO层作为减反射膜，通过厚度搭配，实现了400～850nm范围内良好的宽带减反射效果；另一方面，本申请的减反射膜在太阳能电池中也作为导电层，并且太阳能电池中的金属柵线可以去除，只保留金属电极，供后续封装时打线焊接，增加了透过率，提高了电流和转化效率。
一种减反射膜及其制备方法太阳能电池

[发明专利]一种阵列红外探测器芯片及其制备方法与应用-CN202310066633.1在审
发明人：李明阳;李超;窦天佑;张小宾 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列红外探测器芯片及其制备方法与应用。该阵列红外探测器芯片，包括以下结构：衬底；N型接触层，N型接触层设于衬底的上表面；像元，像元设于N型接触层的上表面；像元的数量为m，像元之间相互分离；像元包括以下结构：P型接触层和数量为n的复合分布式布拉格反射镜；复合分布式布拉格反射镜包括分布式布拉格反射镜和i型吸收层；其中，i型吸收层的厚度为10‑500nm；其中，m和n独立选自正整数。本发明的阵列红外探测器芯片，为侧面入光结构的阵列红外探测器芯片，也即光入射方向与吸收层材料外延生长方向垂直，从而解决提升信噪比与响应度时，导致探测器响应时间变慢，不满足高频应用的现象。
一种阵列红外探测器芯片及其制备方法应用

[发明专利]一种柵线及其制备方法与应用-CN202210991032.7在审
发明人：崔恒;李明阳;李超;窦天佑;刘建庆 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种柵线及其制备方法与应用。上述柵线，将上述柵线按长度划分为x1至xn段；其中，n大于等于2；x1段上述柵线的宽度大于xn段上述柵线的宽度。本发明制备的太阳电池中的柵线，将柵线宽度大的一端靠近太阳电极的电极，将柵线宽度小的一端远离太阳电极的电极。基于此，上述柵线，在柵线末端设置较窄的宽度，保证电流收集的同时减小栅占比，在靠近电极位置设计较宽的宽度，增大电流输运效率，以最大限度的提高光生电流、增大太阳电池有效受光面积。
一种及其制备方法应用