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[发明专利]非易失性存储器中的存储器扇区注销的方法和系统-CN201810763058.X有效
发明人： 穆甫臣;邵柏棠 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本公开涉及非易失性存储器中的存储器扇区注销。非易失性存储器被布置成具有多个扇区。所述多个扇区中的每一个扇区包括多个记录位置。存储器控制器包括用于所述多个扇区中的每一个扇区的擦除计数器、失效扇区标签，和注销扇区标签。如果扇区的记录位置未能编程，那么选择所述扇区中的另一位置来编程。如果所述扇区的预定数量的所选记录位置未能编程，那么设定所述失效扇区标签。如果特定扇区被设定所述失效扇区标签两次且擦除计数大于预定擦除计数，那么对所述失效扇区设定所述注销扇区标签，表明所述扇区被永久注销使用。所述多个扇区中的新扇区成为用于记录编程操作的当前活跃扇区。用于注销扇区的方法在非易失性存储器的操作期间动态地进行。
非易失性存储器中的存储器扇区注销方法系统

[发明专利]非易失性存储器(NVM)系统的自适应擦除恢复-CN201410319221.5有效
发明人：何晨;王艳卓;穆甫臣 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：公开了NVM系统(100)内的非易失性存储器NVM单元(210)的自适应擦除恢复的方法和系统。所述自适应擦除恢复实施例基于要擦除的一个或多个NVM块尺寸和操作温度，自适应地调整所述擦除恢复放电速率(112)和/或放电时间(114)。在一个示例实施例中，通过调整所述放电电路(150)内的开启的放电晶体管(502/532)的数量调整所述擦除恢复放电速率(112)，从而调整了擦除恢复的放电电流。使用查找表(116)存储与要恢复的NVM块尺寸和/或操作温度关联的擦除恢复放电速率和/或放电时间。通过自适应地控制擦除恢复放电速率和/或时间，所公开的实施例改进了宽范围NVM块尺寸的总体擦除性能，同时避免了可能对所述NVM系统内高电压电路的损坏。
非易失性存储器 nvm 系统自适应擦除恢复

[发明专利]电可擦除可编程只读存储器仿真系统中的动态压缩-CN201811323163.8在审
发明人： 穆甫臣;邵柏棠 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)仿真(EEE)系统，所述系统包括被布置成具有多个扇区的非易失性存储器，其中每一扇区被布置成具有多个记录位置。将新数据的新记录编程到所述多个扇区中的活跃扇区的记录位置中。在成功完成对所述新记录的所述编程之后，将在所述编程期间的编程失败(FTP)发生的次数与第一阈值进行比较。当FTP发生的所述次数大于所述第一阈值时，进行关于是否需要压缩的确定，并响应于确定需要压缩，方法包含基于第二阈值选择性地执行压缩。
扇区编程电可擦除可编程只读存储器记录位置新记录压缩非易失性存储器动态压缩仿真系统阈值选择新数据阈值时响应失败成功

[发明专利]高性能和高可靠性闪存存储器的潜在的缓慢擦除位的动态检测方法-CN201410019313.1有效
发明人： 穆甫臣;何晨 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G11C29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测非易失性存储器中的潜在的缓慢位（例如，潜在的缓慢擦除位）的方法和装置。对擦除周期期间的地址中的软编程脉冲的最大数量计数。根据至少一个实施例，对在所述擦除周期期间的擦除脉冲的数量计数。根据不同实施例，相比于先前擦除周期，对所述软编程脉冲的最大数量相比于先前擦除周期是否已经以至少预定的最小速率的速率增加，对所述软编程脉冲的最大数量是否已经超过预定的阈值，对所述擦除脉冲的数量相比于先前擦除周期是否已经增加，或对其组合做出决定。响应于这样的决定，基于NVM中的缓慢位的存在或不存在，NVM通过或不合格。
性能可靠性闪存存储器潜在缓慢擦除动态检测方法

[发明专利]编程具有错误校正码（ECC）的非易失性存储器（NVM）系统-CN201310559366.8有效
发明人： 穆甫臣;何晨 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明涉及编程具有错误校正码（ECC）的非易失性存储器（NVM）系统。一种编程非易失性半导体存储器器件（50）的方法包括确定在编程操作（60）期间编程验证失败的位单元的数量。所述位单元包括在位单元阵列的位单元的子集中。所述方法还确定先前是否已经针对位单元（74）的子集执行了错误校正码（ECC）校正。如果在预定数量的编程脉冲之后的编程验证失败的所述位单元数量低于阈值并且针对位单元的子集没有执行ECC校正，则所述编程操作被认为是成功的。
位单元编程错误校正码非易失性存储器编程操作验证失败子集校正非易失性半导体存储器器件编程脉冲单元阵列在位成功

[发明专利]擦除具有错误校正码的非易失性存储器系统-CN201310146515.8无效
发明人： 穆甫臣;F·K·小巴克尔;何晨 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及擦除具有错误校正码的非易失性存储器系统。一种擦除非易失性半导体存储器器件的方法包括确定在擦除操作期间未通过（54）擦除验证的位单元数量。所述位单元包括在位单元阵列中的位单元的子集（12）中。所述方法还包括确定对于位单元的子集是否已经预先执行了错误校正码（ECC）校正（74）。如果在预定数量的擦除脉冲之后未通过擦除验证的位单元数量低于阈值数量并且对于位单元的子集未执行ECC校正，所述擦除操作则被认为是成功的（76）。
擦除具有错误校正非易失性存储器系统

[发明专利]治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法-CN201310031119.0无效
发明人： 穆甫臣;王艳卓 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：提供治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法。半导体器件包括存储器单元（18）的阵列（12）。每个存储器单元包括隧穿电介质（26）、包括第一电流电极（28）和第二电流电极（30）的阱区域、以及控制栅极（20）。第一和第二电流电极与隧穿电介质（26）的一侧相邻，控制栅极与隧穿电介质的另一侧相邻。控制器（16）耦合到存储器单元（18）。控制器（16）包括一逻辑以确定何时执行存储器单元（18）中的隧穿电介质（26）的治愈过程且在治愈过程中施加第一电压至存储器单元（18）的第一电流电极（28）以从隧穿电介质（26）去除俘获的电子和空穴。
治愈非易失性存储器单元电介质结构方法